NL162250C - Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.

Info

Publication number
NL162250C
NL162250C NL6715753.A NL6715753A NL162250C NL 162250 C NL162250 C NL 162250C NL 6715753 A NL6715753 A NL 6715753A NL 162250 C NL162250 C NL 162250C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
situally
planary
coated
manufacturing
Prior art date
Application number
NL6715753.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL162250B (nl
NL6715753A (xx
Inventor
Else Dr Kooi
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL6715753.A priority Critical patent/NL162250C/xx
Priority to ES360408A priority patent/ES360408A1/es
Priority to GB1250509D priority patent/GB1250509A/en
Priority to CH1719568A priority patent/CH527497A/de
Priority to SE15645/68A priority patent/SE354378B/xx
Priority to AT1121968A priority patent/AT320737B/de
Priority to US776922A priority patent/US3649886A/en
Priority to JP8461568A priority patent/JPS5528217B1/ja
Priority to DE19681809817 priority patent/DE1809817A1/de
Priority to FR1592750D priority patent/FR1592750A/fr
Priority to BE724277D priority patent/BE724277A/xx
Priority to BR204218/68A priority patent/BR6804218D0/pt
Publication of NL6715753A publication Critical patent/NL6715753A/xx
Publication of NL162250B publication Critical patent/NL162250B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL162250C publication Critical patent/NL162250C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/0883—Combination of depletion and enhancement field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0638—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for preventing surface leakage due to surface inversion layer, e.g. with channel stopper
NL6715753.A 1967-11-21 1967-11-21 Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. NL162250C (nl)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6715753.A NL162250C (nl) 1967-11-21 1967-11-21 Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
ES360408A ES360408A1 (es) 1967-11-21 1968-11-09 Un dispositivo semiconductor.
CH1719568A CH527497A (de) 1967-11-21 1968-11-18 Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, bei welchem eine Oberfläche mindestens teilweise mit einer Oxydschicht bedeckt ist, und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
SE15645/68A SE354378B (xx) 1967-11-21 1968-11-18
GB1250509D GB1250509A (xx) 1967-11-21 1968-11-18
US776922A US3649886A (en) 1967-11-21 1968-11-19 Semiconductor device having a semiconductor body of which a surface is at least locally covered with an oxide film and method of manufacturing a planar semiconductor device
AT1121968A AT320737B (de) 1967-11-21 1968-11-19 Halbleittervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung
JP8461568A JPS5528217B1 (xx) 1967-11-21 1968-11-20
DE19681809817 DE1809817A1 (de) 1967-11-21 1968-11-20 Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper,von dem eine Oberflaeche wenigstens oertlich mit einer Oxydhaut bedeckit ist,und Verfahren zur Herstellung einer planaeren Halbleitervorrichtung
FR1592750D FR1592750A (xx) 1967-11-21 1968-11-21
BE724277D BE724277A (xx) 1967-11-21 1968-11-21
BR204218/68A BR6804218D0 (pt) 1967-11-21 1968-11-21 Processo de fabricacao de um dispositivo semicondutor e seu produto

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6715753.A NL162250C (nl) 1967-11-21 1967-11-21 Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6715753A NL6715753A (xx) 1969-05-23
NL162250B NL162250B (nl) 1979-11-15
NL162250C true NL162250C (nl) 1980-04-15

Family

ID=19801764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6715753.A NL162250C (nl) 1967-11-21 1967-11-21 Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.

Country Status (12)

Country Link
US (1) US3649886A (xx)
JP (1) JPS5528217B1 (xx)
AT (1) AT320737B (xx)
BE (1) BE724277A (xx)
BR (1) BR6804218D0 (xx)
CH (1) CH527497A (xx)
DE (1) DE1809817A1 (xx)
ES (1) ES360408A1 (xx)
FR (1) FR1592750A (xx)
GB (1) GB1250509A (xx)
NL (1) NL162250C (xx)
SE (1) SE354378B (xx)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4089992A (en) * 1965-10-11 1978-05-16 International Business Machines Corporation Method for depositing continuous pinhole free silicon nitride films and products produced thereby
DE2047998A1 (de) * 1970-09-30 1972-04-06 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Planaranordnung
US3856587A (en) * 1971-03-26 1974-12-24 Co Yamazaki Kogyo Kk Method of fabricating semiconductor memory device gate
US3853496A (en) * 1973-01-02 1974-12-10 Gen Electric Method of making a metal insulator silicon field effect transistor (mis-fet) memory device and the product
DE2316096B2 (de) * 1973-03-30 1975-02-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Feldeffekttransistoren unterschiedlichen Leltungszustandes
US3924024A (en) * 1973-04-02 1975-12-02 Ncr Co Process for fabricating MNOS non-volatile memories
JPS6022497B2 (ja) * 1974-10-26 1985-06-03 ソニー株式会社 半導体装置
JPS5922381B2 (ja) * 1975-12-03 1984-05-26 株式会社東芝 ハンドウタイソシノ セイゾウホウホウ
JPS54149469A (en) * 1978-05-16 1979-11-22 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5627935A (en) * 1979-08-15 1981-03-18 Toshiba Corp Semiconductor device
GB2087147B (en) * 1980-11-06 1985-03-13 Nat Res Dev Methods of manufacturing semiconductor devices
US4412242A (en) * 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
US5043293A (en) * 1984-05-03 1991-08-27 Texas Instruments Incorporated Dual oxide channel stop for semiconductor devices
US5260233A (en) * 1992-11-06 1993-11-09 International Business Machines Corporation Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding
JPH1187663A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Nec Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
US6168859B1 (en) * 1998-01-29 2001-01-02 The Dow Chemical Company Filler powder comprising a partially coated alumina powder and process to make the filler powder
US6303972B1 (en) 1998-11-25 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Device including a conductive layer protected against oxidation
US7067861B1 (en) 1998-11-25 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Device and method for protecting against oxidation of a conductive layer in said device
DE19923466B4 (de) 1999-05-21 2005-09-29 Infineon Technologies Ag Junctionsisolierter Lateral-MOSFET für High-/Low-Side-Schalter
JP2007165492A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Seiko Instruments Inc 半導体集積回路装置
FR3049769B1 (fr) * 2016-03-31 2018-07-27 Stmicroelectronics (Tours) Sas Composant de puissance vertical
FR3049770B1 (fr) * 2016-03-31 2018-07-27 Stmicroelectronics (Tours) Sas Composant de puissance vertical
US10211326B2 (en) * 2016-03-31 2019-02-19 Stmicroelectronics (Tours) Sas Vertical power component

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA667423A (en) * 1963-07-23 Northern Electric Company Limited Semiconductor device and method of manufacture
US3477886A (en) * 1964-12-07 1969-11-11 Motorola Inc Controlled diffusions in semiconductive materials
US3484313A (en) * 1965-03-25 1969-12-16 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor devices
US3463974A (en) * 1966-07-01 1969-08-26 Fairchild Camera Instr Co Mos transistor and method of manufacture
US3455020A (en) * 1966-10-13 1969-07-15 Rca Corp Method of fabricating insulated-gate field-effect devices
US3475234A (en) * 1967-03-27 1969-10-28 Bell Telephone Labor Inc Method for making mis structures
US3550256A (en) * 1967-12-21 1970-12-29 Fairchild Camera Instr Co Control of surface inversion of p- and n-type silicon using dense dielectrics

Also Published As

Publication number Publication date
US3649886A (en) 1972-03-14
GB1250509A (xx) 1971-10-20
NL162250B (nl) 1979-11-15
SE354378B (xx) 1973-03-05
ES360408A1 (es) 1970-10-16
CH527497A (de) 1972-08-31
JPS5528217B1 (xx) 1980-07-26
BR6804218D0 (pt) 1973-04-17
FR1592750A (xx) 1970-05-19
BE724277A (xx) 1969-05-21
DE1809817A1 (de) 1969-12-11
AT320737B (de) 1975-02-25
NL6715753A (xx) 1969-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL162250C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL144201B (nl) Werkwijze voor het bekleden van het oppervlak van een substraat.
NL152895B (nl) Werkwijze ter bereiding van bekledingsmaterialen, alsmede met behulp daarvan beklede substraten.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL154819B (nl) Inrichting voor het aanbrengen van een laag vloeistof met lage viscositeit tussen een stroom vloeistof met hoge viscositeit en de wand van een pijpleiding.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL165975B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een kunststoflaag met een reliefoppervlak.
NL7600021A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een flesvor- mige houder van het type met een uitgang en fles- vormige houder vervaardigd onder toepassing van genoemde werkwijze.
NL144313B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een ondergrond met een lossende deklaag en de daarmede beklede gevormde voortbrengselen.
NL153656B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een warmteisolerende bekleding voor een buis, alsmede de aldus vervaardigde bekleding.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL148951B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een voorwerp met een gekleurde film en aldus bekleed voorwerp.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL161300B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL173386C (nl) Werkwijze voor het vormen van een metaaloxydebekleding op een ondergrond.
NL139776B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een fosfaatbekledingslaag op een zinkoppervlak en voorwerp met een zinkoppervlak, voorzien van een fosfaatbekledingslaag gevormd met de werkijze.
NL150171B (nl) Werkwijze voor het elektrolytisch bekleden van een substraat en werkwijze voor het vervaardigen van een laminaat.
NL161515B (nl) Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting.
NL149860B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een metaallaag van wolfraam of molybdeen op een halfgeleiderlichaam, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van schottkykeerlaag verkregen volgens deze werkwijze.
NL168369B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleider- lichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleider- lichaam.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee