NL166074C - Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat. - Google Patents

Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.

Info

Publication number
NL166074C
NL166074C NL7514816.A NL7514816A NL166074C NL 166074 C NL166074 C NL 166074C NL 7514816 A NL7514816 A NL 7514816A NL 166074 C NL166074 C NL 166074C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
substrate
semiconductor layers
multiple semiconductor
epitaxial device
liquid epitaxial
Prior art date
Application number
NL7514816.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL166074B (nl
NL7514816A (nl
Original Assignee
Nippon Telegraph & Telephone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph & Telephone filed Critical Nippon Telegraph & Telephone
Publication of NL7514816A publication Critical patent/NL7514816A/xx
Publication of NL166074B publication Critical patent/NL166074B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL166074C publication Critical patent/NL166074C/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)
NL7514816.A 1974-12-20 1975-12-19 Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat. NL166074C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49145599A JPS5248949B2 (ja) 1974-12-20 1974-12-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7514816A NL7514816A (nl) 1976-06-22
NL166074B NL166074B (nl) 1981-01-15
NL166074C true NL166074C (nl) 1981-06-15

Family

ID=15388776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7514816.A NL166074C (nl) 1974-12-20 1975-12-19 Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4013040A (ja)
JP (1) JPS5248949B2 (ja)
CA (1) CA1036272A (ja)
DE (1) DE2556928C3 (ja)
FR (1) FR2295565A1 (ja)
GB (1) GB1495310A (ja)
NL (1) NL166074C (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51129882A (en) * 1975-05-07 1976-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Process for liquid phase epitaxial growth
JPS5556625A (en) * 1978-10-20 1980-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor crystal growing device
FR2470810A1 (fr) * 1979-12-07 1981-06-12 Labo Electronique Physique Procede de fabrication de structures semi-conductrices par croissance epitaxiale en phase liquide et structures obtenues
FR2476690A1 (fr) * 1980-02-27 1981-08-28 Radiotechnique Compelec Nacelle utilisable pour des depots epitaxiques en phase liquide et procede de depot mettant en jeu ladite nacelle
FR2481325A1 (fr) * 1980-04-23 1981-10-30 Radiotechnique Compelec Nacelle utilisable pour des depots epitaxiques multicouches en phase liquide et procede de depot mettant en jeu ladite nacelle
DE3345214A1 (de) * 1983-12-14 1985-06-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Diode
DE3427056A1 (de) * 1984-07-23 1986-01-23 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum
US5264190A (en) * 1990-04-19 1993-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid phase epitaxial film growth apparatus
DE102021123241A1 (de) * 2021-09-08 2023-03-09 Tdk Electronics Ag Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mindestens ein elektronisches Bauteil und Sensoranordnung mit einer Beschichtung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665888A (en) * 1970-03-16 1972-05-30 Bell Telephone Labor Inc Horizontal liquid phase crystal growth apparatus
US3767481A (en) * 1972-04-07 1973-10-23 Rca Corp Method for epitaxially growing layers of a semiconductor material from the liquid phase
US3755011A (en) * 1972-06-01 1973-08-28 Rca Corp Method for depositing an epitaxial semiconductive layer from the liquid phase
US3821039A (en) * 1973-03-22 1974-06-28 Rca Corp Method of epitaxially depositing a semiconductor material on a substrate
NL7306004A (ja) * 1973-05-01 1974-11-05

Also Published As

Publication number Publication date
FR2295565B1 (ja) 1978-05-19
DE2556928B2 (de) 1978-06-22
NL166074B (nl) 1981-01-15
NL7514816A (nl) 1976-06-22
GB1495310A (en) 1977-12-14
JPS5248949B2 (ja) 1977-12-13
FR2295565A1 (fr) 1976-07-16
CA1036272A (en) 1978-08-08
US4013040A (en) 1977-03-22
JPS5171882A (ja) 1976-06-22
DE2556928A1 (de) 1976-06-24
DE2556928C3 (de) 1979-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7412855A (nl) Inrichting voor het tot een enkele rij trans- formeren van een aantal ongeordend aangevoer- de houders.
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL163370C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
NL165002C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting, waarbij oneffenheden van het oppervlak van een substraat worden verwijderd.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
IT1011349B (it) Dispositivo e procedimento per la deposizione per via chimica di strati epitassiali su substrati semiconduttori
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7514375A (nl) Inrichting voor het uit een vloeistofstraal vormen van druppels.
NL166074C (nl) Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7510352A (nl) Inrichting voor het aftasten van een schijfvormige typendrager.
NL7501388A (nl) Inrichting voor het behandelen van vloeistof- fen.
NL7713114A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfge- leiderinrichtingen.
NL176413C (nl) Werkwijze voor het vormen van een drager voor een halfgeleiderelement.
NL154270B (nl) Inrichting voor het afstrijken van een vloeistofoppervlak.
NL7511541A (nl) Inrichting voor het opnemen van stortgoederen.
NL7505785A (nl) Inrichting voor het verpakken van schijfjes- vormige hapjes.
NL143071B (nl) Werkwijze voor het van openingen voorzien van een een halfgeleiderkristal maskerende laag alsmede halfgeleiderelement aldus vervaardigd.
NL165332C (nl) Inrichting voor het verbinden van een halfgeleider- inrichting met een substraat.

Legal Events

Date Code Title Description
SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee