NL1034411C - Immersie-lithografiesysteem met gebruikmaking van een afgedichte waferbodem. - Google Patents

Description

IMMERSffi-LITHOGRAFIESYSTEEM MET GEBRUIKMAKING VAN EEN AFGEDICHTE WAFERBODEM

Verwijzing 5

[0001] De onderhavige aanvrage claimt prioriteit van Amerikaanse provisionele octrooiaanvrage serienr. 60/864.204, ingediend op 3 november 2006, die hierbij in zijn geheel als verwijzing is opgenomen.

10 Achtergrond

[0002] De onderhavige openbaring heeft in het algemeen betrekking op immersie-fotolithografie en meer in het bijzonder op een immersie-fotolithografiesysteem met gebruikmaking van een afgedichte waferbodem.

15 [0003] Immersielithografie is een relatief nieuwe vooruitgang in fotolithografie, waarbij de belichtingsprocedure wordt uitgevoerd met een vloeistof die de ruimte tussen het oppervlak van de wafer en de lens vult. Door gebruik te maken van immersie-fotolithografie kunnen hogere numerieke aperturen worden gebouwd dan wanneer lenzen in lucht worden gebruikt, wat leidt tot een verbeterde resolutie. Verder verschaft 20 immersie een verbeterde focusdiepte (depth-of-focus = DOF) voor het printen van nog kleinere structuurelementen. Het zal duidelijk zijn dat de onderhavige openbaring niet beperkt is tot immersie-lithografie, maar immersie-lithografie verschaft een voorbeeld van een halfgeleiderproces dat voordeel kan behalen uit de uitvinding die hieronder in meer detail wordt beschreven.

25

Korte beschrijving van de tekeningen

[0004] De onderhavige openbaring zal het best worden begrepen aan de hand van de volgende gedetailleerde beschrijving samen met de begeleidende figuren. Benadrukt 30 wordt dat, overeenkomstig de standaardpraktijk in de industrie, diverse elementen niet op schaal zijn getekend. In feite kunnen de dimensies van de diverse elementen willekeurig zijn vergroot of verkleind voor een duidelijkere uiteenzetting.

[0005] Figuur IA illustreert een LBC-immersiesysteem.

1 0 3 44 11 .

2

[0006] Figuur 1B illustreert een alternatief ontwerp van een LBC-immersiesysteem.

[0007] Figuur 2 illustreert een WBC-inunersiesysteem.

[0008] Figuur 3 illustreert een bovenaanzicht van een volledig-immersie-S lithografiesysteem, waarbij een afdichtingsring is aangebracht in contact met een bodemrand van een wafer overeenkomstig één uitvoeringsvorm.

[0009] Figuur 4 illustreert een zijaanzicht van het volledige-immersie-lithografiesysteem van figuur 3.

[0010] Figuur 5 is een vergroot zijaanzicht van het volledige-immersie-10 lithografiesysteem van figuur 3.

[0011] Figuur 6 illustreert het volledige-immersie-lithografiesysteem van figuur 3 nadat de keerwand daarvan is verlaagd om de immersievloeistof daaruit af te voeren.

[0012] Figuur 7 illustreert een droogkop voor gebruik bij het verwijderen van rest-vloeistof uit een wafer.

15 [0013] Figuur 8A en 8B illustreren één implementatie van een nabijheidsdeksel dat richtingsbesturende vloeistofinlaten omvat.

[0014] Figuren 9-11 illustreren vloeistofhchtingsbesturmg die wordt geïmplementeerd met gebruikmaking van de richtingsbesturende vloeistofinlaten van de figuren 8 A en 8B.

20 [0015] Figuren 12A en 12B illustreren een alternatieve implementatie van een na bijheidsdeksel dat richtingsbesturende vloeistofinlaten omvat.

[0016] Figuur 13 illustreert een alternatieve configuratie van het volledige-immersie-lithografiesysteem van figuur 3.

[0017] Figuur 14 illustreert een volledig-immersie-lithografiesysteem volgens een 25 andere alternatieve uitvoeringsvorm.

[0018] Figuur 15 illustreert een volledig-immereie-lithografiesysteem volgens nog een andere alternatieve uitvoeringsvorm.

[0019] Figuur 16 illustreert een richtingsbesturende vloeistofinlaat-inrichting met dubbel mondstuk.

30 [0020] Figuur 17 illustreert de richtingsbesturende vloeistofinlaat-inrichting met dubbel mondstuk van figuur 16 die is aangebracht op het volledige-immersie-lithografiesysteem van figuur 13.

3

Gedetailleerde beschrijving

[0021] De onderhavige openbaring heeft in het algemeen betrekking op de vloei-stofimmcrsie-fotolithografiesystemcn en meer in het bijzonder op een immersie- 3 fotolithografiesysteem met gebruikmaking van een afgedichte waferbodem. Het zal echter duidelijk zijn dat specifieke uitvoeringsvormen zijn verschaft als voorbeelden om het bredere inventieve concept te leren, en een vakman met gebruikelijke vakkennis kan de leer van de onderhavige openbaring eenvoudig toepassen op andere werkwijzen en systemen. Het zal tevens duidelijk zijn dat de werkwijzen en systemen die in de on-10 derhavige openbaring zijn besproken een aantal conventionele structuren en/of stappen omvatten. Aangezien deze structuren en stappen uit de stand van de techniek welbekend zijn zullen ze alleen in een algemene mate van detail worden besproken. Verder worden overal in de tekeningen verwijzingscijfers gemakshalve en als voorbeeld herhaald, en een dergelijke herhaling duidt niet op enige vereiste combinatie van kcnmer-15 ken of stappen in de tekeningen.

[0022] In het algemeen zijn er twee systeemconfiguraties in immersie-lithografie, waaronder lensgebaseerde (“LBC”) systemen en wafergebaseerde (“WBC”) systemen. Met LBC-systemen wordt immersievloeistof selectief toegevoerd aan en geëxtraheerd uit een klein gebied tussen de lens en de wafer en het immersiesamenstel is stationair 20 met betrekking tot de lens als de wafer stapsgewijs wordt verplaatst of wordt gescand.

[0023] Met verwijzing naar figuur IA omvat één uitvoeringsvorm van een LBC-systeem 100 een immersiekop 102 die een beeldvormingslens 104, een vloeistoiinlaat 106 en een vloeistof-uitlaat 108 omvat Zoals getoond in figuur IA wordt immersievloeistof aangebracht in een gebied 110 onder de beeldvormingslens 104 en boven een 23 wafer 112, die is bevestigd aan een wafertafel 114 via een vacuümsysteem 116. De vloeistof wordt in het gebied 110 geïnjecteerd via de vloeistoiinlaat 106 en wordt uitgedreven via de vloeistofuitlaat 108, welk proces kan leiden tot vloeistoftemperatuur-regelingskwesties en vloeistofverdampingsproblemen.

[0024] Voordelen van LBC-systemen omvatten het feit dat de wafertafel daarvan 30 in hoofdzaak identiek is aan die van een droog systeem, waardoor ontwikkelingstijd en kosten worden bespaard. Verder is het met LBC-systemen mogelijk om dezelfde uitlij-ning, focus en richtinstelling te behouden zoals die worden gebruikt in droge systemen. Tenslotte is bij LBC-systemen het volume van gebruikte immersievloeistof klein, zodat 4 het opvullen van de vloeistofkerende holte zeer snel kan worden uitgevoerd, waardoor een hoog waferdoorvoervolume wordt behouden.

[0025] Problemen die zijn verbonden met LBC-systemen omvatten het feit dat, nabij de rand van de wafer, het immersiegebied de wafer en gebieden buiten de klauw- 5 plaat omvat, zodat het handhaven van de hydrodynamica in de vloeistofholte en het beheren van vloeistofextractie moeilijker kan zijn. Een ander probleem is dat deeltjes aan de achterkant van de wafer de neiging hebben om naar het oppervlak gespoeld te worden. Verder heeft de LBC-immersiekop de neiging om sporen van vloeistof achter te laten op het waferoppervlak wanneer de wafer tijdens het verplaats-en-scan-bedrijf 10 beweegt. Dit is een grondoorzaak van vloeistofvlekken op de wafer. Nog een ander probleem dat is verbonden met LBC-systemen is dat de fotolak een inconsistente vloei-stof-contact-geschiedenis op verschillende locaties zal hebben. In het bijzonder worden, wanneer de wafer van veld tot veld stapsgewijs wordt verplaatst, de aangrenzende velden, of delen daarvan, bedekt door vloeistof. Dit kan meerdere malen bij hetzelfde veld 15 optreden en niet noodzakelijkerwijs in dezelfde volgorde of hetzelfde aantal malen voor elk veld. Tenslotte stroomt in een aantal LBC-systeemontwerpen, zoals geïllustreerd in figuur 1B, immersievloeistof over de waferrand in een vloeistof-afvoer 120 die zich langs de rand van de wafer 112 bevindt. Terwijl dit deeltjes-invanging reduceert, leidt het tot wafer-afkoeling aan de rand, waardoor de wafer wordt vervormd en de overlay-20 nauwkeurigheid wordt verslechterd.

[0026] Met verwijzing naar figuur 2 wordt, in tegenstelling tot LBC-systemen, in WBC-systemen de wafer volledig ondergedompeld in immersievloeistof in een circula-tietank in de wafertafel. In een WBC-systeem 200 wordt immersievloeistof selectief ingevoerd in en uitgedreven uit een klein gebied 204 tussen een lens 206 en een wafer 25 208 via een vloeistofinlaat 210 respectievelijk een vloeistoiuitlaat 212. De immersie vloeistof circuleert continu in het gebied 204 onder en boven de wafertafel en wordt gefilterd en temperatuur-geregeld wanneer deze over het oppervlaktegebied van de wafer 208 beweegt. De vloeistof kan volledig worden afgevoerd uit het gebied 204 om aanbrenging en verwijdering van de wafer 208 mogelijk te maken. Een deksel 214 ver-30 hindert dat immersievloeistof 202 overstroomt en dat vreemde deeltjes in de vloeistof vallen.

[0027] Voordelen van WBC-systemen omvatten het feit dat belichting aan de rand van de wafer hetzelfde is als belichting in het midden daarvan. Bovendien maakt elk 5 veld gedurende dezelfde tijdshoeveelheid contact met de wafer. Verder is er geen mogelijkheid van vloeistofvlekken die worden veroorzaakt door een irrunersiekop en is er geen sprake van bellengenerering door slechte hydrodynamica nabij de rand van de wafer. WBC-systemen lijden echter wel onder bepaalde tekortkomingen, waaronder het 5 feit dat voor- en nabelichtings-indringtijden van elk belichtingsveld verschillend zijn. Vader kost het meer moeite of meer tijd om de immersievloeistof te vullen en af te voeren, en focusseren, hellen en uitlijnen dienen in de immersiemodus uitgevoerd te worden indien er geen dubbele tafel wordt gebruikt. Tenslotte is een aanzienlijk herontwerp van de wafertafel, vergeleken met een droog systeem, noodzakelijk.

10 [0028] Twee aanvullende problemen treffen zowel LBC- als WBC-systemen. Deze omvatten het feit dat de afdeklak aan de waferrand binnen enkele millimeter (de “rand-druppel") gewoonlijk wordt verwijderd omdat deze dikker is dan de rest van de af-deklakbekleding. Dit laat de mogelijkheid open van gebroken afdeklakfragmenten door het spoelen van de vloeistof, wat derhalve bijdraagt tot corpusculaire defecten. Boven-15 dien kan de vloeistof in de onderzijde van de wafer sijpelen, waardoor hij een bron van verontreiniging wordt en hij tevens vatbaar voor verontreiniging wordt gemaakt. De verdamping van deze vloeistof kan bijdragen aan ongelijkmatige afkoeling en overlay-fouten.

[0029] Met verwijzing nu naar de figuren 3 en 4 zijn hier boven- en zijaanzichten 20 geïllustreerd van een volledig immersie-lithografiesysteem 300 waarin een afdichtings-ring zodanig is aangebracht dat deze in contact is met een onderrand van een wafer volgens één uitvoeringsvorm. Naar een dergelijk volledig-immersie-lithografiesysteem kan hier alternatief worden verwezen als een “WISBOT”-systeem, Zoals het best is getoond in figuur 4 omvat het systeem 300 een wafertafel 302 waarop een wafer 304 25 kan zijn bevestigd via een vacuümsysteem 306. Een lenssamenstel 308 is aangebracht over de wafer 304. Overeenkomstig één uitvoeringsvorm is immersievloeistof 309 aangebracht in een gebied, of tank, 310 over en rondom de wafer 304 tussen de wafer en het lenssamenstel 308. De immersievloeistof wordt binnen de tank 310 gehouden door een vloeistofkerende wand 311. In één uitvoeringsvorm is de brekingsindex van de 30 immersievloeistof althans nagenoeg 1,34. Een afdichtingsring 312 die is geconstrueerd uit rubber of een soortgelijk materiaal is aangebracht op de wafertafel 302, zodat hij contact maakt met een onderrand van de wafer 304 die op de tafel is aangebracht In één uitvoeringsvorm is de dikte van de afdichtingsring 312 tussen 1 en 10 millimeter.

6

De bovenrand van de afdichtingsring 312 strekt zich iets uit boven de onderkant van de wafer 304, zodat, wanneer de wafer is bevestigd aan de wafertafel 302 door middel van het vacuümsysteem 306, de rand van de wafer door de afdichtingsring is afgedicht ten opzichte van vloeistof-insijpeling. Met andere woorden, de afdichtingsring 312 dicht S datgene af wat anders een tussenruimte tussen de wafer 304 en de wafertafel 302 zou kunnen zijn.

[0030] Een nabijheidsdeksel 314 dat een veelheid vloeistofinlaten 316 daar doorheen omvat is verschaft om de immersievloeistof tot het gebied 310 te beperken en om de temperatuur van de immersievloeistof te handhaven. De vloeistofinlaten 316 zijn 10 verschaft voor het regelen van de vloeistofstroming, zoals hieronder in meer detail beschreven zal worden. Het nabijheidsdeksel 314 is van een grootte die geschikt is om de vloeistof tussen de lens en de wafer homogeen te houden. In de onderhavige uitvoeringsvorm is dit deksel niet te groot om de grootte van het omhullende deksel onnodig te vergroten, omdat het niet te dicht naar de vloeistofkerende wand 311 dient te bewe-15 gen. Een omhullend deksel 318 is bevestigd aan een lenszuil van het lenssamenstel 308 om de tank 310 te omhullen en om een vloeistof-damp-rijke omgeving daarin tot stand te brengen.

[0031] Figuur 3 illustreert het best de verhouding tussen de afdichtingsring 312, de wafer 304, en het omhullende deksel 318. Zoals getoond in figuur 3 omvat de wafer 20 304 een veelheid gescande velden 320. Een gebied 322 vertegenwoordigt een lensveld van het lenssamenstel 308. Zoals eveneens het best is geïllustreerd in figuur 3 omvat de lens een deksel 322 dat een sleuf 324 omvat dat het scannings-belichtingsveld dicteert.

[0032] Zoals het best is getoond in figuur 5, die een vergroot en uitgebreid aan-25 zicht van het systeem 300 is, wordt damp van de immersievloeistof 309 opgesloten binnen het gebied 310, dat is begrensd door het omhullende deksel 318, de vloeistofkerende wand 311 en de wafertafel 302 met de waf» 304, die door middel van het vacuümsysteem 306 tegen de afdichtingsring 312 is gedrukt. Nadat een hoge concentratie van vloeistofdamp is bereikt in een tussenruimte boven de vloeistof 309 binnen het 30 gebied 310, wordt voldoende immersievloeistof ingevoerd om het gehele oppervlak van de wafer 304 te bedekken. Overstromingsgaten 330 maken het mogelijk dat overtollige vloeistof in een vloeistofverzamelgeul 332 stroomt. De vloeistofdamp ontsnapt onvermijdelijk door een tussenruimte tussen de vloeistofkerende wand 311 en het omhullen- 7 de deksel 318 en moet periodiek worden bijgevuld. Deze tussenruimte is noodzakelijk om vrije beweging te waarborgen tussen de vloeistofkerende wand 311 en het omhullende deksel 318 en wordt klein en uniform gehouden om vloeistofdampverlies tot een minimum te houden.

5 [0033] Figuur 6 illustreert het systeem 300 nadat de vloeistofkerende wand 311 is verlaagd om het gebied 310 te ledigen van vloeistof. Nadat de wafer 304 en wafertafel 302 zijn verwijderd van onder het lenssamenstel 308 kunnen restvloeistof en natheid op de wafer 304 worden verwijderd met gebruikmaking van een droogkop die een luchtmes omvat zoals is geïllustreerd in figuur 7 en is aangeduid met een verwijzingscijfer 10 340. De droogkop 340 omvat ten minste één vacuüm uitlaat 342 voor het afvoeren van

immersievloeistof en ten minste één luchtinvoerinlaat 344 om gas in te voeren voor drogen, zoals bijvoorbeeld purgeergas. Aanvullende details met betrekking tot de droogkop 304 en alternatieve uitvoeringsvormen daarvan zijn verschaft in gerelateerde Amerikaanse octrooiaanvrage serienr. 60/864.241 (dossiernummer gemachtigde 2006-15 0682 / 2461.847) met de titel “IMMERSION LITHOGRAPHY SYSTEM USING A

SEALED WAFER BATH”, die hierbij in zijn geheel als verwijzing is opgenomen.

[0034] Figuren 8A-12B illustreren regeling van vloeistofstroming via vloeistofïnla-ten, zoals de vloeistofinlaten 316. Figuren 8A en 8B illustreren één implementatie van het gebruik van richtingsbesturende vloeistofinlaten 350a-350d die zijn aangebracht in 20 een nabijheidsdeksel 352. Zoals getoond in de figuren 8A en 8B omgeven de vier inlaten 350a-350d een lenssamenstel 354 onder hoeken in incrementen van 90 graden. Elk van de inlaten 350a-350d leidt vloeistof naar het lenssamenstel 354 en de inlaat hier tegenover. In het bijzonder wordt de inlaat tegenover de rand van het nabij heidsdeksel 354 die het dichtst bij de rand van de wafer (niet getoond in de figuren 8A en 8B) ligt 25 op een gegeven tijdstip geopend om stroming van vloeistof mogelijk te maken. Alle andere inlaten zijn gesloten via een vloeistofbesturingsklep die daarin is aangebracht. Op deze wijze stroomt altijd verse en uniform stromende vloeistof onder het lenssamenstel 354 om vrijheid van deeltjes en een homogeen immersiemedium voor aberra-tievrije beeldvorming te waarborgen. Elk willekeurig deeltje nabij de rand van de wafer 30 wordt altijd gedragen door de vloeistof die afgevoerd moet worden. Opnieuw met verwijzing naar figuur 5 is het belangrijk dat de temperatuur van de vloeistof 309 strikt wordt geregeld om een isothermische omgeving te vormen in het beeldvormingsgebied, dat het lenssamenstel 308, het omhullende deksel 318, het nabij heidsdeksel 314, de 8 immersievloeistof, de vloeistofdamp, de vloeistofkerende wand 311, de wafer 304, en de wafertafel 302 omvat. Het is overbodig om te zeggen dat de temperatuur van de inkomende vloeistofdamp eveneens met dezelfde mate van nauwkeurigheid geregeld moet worden.

5 [0035] Figuur 9 illustreert een situatie waarin de inlaat 350c, die de inlaat van de inlaten 350-350d tegenover de rand van het nabijheidsdeksel 354 is die het dichtst bij de rand van een wafer 360 ligt, open is, terwijl de andere inlaten 350a, 350b en 350d gesloten zijn, zodat de stroming van immersievloeistof wordt geleid in een richting die is aangeduid door een pijl 362. De vloeistof loopt onder het lenssamenstel 354 en 10 stroomt weg door de rand van de wafer 360 die het dichtst bij het lenssamenstel ligt. Figuur 10 illustreert een geval waarin de inlaat 350b, die de inlaat is van de inlaten 350a-350d tegenover de rand van het nabijheidsdeksel 354 die het dichtst bij de rand van de wafer 360 ligt, open is, terwijl de andere inlaten 350a, 350c en 350d gesloten zijn, zodat de stroming van immersievloeistof wordt geleid in een richting die is aange-15 duid door een pijl 364. Opnieuw loopt de vloeistof onder het lenssamenstel 354 en stroomt weg door een rand van de wafer 360 die het dichtst bij het lenssamenstel ligt. Figuur 11 illustreert een situatie waarin meerdere inlaten, in dit geval inlaten 350b en 350c, worden geopend om een schuine stroming tot stand te brengen in richtingen die zijn aangeduid door pijlen 366 en 368. Verder kan de stromingssnelheid van de inlaten 20 350b, 350c, in het geïllustreerde geval verschillend worden aangepast om een willekeu rig schuine stromingsrichting tot stand te brengen.

[0036] Figuren 12A en 12B illustreren een alternatieve implementatie van rich-tings-bcsturende vloeistofinlaten die toegepast kunnen worden in een WISBOT-systeem. Zoals het best is getoond in figuur 12A omvatten inlaten 370a-370h die zijn 25 aangebracht in een nabijheidsdeksel 372 bogen, veeleer dan lijnen, en zij zijn aangebracht in twee ciikelvormige formaties, waarbij inlaten 370a-370d een buitencirkel vormen en inlaten 370e-370h een binnencirkel vormen rond een lenssamenstel 374. Deze configuratie maakt een grotere flexibiliteit mogelijk bij het besturen van de vloei-stofstroming doordat vloeistofstromingen mogelijk worden gemaakt in incrementen 30 van 45 graden, in tegenstelling tot 90 graden.

[0037] Figuur 13 illustreert het systeem 300 van figuur 5 waarin het gebied 310 is gevuld met vloeistof 309, waardoor de vloeistof-damp-rijke ruimte boven de vloeistof is geëlimineerd. In het vooibeeld dat in figuur 13 is geïllustreerd, is het geheel van het 9 gebied dat is omsloten door het omhullende deksel 318, de vloeistoikerende wand 311, en de wafertafel 302 met de wafer 304 die daarop is bevestigd, gevuld met immersie-vloeistof 309. Een dampverzadigde omgeving is niet noodzakelijk om verdamping te verhinderen. Figuur 14 illustreert een WISBOT-systeem 390 dat verschilt van het sys-5 teem 300 doordat het geen nabijheidsdeksel omvat; in plaats daarvan worden vloeistof-richtmgs-besturingsfuncties uitgevoerd door het omhullende deksel 318. Figuur IS illustreert een WISBOT-systeem 400 dat verschilt van het systeem 300 doordat het geen omhullend deksel omvat; veeleer is een stringente vloeistoftemperatuurregeling afgedwongen binnen het nabijheidsdeksel 314.

10 [0038] Figuren 16A en 16B illustreren een richtingsbesturende vloeistofinlaat- inrichting 410 met dubbel mondstuk. Zoals getoond in de figuren 16A en 16B omvat de inrichting 410 een inlaat 412 met dubbel mondstuk, omvattende een hoofdmondstuk 414 voor het leiden van vloeistof in een richting die is aangeduid door een pijl 415 en een secundair mondstuk 416 voor het leiden van vloeistof in een richting tegengesteld 15 aan de richting van het hoofdmondstuk, zoals is aangeduid door een pijl 417. Op deze wijze stroomt altijd verse vloeistof vanuit de vloeistofinlaat naar de randen van de wafer (niet getoond). Vloeistofstroming vanuit het hoofdmondstuk 414 loopt onder een lens 418 om een schoon en homogeen medium daaronder te handhaven. Vloeistofstro-ming vanuit het secundaire mondstuk 416 wordt geleid naar de tegenoverliggende zijde 20 van de wafer. Twee aanvullende mondstukken 422,424, die zijn ingericht om vloeistof te leiden in richtingen die zijn aangeduid door pijlen 426, respectievelijk 428, naar de respectieve buitenranden van de wafer veranderen de richting van de vloeistofstroming op verschillende relatieve wafer/lens-posities. Figuur 17 illustreert de richtingsbestu-rende vloeistofinlaat-inrichting 410 van figuur 16 met dubbel mondstuk, die is geïm-25 plementeerd in het WISBOT-systeem van figuur 13. De richtingsbesturende vloeistofinlaat 416 met dubbel mondstuk van figuur 16 kan eveneens worden geïmplementeerd in WISBOT-systemen zoals die zijn geïllustreerd in de figuren 5,14 en 15.

[0039] Hoewel slechts een paar voorbeelduitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding hierboven in detail zijn beschreven, zal de vakman eenvoudig begrijpen dat 30 veel modificaties mogelijk zijn in de voorbeelduitvoeringsvormen zonder wezenlijk af te wijken van de nieuwe leer en voordelen van de onderhavige uitvinding.

[0040] Het zal duidelijk zijn dat diverse verschillende combinaties van de hierboven genoemde uitvoeringsvormen en stappen gebruikt kunnen worden in verscheidene 10 sequenties of parallel, en dat geen specifieke stap kritiek of vereist is. Verder kunnen eigenschappen die hierboven met betrekking tot een aantal uitvoeringsvormen zijn geïllustreerd en besproken worden gecombineerd met eigenschappen die hierboven met betrekking tot andere uitvoeringsvormen zijn geïllustreerd en besproken. Derhalve is 5 het de bedoeling dat al dergelijke modificaties binnen de reikwijdte van de onderhavige uitvinding vallen.

1034411

Claims (28)

1. Immersie-lithografieapparaat omvattende: een lens-samenstel dat een beeldvormingslens omvat; 5 een wafertafel voor vasthouden van een wafer onder het lenssamenstel, waarbij de wafertafel een afdichtingsring omvat die is aangebracht rond een onderrand van een wafer die op de wafertafel wordt vastgehouden, waarbij een bovenrand van de afdichtingsring hoofdzakelijk co-planair is met, en zich uitstrekt boven de onderrand van de wafer, wanneer de wafer is vastgemaakt aan de wafertafel op zodanige wijze dat 10 de rand van de wafer is afgedicht tegen lekkage van vloeistof onder de wafer door middel van de afdichtingsring.

2. Apparaat volgens conclusie 1, verder omvattende: een vloeistoftank voor het binnenhouden van immersievloeistof, waarbij de 15 vloeistoftank is gesitueerd met betrekking tot de wafertafel om volledige immersie mogelijk te maken van de wafer die is vastgehouden op de wafertafel in de immersievloeistof; en een deksel dat is aangebracht over ten minste een deel van de vloeistoftank om een temperatuur-geregelde, niet-verdampende omgeving binnen de vloeistoftank te 20 verschaffen.

3. Apparaat volgens conclusie 2, verder omvattende ten minste één richtingsstromingsbesturings-vloeistofinlaat die de beeldvormingslens omgeeft om immersievloeistof te leiden naar een rand van de wafer die op de wafertafel wordt 25 vastgehouden die het dichtst bij de beeldvormingslens ligt.

4. Apparaat volgens conclusie 2, waarbij de immersievloeistof water omvat.

5. Apparaat volgens conclusie 2, waarbij de brekingsindex van de 30 immersievloeistof althans nagenoeg 1,34 is.

6. Apparaat volgens conclusie 2, waarbij de vloeistoftank een vloeistofkerende wand omvat. 1034411

7. Apparaat volgens conclusie 6, waarbij de vloeistofkerende wand verlaagd kan worden om de immersievloeistof af te voeren uit de vloeistoftank.

8. Apparaat volgens conclusie 2, waarbij het deksel een omhullend deksel omvat dat is bevestigd aan de beeldvormingslens.

9. Apparaat volgens conclusie 8, waarbij het omhullende deksel groot genoeg is om een bovenkant van de vloeistoftank in zijn geheel te bedekken. 10

10. Apparaat volgens conclusie 3, waarbij het deksel een nabijheidsdeksel omvat.

11. Apparaat volgens conclusie 10, waarbij de ten minste ene richtingsstromingsbesturings-vloeistofinlaat door het nabijheidsdeksel heen is 15 aangebracht.

12. Apparaat volgens conclusie 10, waarbij het nabijheidsdeksel een grootte heeft die geschikt is om een homogene vloeistofstroming onder de lens te handhaven.

13. Apparaat volgens conclusie 2, waarbij het deksel een nabijheidsdeksel omvat, en waarbij het apparaat verder een omhullend deksel omvat.

14. Apparaat volgens conclusie 3, waarbij de ten minste ene richtingsstromingsbesturings-vloeistofmlaat een veelheid vloeistofmlaten omvat die 25 zijn aangebracht door het deksel heen, waarbij elk van de vloeistofmlaten individueel en selectief geactiveerd kan worden om een stromingsrichting van de immersievloeistof binnen de vloeistoftank te besturen.

15. Apparaat volgens conclusie 2, waarbij de immersievloeistof 30 temperatuurgeregeld is.

16. Apparaat volgens conclusie 3, waarbij de richtingsstromingsbesturings-vloeistofmlaat een richtingsstromingsbesturings-vloeistofinlaat met dubbel mondstuk is 13 . die een hoofdmondstuk voor het richten van vloeistof in een eerste richting en een secondair mondstuk voor het richten van vloeistof in een tweede richting tegengesteld aan de eerste richting, omvat.

17. Immersiebelichtingswerkwijze omvattende: aanbrengen van een wafer op een wafertafel die onder een beeldvormingslens is geplaatst, waarbij de wafertafel een afdichtingsring omvat voor afdichting ten opzichte van lekkage van immersievloeistof tussen een onderrand van de wafer en de wafertafel wanneer de wafer op de wafertafel is aangebracht en waarbij een bovenrand van de 10 afdichtingsring hoofdzakelijk co-planair is met, en zich uitstrekt boven de onderrand van de wafer, wanneer de wafer is vastgemaakt aan de wafertafel op zodanige wijze dat de rand van de wafer is afgedicht tegen lekkage van vloeistof onder de wafer door middel van de afdichtingsring; en vullen van het gebied tussen de lens en de wafer met ten minste één 15 immersievloeistof.

18. Immersie-belichtingswerkwijze volgens conclusie 17, verder omvattende: vullen van een vloeistoftank waarin de wafertafel is aangebracht met immersievloeistof, zodat de wafer volledig is ondergedompeld binnen de 20 immersievloeistof.

19. Werkwijze volgens conclusie 18, verder omvattende: invoeren van damp van de immersievloeistof in de vloeistoftank.

20. Werkwijze volgens conclusie 18, verder omvattende: verwijderen van de immersievloeistof uit de vloeistoftank nadat de wafer volledig is belicht, waarbij het verwijderen omvat dat een vloeistofkerende wand van de vloeistoftank wordt verlaagd.

21. Werkwijze volgens conclusie 17, verder omvattende: verwijderen van vocht 30 van een oppervlak van de wafer met gebruikmaking van een droogkop.

22. Werkwijze volgens conclusie 18, verder omvattende: verschaffen van temperatuurregeling voor de immersievloeistof binnen de vloeistoftank.

23. Werkwijze volgens conclusie 18, verdere omvattende: verschaffen van een omhullend deksel voor de vloeistoftank, waarbij het vullen verder vullen van een gehele ruimte tussen de wafer en het omhullende deksel met immersievloeistof omvat. 5

24. Werkwijze volgens conclusie 17, verder omvattende: bewerkstelligen dat de immersievloeistof vanuit de nabijheid van de beeldvormingslens naar ten minste één rand van de wafer stroomt.

25. Werkwijze volgens conclusie 17, verder omvattende: bewerkstelligen dat de immersievloeistof naar een rand van de wafer stroomt die het dichtst bij de beeldvormingslens ligt.

26. Werkwijze volgens conclusie 17, verder omvattende: verhinderen dat 15 immersievloeisof naar de beeldvormingslens stroomt.

27. Werkwijze volgens conclusie 17, verder omvattende: verschaffen van een nabij heidsdeksel dat ten minste één richtingsstromingsbesturings-vloeistofinlaat omvat die de beeldvormingslens omgeeft om een stroming van immersievloeistof naar een 20 rand van de wafer te leiden.

28. Werkwijze volgens conclusie 17, waarbij het vullen van de immersievloeistof wordt uitgevoerd door gebruik te maken van een richtingsstromingsbesturings-vloeistofinlaat met dubbel mondstuk is die een hoofdmondstuk voor het richten van 25 vloeistof in een eerste richting en een secondair mondstuk voor het richten van vloeistof in een tweede richting tegengesteld aan de eerste richting, omvat. 1 0 3 4 4 1 1