NL7514816A - Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal doen aangroeien van een gelamelleerde halfgeleiderlaag. - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal doen aangroeien van een gelamelleerde halfgeleiderlaag.

Info

Publication number
NL7514816A
NL7514816A NL7514816A NL7514816A NL7514816A NL 7514816 A NL7514816 A NL 7514816A NL 7514816 A NL7514816 A NL 7514816A NL 7514816 A NL7514816 A NL 7514816A NL 7514816 A NL7514816 A NL 7514816A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
lameled
semiconductor layer
epitaxial growth
epitaxial
growth
Prior art date
Application number
NL7514816A
Other languages
English (en)
Other versions
NL166074C (nl
NL166074B (nl
Original Assignee
Nippon Telegraph & Telephone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph & Telephone filed Critical Nippon Telegraph & Telephone
Publication of NL7514816A publication Critical patent/NL7514816A/nl
Publication of NL166074B publication Critical patent/NL166074B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL166074C publication Critical patent/NL166074C/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)
NL7514816.A 1974-12-20 1975-12-19 Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat. NL166074C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49145599A JPS5248949B2 (nl) 1974-12-20 1974-12-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7514816A true NL7514816A (nl) 1976-06-22
NL166074B NL166074B (nl) 1981-01-15
NL166074C NL166074C (nl) 1981-06-15

Family

ID=15388776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7514816.A NL166074C (nl) 1974-12-20 1975-12-19 Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4013040A (nl)
JP (1) JPS5248949B2 (nl)
CA (1) CA1036272A (nl)
DE (1) DE2556928C3 (nl)
FR (1) FR2295565A1 (nl)
GB (1) GB1495310A (nl)
NL (1) NL166074C (nl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51129882A (en) * 1975-05-07 1976-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Process for liquid phase epitaxial growth
JPS5556625A (en) * 1978-10-20 1980-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor crystal growing device
FR2470810A1 (fr) * 1979-12-07 1981-06-12 Labo Electronique Physique Procede de fabrication de structures semi-conductrices par croissance epitaxiale en phase liquide et structures obtenues
FR2476690A1 (fr) * 1980-02-27 1981-08-28 Radiotechnique Compelec Nacelle utilisable pour des depots epitaxiques en phase liquide et procede de depot mettant en jeu ladite nacelle
FR2481325A1 (fr) * 1980-04-23 1981-10-30 Radiotechnique Compelec Nacelle utilisable pour des depots epitaxiques multicouches en phase liquide et procede de depot mettant en jeu ladite nacelle
DE3345214A1 (de) * 1983-12-14 1985-06-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Diode
DE3427056A1 (de) * 1984-07-23 1986-01-23 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum
US5264190A (en) * 1990-04-19 1993-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid phase epitaxial film growth apparatus
DE102021123241A1 (de) * 2021-09-08 2023-03-09 Tdk Electronics Ag Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mindestens ein elektronisches Bauteil und Sensoranordnung mit einer Beschichtung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665888A (en) * 1970-03-16 1972-05-30 Bell Telephone Labor Inc Horizontal liquid phase crystal growth apparatus
US3767481A (en) * 1972-04-07 1973-10-23 Rca Corp Method for epitaxially growing layers of a semiconductor material from the liquid phase
US3755011A (en) * 1972-06-01 1973-08-28 Rca Corp Method for depositing an epitaxial semiconductive layer from the liquid phase
US3821039A (en) * 1973-03-22 1974-06-28 Rca Corp Method of epitaxially depositing a semiconductor material on a substrate
NL7306004A (nl) * 1973-05-01 1974-11-05

Also Published As

Publication number Publication date
FR2295565B1 (nl) 1978-05-19
CA1036272A (en) 1978-08-08
FR2295565A1 (fr) 1976-07-16
JPS5248949B2 (nl) 1977-12-13
DE2556928A1 (de) 1976-06-24
US4013040A (en) 1977-03-22
NL166074C (nl) 1981-06-15
DE2556928B2 (de) 1978-06-22
NL166074B (nl) 1981-01-15
JPS5171882A (nl) 1976-06-22
DE2556928C3 (de) 1979-02-22
GB1495310A (en) 1977-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7510336A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL7508940A (nl) Silicon-catheter en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL188354C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een substraat voor de kwantitatieve bepaling van plasmakallikreine en werkwijze voor het kwantitatief bepalen van plasmakallikreine.
NL7513642A (nl) Bandverbinding en werkwijze en inrichting voor het vormen daarvan.
NL7501529A (nl) Veldeffect halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7510608A (nl) Werkwijze en inrichting voor het inspecteren van pijpen.
NL7510568A (nl) Een werkwijze en een opneeminrichting voor het optillen en bewegen van halfgeleiderwafels.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7512349A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vormen van een knooplus.
NL7506225A (nl) Werkwijze voor het doen groeien van een epitaxiale laag van silicium op een drager.
NL7500676A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van afzonderlijk verpakte delen zoetigheden.
NL7512085A (nl) Werkwijze voor het uitvoeren van een kiemproces en daarvoor geschikte inrichting.
NL7514060A (nl) Werkwijze en inrichting voor het bepalen van aard- lagen.
NL7506211A (nl) Werkwijze en inrichting voor het capitonneren.
NL7500275A (nl) Werkwijze en inrichting voor het bereiden van of yoghurt.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL7505889A (nl) Werkwijze en inrichting voor het tuften.
NL7706533A (nl) Werkwijze voor het groeien van een natuurlijke half- geleideroxydelaag.
NL7505472A (nl) Werkwijze en apparaat voor het reinigen van uit- laatgas.
NL7509064A (nl) Werkwijze en inrichting voor het hanteren van li- neaire elementen.
NL7507900A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van mestkorrels.
NL168279C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vormen van een epitaxiale laag.
NL7514816A (nl) Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal doen aangroeien van een gelamelleerde halfgeleiderlaag.
NL7501694A (nl) Werkwijze en inrichting voor het overbrengen van eieren.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee