MX2014006312A - Aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, placa delgada de aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, metodo de produccion de una aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, componente conductor y terminal para dispositivo electronico/electrico. - Google Patents

Abstract

Lo que se proporciona es una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende: en % en masa, más de 2% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.005% o más y 0.10% o menos de P; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables, en donde una relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni satisface 0.002=Fe/Ni<1.5, una relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe), a P satisface 3<(Ni+Fe)/P<15, una relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) satisface 0.3<Sn/(Ni+Fe)<5, un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a. que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µm, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni.

Description

ALEACIÓN DE COBRE PARA DISPOSITIVO ELECTRÓNICO/ELÉCTRICO, PLACA DELGADA DE ALEACIÓN DE COBRE PARA DISPOSITIVO ELECTRÓNICO/ELÉCTRICO, MÉTODO DE PRODUCCIÓN DE UNA ALEACIÓN DE COBRE PARA DISPOSITIVO ELECTRÓNICO/ELÉCTRICO, COMPONENTE CONDUCTOR Y TERMINAL PARA DISPOSITIVO ELECTRÓNICO/ELÉCTRICO CAMPO TÉCNICO La presente invención se refiere a una aleación de cobre que se utiliza como un componente conductor de un dispositivo electrónico/eléctrico (dispositivo electrónico y/o eléctrico (dispositivo EE) ) , por ejemplo, en una forma de un conector de dispositivo semiconductor, una terminal de otra equipo, una pieza conductora móvil de relés electromagnéticos, un bastidor de conductores o similares. Específicamente, la presente invención se refiere a una aleación de cobre a base de Cu-Zn-Sn, es decir, una aleación a base de latón con Sn agregado (aleación de Cu-Zn) para un dispositivo EE, su aplicación en una placa delgada de aleación de cobre para un dispositivo EE, un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo EE, componentes conductores para un dispositivo EE y terminales.

Se reivindica la prioridad de la Solicitud de Patente Japonesa No. 2012-001177 presentada el 6 de enero de 2012, y la Solicitud de Patente Japonesa No. 2012-203517 presentada el 14 de septiembre de 2012, cuyos contenidos se incorporan en este documento a manera de referencias.

ANTECEDENTES DE LA TÉCNICA El cobre o la aleación de cobre se aplican en componentes conductores de dispositivo EE tales como terminales, por ejemplo, conectores de un dispositivo semiconductor, o una pieza conductora móvil de relés electromagnéticos. Específicamente, el latón (aleación de Cu-Zn) se ha utilizado ampliamente en las técnicas anteriores basadas en la consideración de un equilibrio entre fuerza, trabajabilidad, costo o similares. Cuando se utiliza la aleación de cobre en terminales tales como conectores, la superficie de un sustrato de Cu-Zn (placa en bruto) es enchapada con estaño (Sn) en muchos casos con el propósito principal de aumentar la conflabilidad de la conexión con un miembro conductor de la parte de unión.

En un componente conductor tal como conectores de la constitución descrita anteriormente formada mediante el chapeado de Sn sobre la superficie del sustrato de aleación de Cu-Zn, la aleación a base de Cu-Zn del sustrato se agrega algunas veces con Sn y se utiliza en la forma de una aleación a base de Cu-Zn-Sn a fin de mejorar la eficiencia de reciclaje y mejorar la resistencia de la aleación.

En general, el proceso de producción de un componente conductor para un dispositivo EE tal como un conector de un semiconductor incluye laminar la aleación de cobre de materia prima para formar una placa delgada (tira) que tiene un espesor de aproximadamente 0.05 a 1.0 mm, obtener un miembro de una forma predeterminada mediante troquelado (estampado) , y doblar por lo menos una porción parcial del miembro estampado. En muchos casos, en el uso del componente conductor formado de esta manera, la conexión eléctrica con el miembro conductor de unión se consigue haciendo que la proximidad de la porción doblada del componente conductor haga contacto con el miembro conductor de unión, y el estado de contacto con el miembro conductor de unión se mantenga mediante la propiedad elástica de la porción doblada. En la aleación de cobre utilizada en los componentes conductores tales como conectores, se requiere una excelente conductividad a fin de suprimir la generación de calor debido al calentamiento por resistencia. Adicionalmente, se requieren alta resistencia y excelente laminabilidad y calidad de troquelado debido a que la aleación se lamina en una placa delgada (tira) y se somete a troquelado. Adicionalmente, en el caso de un conector que se forma mediante el doblado una aleación de cobre de tal manera que la proximidad de la porción doblada se utiliza para mantener el estado de contacto con el miembro de unión mediante la propiedad elástica de la porción doblada, se requiere excelente resistencia a la relajación de tensión (resistencia SR) para el miembro de aleación de cobre además de los requisitos para una excelente capacidad de flexión de tal manera que el estado de contacto con el miembro de unión en la proximidad de la porción doblada se mantiene de forma satisfactoria durante un largo tiempo (o incluso en una atmósfera a alta temperatura) . Es decir, en el caso de una terminal tal como un conector que utiliza la propiedad elástica de una porción doblada para mantener el estado de contacto con el miembro de unión, la presión de contacto con el miembro de unión no se mantiene de forma suficiente lo que resulta en una tendencia a producirse un contacto defectuoso en la etapa temprana en donde la aleación de cobre tiene resistencia a la relajación de tensión inferior y la relajación dependiente del tiempo del esfuerzo residual se produce en la porción doblada o el esfuerzo residual en la porción doblada se relaja bajo un entorno a alta temperatura .

Por ejemplo, los Documentos de Patente 1 a 3 describen técnicas convencionales que se han propuesto como una solución para mejorar la resistencia SR de una aleación a base de Cu-Zn-Sn utilizada en componentes conductores tales como conectores. El Documento de Patente 4 propone una solución para mejorar la resistencia SR de una aleación a base de Cu-Zn-Sn para un bastidor de conductores.

El Documento de Patente 1 describe una mejora de la resistencia SR haciendo que la aleación a base de Cu-Zn- Sn contenga Ni, y de ese modo se generen compuestos a base de Ni-P. El Documento de Patente 1 también muestra que la adición de Fe también mejora la resistencia SR. En la propuesta descrita en el Documento de Patente 2, la resistencia, la elasticidad, y la resistencia al calor de la aleación se mejoran mediante la adición de Ni y Fe con P a una aleación a base de Cu-Zn-Sn. Aun cuando la resistencia SR no se describe directamente en el Documento de Patente 2, se considera que la mejora de la resistencia, la elasticidad, y la resistencia al calor significa una mejora de la resistencia SR.

Los inventores también confirmaron que la adición de Ni, Fe, y P a la aleación a base de Cu-Zn-Sn tal como se propone en los Documentos de Patente 1, 2 es eficaz en la mejora de la resistencia SR de la aleación. Sin embargo, las propuestas de los Documentos de Patente 1 y 2 simplemente consideran una cantidad individual de cada uno de Ni, Fe, y P. Como resultado de experimentos e investigación de los Inventores, se dejó en claro que la resistencia SR no se puede mejorar siempre de forma segura y suficiente solamente mediante el control de los contenidos individuales de estos elementos .

Por otra parte, la propuesta del Documento de Patente 3 describe que la resistencia SR se mejora mediante la adición de Ni a una aleación a base de Cu-Zn-Sn y el control de la relación Ni/Sn para estar dentro de un cierto intervalo. El Documento de Patente 3 también describe que la adición de una pequeña cantidad de F también es eficaz en la mejora de la resistencia SR.

Aun cuando el control de la relación Ni/Sn descrito en el Documento de Patente 3 realmente es eficaz en la mejora de la resistencia SR, el Documento de Patente 3 no describe nada acerca de una relación entre los compuestos de P y la resistencia SR. Tal como se describe en los Documentos de Patente 1 y 2, los compuestos de P pueden tener una fuerte influencia sobre la resistencia SR. En la propuesta del Documento de Patente 3, no se considera nada acerca de la relación entre la resistencia SR y el contenido de elementos tales como Fe y Ni que constituyen los compuestos de P. El estudio experimental de los inventores también dejó en claro que una mejora suficiente y segura de la resistencia SR no se podría lograr solamente mediante una constitución de acuerdo con el Documento de Patente 3.

El Documento de Patente 4 relacionado con un bastidor de conductores describe que la mejora de la resistencia SR se habilita mediante la adición de Ni y Fe con P a una aleación a base de Cu-Zn-Sn y de forma simultánea el control de la relación atómica de (Fe+Ni)/P para estar dentro del intervalo de 0.2 a 3, y con ello la generación de compuestos a base de Fe-P, compuestos a base de Ni-P, o compuestos a base de Fe-Ni-P.

Sin embargo, como resultado de estudios experimentales de los inventores, se dejó en claro que una mejora suficiente de la resistencia SR no se puede obtener solamente mediante el control de la cantidad total de Fe, Ni, P y la relación atómica de (Fe+Ni)/P tal como se describe en el Documento de Patente 4. Aunque la razón exacta no está clara, como resultado de experimentos e investigación de los inventores, se dejó en claro que el control de la relación Fe/Ni y la relación Sn/(Ni+Fe) es importante además del control de la cantidad total de Fe, Ni, y P y la relación (Fe+Ni)/P y que la resistencia SR no se puede mejorar de forma segura y suficiente sin controlar estas relaciones de contenido con un equilibrio apropiado.

Tal como se explicó anteriormente, de acuerdo con las técnicas convencionales que se han propuesto para la mejora de la resistencia SR de una aleación de cobre a base de Cu-Zn-Sn para componentes conductores de un dispositivo EE, el efecto de mejorar la resistencia SR no es todavía seguro y suficiente, y se demanda una mejora adicional. En el componente tal como un conector que tiene una porción doblada formada mediante el doblado de una placa delgada de aleación de cobre laminada, y se utiliza de tal manera que la proximidad de la porción doblada hace contacto con el miembro de unión, y el estado de contacto con el miembro de unión se mantiene mediante la propiedad elástica de la porción doblada, fenómenos defectuosos tales como el contacto defectuoso tienden a ocurrir en la etapa temprana si la presión de contacto con el miembro de unión no se mantiene como resultado de la relajación del esfuerzo residual en el tiempo o bajo un entorno a alta temperatura. Para evitar tal problema, un espesor grande del material se ha requerido en las técnicas convencionales, lo que resulta en un aumento del costo de materia prima, y un aumento de peso del componente.

DOCUMENTOS DE PATENTE Documento de Patente 1: Primera Publicación de Solicitud de Patente Japonesa sin Examinar No. H05-33087.

Documento de Patente 2: Primera Publicación de Solicitud de Patente Japonesa sin Examinar No .2006-283060.

Documento de Patente 3: Publicación de Patente Japonesa (Otorgada) No. 3953357.

Documento de Patente : Publicación de Patente Japonesa (Otorgada) No. 3717321.

DESCRIPCIÓN BREVE DE LA INVENCIÓN PROBLEMAS PARA SER RESUELTOS POR LA INVENCIÓN Tal como se explicó anteriormente, las aleaciones a base de Cu-Zn-Sn convencionales utilizadas como un sustrato de una tira de latón chapeada con Sn aún no tienen una resistencia SR suficiente y segura como un material para una placa delgada (tira) que se somete a doblado de tal manera que el contacto con el miembro conductor de unión se obtenga en la proximidad de la porción doblada, y se demanda fuertemente una mejora aún más segura y suficiente de la resistencia SR.

Con base en las circunstancias descritas anteriormente, un objetivo de la presente invención es proporcionar una aleación de cobre para un dispositivo EE, una placa delgada de aleación de cobre para un dispositivo EE que utiliza la misma aleación, un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo EE, un componente conductor para un dispositivo EE y terminales, la aleación de cobre tiene resistencia SR segura y suficiente tal como una aleación de cobre, específicamente una aleación de cobre a base de Cu-Zn-Sn, aplicada como componentes conductores para un dispositivo EE tales como conectores, otras terminales, una pieza conductora móvil de relés electromagnéticos, y bastidor de conductores, la aleación de cobre es capaz de tener un espesor menor como un material componente que la aleación convencional, tiene alta resistencia, y tiene excelentes propiedades tales como capacidad de flexión y conductividad.

MEDIOS PARA RESOLVER LOS PROBLEMAS Como resultado de experimentos e investigación exhaustivos de los inventores para resolver los problemas descritos anteriormente, se obtuvieron los siguientes hallazgos. Es decir, es importante no solamente agregar cantidades apropiadas de níquel (Ni) y hierro (Fe) y agregar una cantidad apropiada de fósforo (P) a la aleación a base de Cu-Zn-Sn mientras que al mismo tiempo se controla la cantidad individual de cada uno de los elementos de aleación, sino también controlar la relación relativa de Ni, Fe, P, y Sn en la aleación, específicamente Fe/Ni que muestra una relación de contenido de Fe y del contenido de Ni, (Ni+Fe) /P que muestra una relación de contenido total (Ni+Fe) de Ni y Fe y el contenido de P, y Sn/ (Ni+Fe) que muestra una relación de contenido de Sn y el contenido total (Ni+Fe) de Ni y Fe para estar en intervalos apropiados por relación atómica. Mediante la regulación descrita anteriormente de los elementos de aleación, precipitados que contienen Ni y/o Fe y P se generan de forma apropiada, y el diámetro de grano de cristal del material de matriz (cuerpo principal de fase a) se controla de forma apropiada. Como resultado, es posible lograr una aleación de cobre que se proporciona con una resistencia SR mejorada de forma segura y suficiente y que está provista de una resistencia mejorada, y que tiene excelentes propiedades tales como capacidad de flexión y conductividad que se requieren para conectores u otras terminales, una pieza conductora móvil de relés electromagnéticos, y un bastidor de conductores o similares. La presente invención se realizó con base en los hallazgos descritos anteriormente.

Adicionalmente, los inventores encontraron que la resistencia SR de la aleación se podría mejorar aún más mediante la adición de una cantidad apropiada de Co de forma simultánea con Ni, Fe, y P descritos anteriormente.

El aspecto (primero) básico de la presente invención es una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico que incluye: en % en masa, más de 2.0% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.005% o más y 0.10% o menos de P; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables, en donde una relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni, en relación atómica satisface 0.002=Fe/Ni<l .5, una relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , a P, en relación atómica satisface 3< (Ni+Fe) /P<15, una relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , en relaciones atómicas satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe) <5, un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µ?t?, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni.

De acuerdo con el aspecto básico descrito anteriormente de la presente invención, una aleación a base de Cu-Zn-Sn que tiene una microestructura con una cantidad apropiada de precipitados, que se precipitan de la matriz (principalmente una fase a) e incluyen P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni, se puede obtener mediante la adición de cantidades apropiadas de P y uno o más elementos seleccionados de Ni y Fe de forma simultánea además de una cantidad apropiada de Sn, y el control de relaciones de adición entre cada uno de Sn, Ni, Fe, y P de forma apropiada. Los precipitados que incluyen P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni se denominan en lo sucesivo como precipitados a base de [Ni, Fe]-P. Cuando el diámetro de grano de cristal promedio de la fase a de la matriz se ajusta en el intervalo de 0.1 a 50 µp? al mismo tiempo en la aleación a base de Cu-Zn-Sn que tiene una cantidad apropiada de los precipitados a base de [Ni, Fe]-P, una excelente característica de relajación anti-tensión (anti-SR) , una alta resistencia (carga de prueba) , y otras excelentes propiedades tales como la conductividad se pueden obtener. En muchas ocasiones, la resistencia SR no se puede mejorar de forma suficiente simplemente mediante el ajuste de las cantidades de contenido individuales de Sn, Ni, Fe, y P en intervalos predeterminados dependiendo de los contenidos de estos elementos en un material de trabajo. Además, las otras propiedades pueden ser insuficientes. De acuerdo con la presente invención, la resistencia SR se puede mejorar de forma confiable y suficiente y una resistencia satisfactoria (carga de prueba) se puede obtener al mismo tiempo mediante el control de las relaciones de contenido relativas de estos elementos en los intervalos definidos por cada una de las fórmulas descritas anteriormente .

Aquí, los precipitados a base de [Ni, Fe]-P significan precipitados ternarios a base de Ni-Fe-P o precipitados binarios a base de Fe-P o Ni-P. Los precipitados a base de [Ni, Fe] -P también podrían significar precipitados multicomponentes que incluyen otros elementos, tales como Cu, Zn, y Sn como componentes principales, y 0, S, C, Co, Cr, Mo, Mg, Mn, Zr, Ti, o similares como impurezas, además de los elementos principales mencionados anteriormente. Los precipitados a base de [Ni, Fe]-P existen en la forma de una aleación que disuelve un fosfuro o fósforo .

Una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el segundo aspecto de la presente invención es la aleación de cobre para el dispositivo EE de acuerdo con la aleación de cobre del primer aspecto, en donde un diámetro de grano promedio del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni es de 100 nm o menos .

La resistencia SR se puede mejorar de forma confiable y suficiente y una resistencia más satisfactoria (carga de prueba) se puede obtener al mismo tiempo mediante el control del diámetro de grano promedio del precipitado para ser de 100 nm o menos.

Una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el tercer aspecto de la presente invención es la aleación de cobre para el dispositivo EE de acuerdo con la aleación de cobre del segundo aspecto descrito anteriormente, en donde una densidad de precipitación del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni y que tiene el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos está en el intervalo de 0.001 a 1.0% en relación en volumen.

El ajuste de la densidad de precipitación del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni y que tiene el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos en el intervalo de 0.001 a 1.0% en relación en volumen también contribuye a la mejora de la resistencia SR y la resistencia de la aleación.

Una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el cuarto aspecto de la presente invención es la aleación de cobre de acuerdo con el primer aspecto descrito anteriormente, en donde el precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni tiene una estructura cristalina a base de Fe2P o una estructura cristalina a base de Ni2P.

De acuerdo con los experimentos e investigación detallados de los inventores, se encontró que la presencia de precipitados que tienen una estructura cristalina hexagonal del sistema Fe2P o sistema de NÍ2 o una estructura cristalina ortorrómbica del sistema Fe2P contribuye a la mejora de la resistencia de la aleación a través de la mejora de la resistencia SR y la miniaturización de los granos de cristal en los precipitados descritos anteriormente que contienen P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni.

Una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el quinto aspecto de la presente invención es una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico que incluye: en % en masa, más de 2% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.001% o más y menos de 0.10% de Co; 0.005% o más y 0.10% o menos de P; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables, en donde una relación de contenido de una suma de Fe y Co, (Fe+Co), a Ni, (Fe+Co)/Ni, en una relación atómica satisface 0.002 (Fe+Co) /Ni<l .5, una relación de contenido de una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co), a P, en una relación atómica satisface 3< (Ni+Fe+Co) /P<15 , una relación de contenido de Sn a una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co) , en relaciones atómicas satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co) <5, un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 pm, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co.

De acuerdo con el quinto aspecto de la presente invención, la resistencia SR y la resistencia se pueden mejorar aún más, permitiendo que la aleación tenga una microestructura con una cantidad apropiada de precipitados, que se precipitan de la matriz (principalmente una fase a) e incluyen P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co. Los precipitados que incluyen P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni y Co se denominan en lo sucesivo como precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P. La microestructura descrita anteriormente se puede obtener mediante la adición de cantidades apropiadas de P y uno o más elementos seleccionados de Ni, Fe, y Co de forma simultánea además de una cantidad apropiada de Sn, y el control de relaciones de adición entre cada uno de Sn, Ni, Fe, Co, y P de forma apropiada.

Aquí, los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P significan precipitados de sistema cuaternario de Ni-Fe-Co-P, precipitados de sistema ternario de Ni-Fe-P, Ni-Co-P, o Fe-Co-P, o precipitados de sistema binario de Fe-P, Ni-P, o Co-P. Además, los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P significan precipitados de sistema multicomponente que contienen, además de los elementos mencionados anteriormente, Cu, Zn, y Sn como componentes principales, y 0, S, C, Cr, Mo, Mg, n, Zr, Ti, o similares como impurezas. Por lo tanto, los precipitados a base de [Ni-Fe]-P mencionados anteriormente también pertenecen a los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P. Además, los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P existen en la forma de fosfuro o una aleación que disuelve fósforo.

En los aspectos sexto a octavo de la presente invención, la microestructura tal como los precipitados de la aleación que contiene Co del quinto aspecto de la presente invención se define de acuerdo con los aspectos segundo a cuarto mencionados anteriormente de la presente invención.

Una aleación de cobre para un dispositivo EE del sexto aspecto de la presente invención es la aleación de cobre para el dispositivo EE de acuerdo con el quinto aspecto descrito anteriormente, en donde un diámetro de grano promedio del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co es de 100 nm o menos .

Una aleación de cobre para un dispositivo EE del séptimo aspecto de la presente invención es la aleación de cobre para el dispositivo EE de acuerdo con el sexto aspecto descrito anteriormente, en donde una densidad de precipitación del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co, y que tiene el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos está en un intervalo de 0.001 a 1.0% en relación en volumen.

Una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el octavo aspecto de la presente invención es la aleación de cobre de acuerdo con cualquiera de los aspectos quinto a séptimo descritos anteriormente, en donde el precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co tiene una estructura cristalina a base de Fe2P o una estructura cristalina a base de Ni2P.

Una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el noveno aspecto de la presente invención es la aleación de cobre de acuerdo con cualquiera de los aspectos primero a octavo descritos anteriormente, en donde la aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico tiene una propiedad mecánica de tal manera que 0.2% de resistencia a la fluencia descentrada es de 300 MPa o más.

La aleación de cobre descrita anteriormente para el dispositivo EE que tiene una propiedad mecánica de tal manera que 0.2% de resistencia a la fluencia descentrada es de 300 MPa o más es aplicable de forma apropiada a componentes conductores tales como una pieza conductora móvil de relés electromagnéticos o un resorte de terminal que requiere una resistencia particularmente alta.

Un décimo aspecto de la presente invención es una placa delgada de aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico, la placa delgada de aleación de cobre está hecha de un material laminado de la aleación de cobre de acuerdo con cualquiera de los aspectos primero a noveno descritos anteriormente, en donde un espesor de la placa delgada de aleación de cobre está en un intervalo de 0.05 a 1.0 mm.

En la aleación de cobre de acuerdo con los aspectos primero a noveno descritos anteriormente de la presente invención y la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo EE de acuerdo con el décimo aspecto de la presente invención, una relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos puede ser de 70% o menos en la fase a, el valor CI se obtiene midiendo un área no menor de 1000 µp?2 mediante el método EBSD con intervalos de paso de 0.1 µp? y analizando los datos de medición con un software de análisis de datos OIM.

La placa delgada de aleación de cobre (tira) que tiene el espesor descrito anteriormente es aplicable de forma apropiada a conectores u otras terminales, una pieza conductora móvil de relés electromagnéticos, un bastidor de conductores o similares.

Una placa delgada de aleación de cobre de un undécimo aspecto de la presente invención es la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con el décimo aspecto anteriormente descrito, en donde una superficie de la placa delgada está chapeada con Sn.

En este caso, el sustrato base del chapeado de Sn está constituido por una aleación a base de Cu-Zn-Sn que contiene de 0.1 a 0.9% de Sn. Por lo tanto, se asegura una alta tasa de reciclaje mediante la recolección de componentes usados tales como conectores como chatarra de aleación a base de latón y placa de Sn.

En los aspectos duodécimo a décimo cuarto de la presente invención, se definen métodos de producción de una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico.

El duodécimo aspecto de la presente invención es un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico, el método incluye las etapas de: preparar un material de una aleación que contiene, en % en masa, más de 2.0% y 36.5% o menos de Zn, 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn, 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni, 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe, 0.005% o más y 0.10% o menos de P, y el resto consiste en Cu e impurezas inevitables, una relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni, en una relación atómica que satisface O .002=Fe/Ni<l .5 , una relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , a P, (Ni+Fe) /P, en una relación atómica que satisface 3< (Ni+Fe) /P<15, y una relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe), Sn/ (Ni+Fe), en una relación atómica que satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe ) <5 ; llevar a cabo un proceso en el material, el proceso incluye por lo menos un trabajo plástico y un tratamiento de calentamiento para la recristalización y la precipitación para transformar el material en una placa recristalizada con una estructura de recristalización y un espesor de placa predeterminado; y llevar a cabo trabajo plástico de acabado en la placa recristalizada con una relación de trabajo de 1 a 70 %, con lo cual se obtiene una aleación de cobre, en la cual un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µp?, una relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos es de 70% o menos, y un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni está incluido, el valor CI se obtiene midiendo un área no menor de 1000 µp?2 mediante el método EBSD con intervalos de paso de 0.1 µ?? y analizando los datos de medición con un software de análisis de datos OI .

El decimotercer aspecto de la presente invención es un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico, el método incluye las etapas de: preparar un material de una aleación que contiene, en % en masa, más de 2.0% y 36.5% o menos de Zn, 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn, 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni, 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe, 0.001% o más y menos de 0.1% de Co, 0.005% o más y 0.10% o menos de P, y el resto consiste en Cu e impurezas inevitables, una relación de contenido de una suma de Fe y Co, (Fe+Co), a Ni, (Fe+Co) /Ni, en una relación atómica que satisface 0.002= ( Fe+Co) /Ni<l .5 , una relación de contenido de una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co), a P, (Ni+Fe+Co) /P, en una relación atómica que satisface 3< (Ni+Fe+Co) /P<15, y una relación de contenido de Sn a una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co), Sn/ (Ni+Fe+Co) , en una relación atómica que satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co) <5 ; llevar a cabo un proceso en el material, el proceso incluye por lo menos un trabajo plástico y un tratamiento de calentamiento para la recristalización y la precipitación para transformar el material en una placa recristalizada con una estructura de recristalización y un espesor de placa predeterminado; y llevar a cabo trabajo plástico de acabado en la placa recristalizada con una relación de trabajo de 1 a 70 %, con lo cual se obtiene una aleación de cobre, en la cual un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 m, una relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos es de 70% o menos, y un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co está incluido, el valor CI se obtiene midiendo un área no menor de 1000 m2 mediante el método EBSD con intervalos de paso de 0.1 µt?? y analizando los datos de medición con un software de análisis de datos OI .

En la descripción anterior, el método EBSD se refiere al método de Patrones de Difracción de Electrones por Retrodispersión que utiliza un microscopio electrónico de barrido equipado con un sistema de formación de imágenes de difracción de electrones retrodispersados. También, OIM se refiere a un software de análisis de datos, Microscopía de Imágenes de Orientación, que se utiliza para el análisis de la orientación de los cristales utilizando datos de medición EBSD. El valor CI se refiere a un índice Confidencial (CI) que se despliega como un valor que muestra la confianza de la determinación de orientación de los cristales en el análisis que utiliza el software de análisis OIM Analysis (Ver. 5.3) en el aparato de EBSD (por ejemplo, se explica con más detalle en "Textbook of EBSD: Introduction to the use of OIM, 3a edición revisada, Seiichi SUZUKI, 9 de septiembre, TSL Solutions Ltd.") .

Cuando la microestructura en el punto de muestreo medido por EBSD y analizado por OIM es una estructura de deformación, la orientación de los cristales determinada tiene una confianza baja debido a que los patrones de cristal no son claros, lo que resulta en un valor CI bajo. Especialmente, cuando el valor CI es de 0.1 o menos, la microestructura en el punto de muestreo se puede considerar como una estructura de deformación. Cuando la relación de puntos de muestreo, que tienen un valor CI de 0.1 o menos es de 70% o menos y se consideran como la estructura deformada, dentro del área de medición de 1000 m2 o más, se puede concluir que una estructura de recristalización se mantiene prácticamente. En este caso, el deterioro de la capacidad de flexión debido a la estructura de deformación se puede evitar .

El decimocuarto aspecto de la presente invención es un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con el método de producción de una aleación de cobre del aspecto duodécimo o decimotercero descrito anteriormente, en donde el método comprende adicionalmente la etapa de realizar recocido de baja temperatura a de 50 a 800 °C durante 0.1 segundos a 24 horas después de la etapa de llevar a cabo trabajo plástico de acabado .

Mediante la realización de recocido de baja temperatura a de 50 a 800 °C durante 0.1 segundos a 24 horas después de la etapa de llevar a cabo trabajo de plástico de acabado, la resistencia SR se puede mejorar. Por lo tanto, se puede evitar la deformación del material tal como deformación debido a la tensión que reside en el material.

El decimoquinto aspecto de la presente invención es un componente conductor para un dispositivo electrónico/eléctrico que incluye una parte doblada hecha de la aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de los aspectos primero a noveno descritos anteriormente, en donde la parte doblada se presiona a una parte conductora de acoplamiento mediante la propiedad elástica de la parte doblada para asegurar una conductividad eléctrica a la parte conductora de acoplamiento.

El decimosexto aspecto de la presente invención es una terminal hecha de la aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de los aspectos primero a noveno descritos anteriormente.

El decimoséptimo aspecto de la presente invención es un componente conductor para un dispositivo electrónico/eléctrico que incluye una parte doblada hecha de la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con los aspectos décimo o undécimo descritos anteriormente, en donde la parte doblada se presiona a una parte conductora de acoplamiento mediante la propiedad elástica de la parte doblada para asegurar una conductividad eléctrica a la parte conductora de acoplamiento .

El decimoctavo aspecto de la presente invención es una terminal hecha de la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico, de acuerdo con los aspectos décimo y undécimo de la presente invención.

EFECTOS DE LA INVENCIÓN De acuerdo con la presente invención, se puede proporcionar una aleación de cobre utilizada para un componente conductor de un dispositivo electrónico/eléctrico, tales como un conector, otras terminales, una pieza conductora móvil de un relé electromagnético, un bastidor de conductores, y similares. La resistencia a la relajación de tensión de la lámina de cobre es excelente de forma confiable y suficiente. También, se permite obtener un material componente más delgado que la aleación convencional. La aleación de cobre tiene una alta resistencia, y otras caracteristicas tales como capacidad de flexión, conductividad eléctrica, y similares que son excelentes. Adicionalmente, mediante el uso de la aleación de cobre mencionada anteriormente, se pueden proporcionar una placa delgada de aleación de cobre para un dispositivo EE, un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo EE, un componente conductor y una terminal para un dispositivo EE .

DESCRIPCIÓN BREVE DE LAS FIGURAS La FIG. 1 es un diagrama de flujo que muestra un ejemplo de las etapas del proceso de producción de la aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con la presente invención.

La FIG. 2 es una fotografía de la microestructura de una aleación del Ejemplo No. 5 de acuerdo con la modalidad de la presente invención. La imagen de la microestructura se obtiene mediante un microscopio electrónico de transmisión (TEM) . La porción que incluye los precipitados está aumentada 150,000 veces.

La FIG. 3 es una fotografía de la microestructura de una aleación del Ejemplo No. 5 de acuerdo con la modalidad de la presente invención. La imagen de la microestructura se obtiene mediante un microscopio electrónico de transmisión (TEM) . La porción que incluye los precipitados está aumentada 750,000 veces.

La FIG. 4 es una fotografía de la microestructura de una aleación del Ejemplo No. 5 de acuerdo con la modalidad de la presente invención. La imagen de la microestructura se obtiene mediante un microscopio electrónico de transmisión (TEM) . La porción que incluye los precipitados está aumentada 500,000 veces.

La FIG. 5 es un gráfico que muestra un resultado de un análisis EDX (Espectroscopia de dispersión de energía de rayos X) del precipitado mostrado en la FIG. 4.

MEJOR MODO PARA LLEVAR A CABO LA INVENCIÓN La aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con la presente invención será explicada con más detalle a continuación.

La modalidad básica de la aleación de cobre de la presente invención es la siguiente. La aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico incluye: más de 2% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.005% o más y 0.10% o menos de P. Adicionalmente, como la relación de contenido entre los elementos descritos anteriormente, la relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni, en una relación atómica satisface la fórmula (1) a continuación. 0.002<Fe/Ni<1.5 (1) Adicionalmente, la relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , a P, en una relación atómica satisface la fórmula (2) a continuación. 3< (Ni+Fe) /P<15 (2) Adicionalmente, la relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe), en relaciones atómicas satisface la fórmula (3) a continuación. 0.3<Sn/ (Ni+Fe) <5 (3) El resto, excepto los elementos mencionados anteriormente, está constituido por Cu e impurezas inevitables .

Adicionalmente, como la condición de la microestructura, el diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µ??, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni. En lo sucesivo, los precipitados descritos anteriormente se denominan como precipitados a base de [Ni, Fe]-P.

Otra modalidad de la aleación de cobre de la presente invención es la siguiente. La aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico incluye 0.001% o más y menos de 0.10% de Co además de Zn, Sn, Ni, Fe, y P mencionados anteriormente. Adicionalmente, como la relación de contenido entre los elementos descritos anteriormente, la relación de contenido de una suma de Fe y Co, (Fe+Co), a Ni, (Fe+Co)/Ni, en una relación atómica satisface la fórmula (1') a continuación. 0.002< (Fe+Co) /Ni<l.5 (1') Adicionalmente, la relación de contenido de una suma de Ni, Fe, y Co, (Ni+Fe+Co) , a P, en una relación atómica satisface la fórmula (2') a continuación. 3< (Ni+Fe+Co) /P<15 (2') Adicionalmente, la relación de contenido de Sn a una suma de Ni, Fe, y Co, (Ni+Fe+Co) , en relaciones atómicas satisface la fórmula (3') a continuación. 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co) <5 (31) Adicionalmente, como la condición de la microestructura, el diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µp?, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co. En lo sucesivo, los precipitados descritos anteriormente se denominan como precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P.

Además de la modalidad básica y la otra modalidad descrita anteriormente, la modalidad que se explica a continuación también está dentro del alcance de la aleación de cobre para un dispositivo EE de la presente invención. La aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico incluye: en % en masa, más de 2% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% a 0.9% de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.005% a 0.10% de P; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; menos de 0.10% de Co; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables. Adicionalmente, la relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni, en una relación atómica satisface 0.002=Fe/Ni, la relación de contenido de una suma de Fe y Co, (Fe+Co) , a Ni, (Fe+Co)/Ni, en una relación atómica satisface (Fe+Co) /Ni<l .5, la relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , a P, en una relación atómica satisface 3< (Ni+Fe) /P, la relación de contenido de una suma de Ni, Fe, y Co, (Ni+Fe+Co) , a P, en una relación atómica satisface (Ni+Fe+Co) /P<15, la relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , en relaciones atómicas satisface Sn/ (Ni+Fe) <5, la relación de contenido de Sn a una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co) , en relaciones atómicas satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co) . Adicionalmente, el diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µp?, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co.

En primer lugar, se explican las razones para limitar la composición de elementos y la relación entre ellos en la aleación de cobre de la presente invención.

Zinc (Zn) : más de 2.0% y 36.5% o menos en % en masa : El Zn es un elemento de aleación fundamental en la aleación de cobre (latón) como materia objeto de la presente invención. El Zn es un elemento que es eficaz en la mejora de la resistencia y la propiedad elástica. Adicionalmente, el uso de Zn es eficaz en la reducción del costo del material para la aleación de cobre debido a que el Zn es más barato que el Cu. Si el contenido de Zn es de 2.0% o menos, el costo del material no se puede reducir de manera efectiva. Por otra parte, si el contenido de Zn es superior a 36.5%, se reduce la característica de relajación antitensión (anti-SR) de la aleación de cobre. Por lo tanto, llega a ser difícil obtener suficiente resistencia SR incluso si Fe, Ni, y P se agregan a la aleación de cobre de acuerdo con la presente invención tal como se explica a continuación. Adicionalmente, la resistencia a la corrosión de la aleación de cobre se reduce, y la laminabilidad en frío y la capacidad de flexión se deterioran debido a la generación de una fase ß en una gran cantidad. Por lo tanto, la cantidad de Zn se establece para estar en el intervalo de más de 2.0% y 36.5% o menos. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una cantidad preferible de Zn es de 4.0 a 36.5%. Más preferiblemente, está en el intervalo de 8.0 a 32.0%. Incluso de manera más preferible, está en el intervalo de 8.0 a 27.0%.

Estaño (Sn) : 0.1% o más y 0.9% o menos en % en masa La adición de Sn es eficaz en la mejora de la resistencia. La adición de Sn a la aleación de latón de materia prima como material de un dispositivo EE contribuye a la mejora del rendimiento de reciclaje del material de latón chapeado con Sn. Adicionalmente, se encontró que la coexistencia de Sn con Ni y Fe contribuye a la mejora de la resistencia SR de la aleación de cobre con base en la investigación llevada a cabo por los inventores de la presente invención y otros. Cuando el contenido de Sn es de menos de 0.1%, los efectos descritos anteriormente no se pueden obtener de forma suficiente. Cuando el contenido de Sn es superior a 0.9%, la trabajabilidad en caliente y la laminabilidad en frió de la aleación de cobre se deterioran, provocando con ello la posibilidad de aparición de grietas durante la laminación en caliente o la laminación en frió, y dando como resultado la reducción de la conductividad. Por lo tanto, la cantidad de Sn se establece en el intervalo de 0.1% o más y 0.9% o menos.

Dentro del intervalo descrito anteriormente, un contenido de Sn preferible está preferiblemente en el intervalo de 0.2% o más y 0.8% o menos.

Níquel (Ni) : 0.05% o más y menos de 1.0% en % en masa El Ni es un elemento característico adicional en la presente invención así como Fe y P. Es posible producir la precipitación de precipitados a base de [Ni, Fe]-P de la matriz (principalmente compuestos de una fase a) mediante la coexistencia de Ni con Fe y P mediante la adición de una cantidad apropiada de Ni a la aleación a base de Cu-Zn-Sn. Adicionalmente, es posible producir la precipitación de precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P de la matriz (principalmente compuestos de una fase a) mediante la coexistencia de Ni con Fe, Co, y P. Mediante la presencia de estos precipitados a base de [Ni, Fe]-P o precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P, es posible reducir el diámetro de grano de cristal promedio de la matriz y con lo cual se aumenta la resistencia de la aleación de cobre mediante el efecto de fijación de los limites de grano durante el proceso de recristalización. Adicionalmente, también es posible mejorar la capacidad de flexión y la resistencia al agrietamiento por corrosión bajo tensión reduciendo de esta manera el diámetro de cristal promedio de la matriz. Además, la resistencia SR se mejora significativamente mediante la presencia de estos precipitados. Adicionalmente, al hacer que el Ni coexista con Sn, Fe, Co, y P, es posible mejorar las propiedades de la aleación de cobre no solamente mediante la mejora de la característica de anti-SR por los precipitados sino también mediante el endurecimiento por solución. Cuando la cantidad de Ni es de menos de 0.05%, la resistencia SR no se puede mejorar de forma suficiente. Por otra parte, cuando la cantidad de Ni agregado es de 1.0% o más, el exceso de Ni se disuelve en la aleación de cobre lo que da como resultado el deterioro de la conductividad, y el aumento del costo debido a la cantidad aumentada de Ni costoso de Ni en la materia prima. Por lo tanto, la cantidad de adición de Ni se define en el intervalo de 0.05% o más y menos de 1.0%. Dentro del intervalo descrito anteriormente, la cantidad preferible de adición de Ni está en el intervalo de 0.05% o más y menos de 0.8%.

Hierro (Fe) : 0.001% o más y menos de 0.10% en % en masa El Fe es un elemento característico adicional en la presente invención así como Ni y P. Es posible producir la precipitación de precipitados a base de [Ni, Fe]-P de la matriz (principalmente compuestos de una fase a) mediante la coexistencia de Fe con Ni y P mediante la adición de una cantidad apropiada de Fe a la aleación a base de Cu-Zn-Sn. Adicionalmente, es posible producir la precipitación de precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P de la matriz (principalmente compuestos de una fase a) mediante la coexistencia de Fe con Ni, Co, y P. Mediante la presencia de estos precipitados a base de [Ni, Fe]-P o precipitados a base de [Ni, Fe, Co] -P, es posible reducir el diámetro de grano de cristal promedio de la matriz y con lo cual se aumenta la resistencia de la aleación de cobre mediante el efecto de fijación de los límites de grano durante el proceso de recristalización. Adicionalmente, también es posible para mejorar la capacidad de flexión y la resistencia al agrietamiento por corrosión bajo tensión reduciendo de esta manera el diámetro de grano de cristal promedio. Adicionalmente, la resistencia SR se mejora significativamente mediante la presencia de estos precipitados. Cuando la cantidad de Fe es de menos de 0.001%, una resistencia suficiente no se puede obtener debido a un efecto insuficiente de fijación de los limites de grano de cristal. Por otra parte, cuando la cantidad de Fe agregado es de 0.10% o más, la resistencia de la aleación de cobre no se mejora aún más, y el exceso de Fe se disuelve en la aleación de cobre lo que resulta en el deterioro de la conductividad y el deterioro de la trabajabilidad en frío. Por lo tanto, la cantidad de adición de Fe está definida en el intervalo de 0.001% o más y menos de 0.10%. Dentro del intervalo descrito anteriormente, la cantidad preferible de adición de Fe está en el intervalo de 0.005% o más y 0.08% o menos .

Cobalto (Co) : 0.001% o más y menos de 0.10% en % en masa Aunque el Co no es un elemento esencial adicional, la adición de una cantidad pequeña de Co con Ni, Fe, y P produce la generación de precipitados a base de [Ni Fe, Co,]-P lo que resulta en una mejora adicional de la resistencia SR. Cuando la cantidad de adición de Co es de menos de 0.001%, no se puede obtener una mejora adicional de la resistencia SR mediante el efecto de la adición de Co. Por otra parte, cuando la cantidad de Co agregado es 0.10% o más, Co en exceso se disuelve en la aleación de cobre lo que resulta en el deterioro de la conductividad, y el aumento del costo debido a la cantidad aumentada de Co caro en la materia prima. Por lo tanto, la cantidad de Co en el caso de agregar Co está definida en el intervalo de 0.005% o más y menos de 0.10%. En el intervalo descrito anteriormente, la cantidad de adición de Ni se controla preferiblemente en el intervalo de 0.005% o más y 0.08% o menos. Incluso si el Co no se agrega intencionadamente, menos de 0.001% de Co se puede agregar como una impureza.

Fósforo (P) : 0.005% o más y 0.10% o menos El P tiene una fuerte capacidad de unión a Fe, Ni, y Co. Es posible producir la precipitación de precipitados a base de [Ni, Fe]-P haciendo que la aleación de cobre contenga una cantidad apropiada de P con Fe y Ni. Adicionalmente, es posible producir la precipitación de precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P haciendo que la aleación de cobre contenga una cantidad apropiada de P con Fe, Ni, y Co . Mediante la presencia de estos precipitados, es posible mejorar la resistencia SR de la aleación de cobre. Cuando la cantidad de P es de menos de 0.005%, es difícil formar precipitados a base de [Ni, Fe]-P o precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P de forma suficiente, lo que resulta en una mejora insuficiente de la resistencia SR de la aleación de cobre. Por otra parte, cuando la cantidad de P es superior a 0.10%, P en exceso se disuelve en la aleación, lo que resulta en la reducción de la conductividad y el deterioro de la laminabilidad, con lo cual se produce una tendencia a aparecer grietas en el proceso de laminación en frío. Por lo tanto, la cantidad de P se definió para estar en el intervalo de 0.005% o más y 0.10% o menos. Dentro del intervalo descrito anteriormente, la cantidad preferible de P está en el intervalo de 0.01% o más y 0.08% o menos.

El P es un elemento que a menudo está contaminado inevitablemente de la materia prima de la colada de cobre. Por lo tanto, es deseable seleccionar la materia prima de la colada de forma apropiada con el fin de controlar la cantidad de P para estar en el intervalo descrito anteriormente .

En general, el resto proveniente de los elementos descritos anteriormente se puede controlar para ser Cu e impurezas inevitables. Los ejemplos de las impurezas inevitables incluyen g, Al, n, Si, (Co) , Cr, Ag, Ca, Sr, Ba, Se, Y, Hf, V, Nb, Ta, o, W, Re, Ru, Os, Se, Te, Rh, Ir, Pd, Pt, Au, Cd, Ga, In, Li, Ge, As, Sb, Ti, TI, Pb, Bi, S, O, C, Be, N, H, Hg, B, Zr, elemento de tierras raras y similares. Preferiblemente, la cantidad total de las impurezas inevitables es de 0.3% en masa o menos.

En la aleación de cobre para un dispositivo EE de acuerdo con la presente invención, es importante no solamente controlar el intervalo individual de la cantidad de cada uno de los elementos de aleación para estar en el intervalo descrito anteriormente, sino también definir la relación relativa de los contenidos de cada uno de los elementos de tal manera que las fórmulas (1) a (3) anteriormente descritas o las fórmulas (l1) a (3') anteriormente descritas se satisfagan. Las siguientes son razones para establecer las fórmulas (1) a (3) y (1') a (3' ) .

Fórmula (1): 0.002<Fe/Ni<l .5 De acuerdo con los experimentos meticulosos de los inventores, se encontró que la relación Fe/Ni tenia una gran influencia sobre la resistencia SR y que la resistencia SR se podía mejorar de forma suficiente solamente cuando la relación Fe/Ni está en un intervalo específico. Es decir, los inventores encontraron que la mejora suficiente de la resistencia SR se podía obtener cuando la relación relativa de Fe a Ni se controló para estar en el intervalo de 0.002 o más y menos de 1.5 mientras que se hace que Fe y Ni coexistan y se controlan los contenidos individuales de Fe y Ni en el intervalo descrito anteriormente. La resistencia SR de la aleación se deteriora cuando la relación Fe/Ni es de 1.5 o más, y la resistencia de la aleación se deteriora cuando la relación Fe/Ni es de menos de 0.002. Adicionalmente, cuando la relación Fe/Ni es de menos de 0.002, materia prima de Ni caro se utiliza en una cantidad relativamente grande, lo que resulta en un aumento en el costo de producción. Por lo tanto, la relación Fe/Ni se definió en el intervalo descrito anteriormente. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una relación Fe/Ni preferible está en el intervalo de 0.005 o más y 1 o menos. Una relación Fe/Ni aún más preferible está en el intervalo de 0.005 o más y 0.5 o menos.

Fórmula (2): 3< (Ni+Fe) /P<15 Los precipitados a base de [Ni, Fe]-P se generan mediante la coexistencia de Ni y Fe con P, y la resistencia SR de la aleación se mejora mediante la distribución dispersa de los precipitados a base de [Ni, Fe]-P. Por otra parte, cuando P en exceso está contenido en relación con (Ni+P) , la resistencia SR se deteriora debido a un aumento de las fracciones de Ni y Fe disueltas en la aleación. Por lo tanto, es importante controlar la relación (Ni+Fe) /P con el fin de mejorar la resistencia SR de forma suficiente. Cuando la relación (Ni+Fe) /P es de menos de 3, la resistencia SR de la aleación de cobre se deteriora de acuerdo con la fracción aumentada de P sólido-solubilizado . Adicionalmente, el agrietamiento tiende a ocurrir en el proceso de laminación en frió debido al deterioro de la laminabilidad, y la capacidad de flexión también se reduce. Por otra parte, cuando la relación (Ni+Fe) /P es de 15 o más, la conductividad de la aleación de cobre se reduce debido al aumento de la fracción de sólido- Ni y Fe solubilizados . Por lo tanto, la relación (Ni+Fe)/P se definió para estar en el intervalo descrito anteriormente. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una relación (Ni+Fe) /P preferible está en el intervalo de más de 3 y 12 o menos.

Fórmula (3): 0.3<Sn/ (Ni+Fe ) <5 Tal como se describió anteriormente, el Sn contribuye a la mejora de la resistencia SR cuando el Sn coexiste con Ni y Fe. El efecto de mejora de la resistencia SR no se ejerce a menos que la relación Sn/ (Ni+Fe) esté en el intervalo especifico. Cuando la relación Sn/ (Ni+Fe) es de 0.3 o menos, no se ejerce suficiente resistencia SR. Por otra parte, cuando la relación Sn/ (Ni+Fe) es de 5 o más, la cantidad de los precipitados a base de [Ni, Fe]-P se reduce debido al contenido de (Ni+Fe) relativamente pequeño, lo que resulta en el deterioro de la resistencia SR. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una relación Sn/ (Ni+Fe) preferible está en el intervalo de más de 0.3 y 2.5 o menos. Una relación Sn/ (Ni+Fe) aún más preferible está en el intervalo de más de 0.3 y 1.5 o menos.

Fórmula (1'): 0.002< ( Fe+Co) /Ni<l .5 Cuando se agrega Co en la aleación, se interpreta que una cantidad parcial de Fe se reemplaza por Co. Por lo tanto, la fórmula (1') es básicamente de acuerdo con la Fórmula (1) . Cuando se agrega Co a la aleación de cobre además de Fe y Ni, la resistencia SR se ve afectada significativamente por la relación (Fe+Co)/Ni. Solamente cuando la relación (Fe+Co)/Ni está dentro de un intervalo especifico, se puede obtener una mejora suficiente de la resistencia SR. Por lo tanto, los inventores de la presente invención encontraron que no solamente permitir que Ni, Fe, y Co coexistan y controlar las cantidades de contenido de Fe, Ni, y Co tal como se describió anteriormente, sino también establecer la relación de contenido de una suma de Fe y Co, (Fe+Co) , a Ni, (Fe+Co)/ni, en una relación atómica dentro del intervalo de 0.002 o más y menos de 1.5 es esencial para obtener una mejora suficiente de la resistencia SR. La resistencia SR de la aleación se deteriora cuando la relación Fe/Ni es de 1.5 o más, y la resistencia de la aleación se deteriora cuando la relación Fe/Ni es de menos de 0.002. Adicionalmente, cuando la relación Fe/Ni es de menos de 0.002, materia prima de Ni caro se utiliza en una cantidad relativamente grande, lo que resulta en un aumento del costo de producción. Por lo tanto, la relación Fe/Ni se definió en el intervalo descrito anteriormente. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una relación Ni/Fe preferible está en el intervalo de 0.005 o más y 1 o menos. Una relación Ni/Fe más preferible está en el intervalo de 0.005 o más y 0.5 o menos.

Fórmula (2'): 3< (Ni+Fe+Co) /P<15 Cuando se agrega Co en la aleación, la fórmula (2') es básicamente de acuerdo con la Fórmula (2). Por lo tanto, los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P se generan mediante la coexistencia de Ni, Fe, y Co con P y la resistencia SR de la aleación se mejora mediante la distribución dispersa de los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P. Por otra parte, cuando P en exceso está contenido en relación con (Ni+Fe+Co) , la resistencia SR se deteriora debido a un aumento de la relación de P sólido-solubilizado . Por lo tanto, es importante controlar la relación (Ni+Fe+Co) /P con el fin de mejorar la resistencia SR de forma suficiente. Cuando la relación (Ni+Fe+Co) /P es de menos de 3, la resistencia SR de la aleación de cobre se deteriora de acuerdo con la fracción aumentada de P sólido-solubilizado. Adicionalmente, el agrietamiento tiende a ocurrir en el proceso de laminación en frió debido al deterioro de la laminabilidad, y la capacidad de flexión también se reduce. Por otra parte, cuando la relación (Ni+Fe+Co) /P es de 15 o más, la conductividad de la aleación de cobre se reduce debido al aumento de la fracción de Ni, Fe, y Co sólidos-solubilizados . Por lo tanto, la relación (Ni+Fe+Co) /P se definió para estar en el intervalo descrito anteriormente. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una relación (Ni+Fe+Co) /P preferible está en el intervalo de más de 3 y 12 o menos.

Fórmula (3'): 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co ) <5 Cuando se agrega Co en la aleación, la Fórmula (3') es básicamente de acuerdo con la Fórmula (3) . Por lo tanto, el Sn contribuye a la mejora de la resistencia SR cuando el Sn coexiste con Ni, Fe, y Co. El efecto de mejora de la resistencia SR no se ejerce a menos que la relación Sn/ (Ni+Fe+Co) esté en el intervalo especifico. Cuando la relación Sn/ (Ni+Fe+Co) es de 0.3 o menos, no se ejerce suficiente resistencia SR. Por otra parte, cuando la relación Sn/ (Ni+Fe+Co) es de 5 o más, la cantidad de los precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P se reduce debido a un contenido de (Ni+Fe+Co) relativamente pequeño, lo que resulta en el deterioro de la resistencia SR. Dentro del intervalo descrito anteriormente, una relación Sn/ (Ni+Fe+Co) preferible está en el intervalo de más de 0.3 y 2.5 o menos. Una relación Sn/ (Ni+Fe+Co) aún más preferible está en el intervalo de más de 0.3 y 1.5 o menos.

Cuando cada cantidad de contenido individual de cada elemento de aleación se establece tal como se ha descrito, y las relaciones de contenido entre los elementos se establecen para satisfacer las fórmulas (1) a (3) o las fórmulas (l1) a (3') en la aleación de cobre para un dispositivo EE, los precipitados a base de [Ni, Fe]-P o precipitados a base de [Ni, Fe, Co]-P se dispersan y precipitan en la matriz (p incipalmente una fase a) . Se cree que la resistencia SR se mejora al tener los precipitados dispersos y precipitados.

Además de ajustar la composición tal como se describió anteriormente, es importante definir el diámetro de grano de cristal promedio de la matriz en un intervalo de 0.1 a 50 µp\ en la aleación de cobre para un dispositivo EE de la presente invención. Se sabe que el diámetro de grano de cristal tiene efectos sobre la resistencia SR en cierto grado. En general, cuanto menor es el diámetro de grano de cristal, inferior es la resistencia SR. Por otra parte, la resistencia y la capacidad de flexión se mejoran cuando el diámetro de grano de cristal se hace más corto. En la aleación de la presente invención, una excelente resistencia SR se puede asegurar mediante el ajuste de la composición de elementos y las relaciones entre los elementos de forma apropiada. Por lo tanto, la resistencia y la capacidad de flexión se pueden mejorar mediante la reducción del diámetro de grano de cristal. Aquí, la resistencia y la capacidad de flexión se pueden mejorar mientras que se mantiene la resistencia SR, si el diámetro de grano de cristal promedio está en el intervalo de 0.1 µp? o más a 50 µp? o menos en el proceso después del tratamiento térmico de acabado para la recristalización y la precipitación durante el proceso de producción. Cuando el diámetro de grano de cristal promedio es superior a 50 µ??, una resistencia y una capacidad de flexión suficientes no se pueden obtener. Cuando el diámetro de grano de cristal promedio es de menos de 0.1 pm, se vuelve difícil asegurar la resistencia SR incluso si la composición de elementos y las relaciones de contenido entre los elementos se ajustan de forma apropiada. Un diámetro de grano de cristal promedio preferible para mejorar el equilibrio entre la resistencia SR, la resistencia, y la capacidad de flexión, está en el intervalo de 0.5 a 20 µ?t?. Más preferiblemente, está en el intervalo de 0.5 a 5 pm. Aquí, el diámetro de grano de cristal promedio significa el diámetro de grano promedio de los cristales en la matriz de la aleación, que es materia objeto de la presente invención. La matriz es la fase a que incluye Cu como la mayoría y Zn y Sn sólidos-dispersos.

Adicionalmente, es importante que existan precipitados a base de [Ni, Fe]-P o precipitados a base de [Ni, Fe, Co] -P en la aleación de cobre para un dispositivo EE de la presente invención. Con base en la investigación de los inventores de la presente invención, se ha encontrado que estos precipitados forman un cristal hexagonal (grupo espacial: P-62m (189)), que es la estructura cristalina a base de Fe2P o a base de NÍ2P, o un cristal rómbico (grupo espacial: P-rma (62)), que es la estructura cristalina a base de e2P- Adicionalmente, es preferible que el diámetro promedio de estos precipitados sea de 100 nm o menos, haciendo que sean precipitados finos. Mediante la presencia de los precipitados finos, la resistencia y la capacidad de flexión de la aleación de cobre se pueden mejorar debido a la miniaturización de los cristales mientras que conserva la excelente resistencia SR. Cuando el diámetro promedio de los precipitados es superior a 100 nm, se reduce su contribución a la mejora de la resistencia y de la resistencia SR.

Adicionalmente, es preferible que la relación de los precipitados finos que tienen el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos en la aleación de cobre para un dispositivo EE de la presente invención sea de 0.001% o más y 1% o menos en relación en volumen. Cuando la relación en volumen de los precipitados finos que tienen el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos es de menos de 0.001%, se hace difícil asegurar la excelente resistencia SR en la aleación de cobre. Además, se hace difícil obtener la resistencia y la capacidad de flexión mejoradas de forma suficiente. Por otra parte, cuando la relación en volumen es superior a 1%, la capacidad de flexión de la aleación de cobre se deteriora. Una relación preferible de los precipitados finos que tienen el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos está en el intervalo de 0.005% a 0.5%. Más preferiblemente, está en el intervalo de 0.01% a 0.2%.

Adicionalmente, es preferible que en los granos de cristal de la fase a que contiene Cu, n, y Sn, una relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos sea de 70% o menos cuando el valor CI se obtiene midiendo un área no menor de 1000 µ??2 mediante el método EBSD con intervalos de paso de 0.1 µp? y analizando los datos de medición con un software de análisis de datos OIM. La razón de eso se describe a continuación.

Como un tratamiento para mejorar la carga de prueba como un producto de aleación de cobre, es preferible llevar a cabo el trabajo plástico de acabado como el proceso final tal como se explica más adelante en la explicación del método de producción. Este es un tratamiento para mejorar la carga de prueba como el producto de aleación de cobre, y el método de trabajo no está particularmente limitado. Sin embargo, si la forma final del producto es en una forma de placa o una forma de tira, el proceso de laminación se aplica normalmente. Posteriormente, si el trabajo plástico de acabado se lleva a cabo mediante el proceso de laminación, los granos de cristal se deforman para extenderse en la dirección paralela con respecto a la dirección de laminación.

El valor CI (índice de Confianza) se obtiene mediante el análisis con el software de análisis OIM instalado en un aparato EBSD, el valor CI es vuelve bajo cuando el patrón de cristal en el punto de muestreo no es claro. Cuando el valor CI es de 0.1 o menos, la microestructura se considera como una estructura de deformación. Adicionalmente, cuando la relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos es de 70% o menos, la microestructura recristalizada se mantiene prácticamente, y la capacidad de flexión no se deteriora.

Aquí, cuando el trabajo plástico de acabado se lleva a cabo mediante el proceso de laminación, la superficie de medición para el método EBSD es la superficie perpendicular con respecto a la dirección del ancho de laminación (sección vertical) , que es la superficie TD (Dirección Transversal) . Cuando el trabajo plástico de acabado se lleva a cabo mediante un proceso distinto del proceso de laminación, una sección vertical junto con la dirección de trabajo principal se utiliza como la superficie de medición de acuerdo con la superficie TD en el caso del proceso de laminación.

Cuando el trabajo se lleva a cabo de tal manera que la relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos es más de 70%, la tensión introducida durante el proceso de trabajo se vuelve demasiado fuerte y la capacidad de flexión se podría deteriorar.

Las partes hechas de la aleación de cobre de la presente invención, tal como la placa delgada de aleación de cobre para un dispositivo EE de la presente invención, tienen las características definidas por el valor CI descrito anteriormente en términos de los granos de cristal de la matriz (fase a) .

A continuación, un ejemplo preferible del método de producción de la aleación de cobre descrita anteriormente para un dispositivo EE de la presente modalidad se explica con referencia al diagrama de flujo mostrado en la FIG. 1.

[Proceso de Fusión y Colada: SOI] En primer lugar, una colada de aleación de cobre que tiene la composición tal como se describió anteriormente se funde. Es preferible utilizar 4NCu con una pureza del 99.99% o más, por ejemplo el cobre libre de oxígeno, como el material de cobre en la materia prima de fusión. Sin embargo, en su lugar se puede utilizar chatarra como materia prima .

A continuación, la colada de aleación de cobre que tiene la composición ajustada es colada mediante un método de colada apropiado, tal como el método de colada de tipo discontinuo utilizando un molde, el método de colada continuo, el método de colada semi-continuo, y similares, para obtener un lingote (lingote en forma de placa o similar) .

[Proceso de Calentamiento: S02] Posteriormente, si es necesario, el tratamiento de homogeneización para homogeneizar la microestructura del lingote mediante la resolución de la segregación en el lingote se lleva a cabo como el proceso de calentamiento S2 en el lingote. La condición para el tratamiento de homogeneización no está particularmente limitada. En general, es suficiente calentar el lingote a de 600 a 950 °C durante 5 minutos a 24 horas. Cuando la temperatura para el tratamiento de homogeneización es de menos de 600 °C, o el tiempo para el tratamiento de homogeneización es de menos de 5 minutos, es posible que no se pueda obtener un efecto de homogeneización suficiente. Cuando la temperatura es superior a 950 °C, o el tiempo es más largo de 24 horas, simplemente aumenta el costo de producción. La condición de enfriamiento después del tratamiento de homogeneización se puede ajusfar de manera apropiada. En general, es suficiente llevar a cabo revenido con agua. Si es necesario, se lleva a cabo fresado de superficies.

[Trabajo en Caliente: S03] A continuación, un trabajo en caliente se puede llevar a cabo en el lingote después del proceso de calentamiento S02 descrito anteriormente para hacer el procesamiento de material crudo más eficiente y la homogeneización de la microestructura . La condición para el proceso de trabajo en caliente no está particularmente limitada. En general, una condición preferible es que: la temperatura de inicio sea de 600 950 °C, la temperatura final sea de 300 a 850 °C, y la tasa de procesamiento sea más o menos de 10 a 99%. El calentamiento del lingote hasta el comienzo del trabajo en caliente se puede superponer con el proceso de calentamiento S02 descrito anteriormente. En otras palabras, el proceso de trabajo en caliente se puede iniciar en el punto en donde la temperatura se reduce a la temperatura para iniciar el proceso de trabajo en caliente después del tratamiento de homogeneización sin enfriar el lingote a cerca de la temperatura ambiente. La condición de enfriamiento después del proceso de trabajo en caliente se puede ajustar de manera apropiada. En general, es suficiente llevar a cabo revenido con agua. Después del proceso de trabajo en caliente, si es necesario, se lleva a cabo fresado de superficies. El método para el trabajo en caliente no está particularmente limitado. En un caso en donde la forma final del producto es una placa o una tira, el lingote se lamina al espesor de placa de 0.5 a 50 mm mediante la aplicación de laminación en caliente. Cuando la forma final del producto es una forma de línea o una forma de barra, se pueden aplicar extrusión o laminación acanalada. Cuando la forma del producto final es una forma a granel, se pueden aplicar colada o prensado.

[Trabajo Plástico Intermedio: S04] El trabajo plástico intermedio se lleva a cabo en el lingote sometido al tratamiento de homogeneización en el proceso de calentamiento S02 tal como se describió anteriormente, o el material que se somete al trabajo en caliente (S03) tal como la laminación en caliente, adicionalmente si es necesario. La condición de temperatura para el trabajo plástico intermedio S04 no está particularmente limitada. Sin embargo, es preferible que la temperatura esté entre -200 °C a +200 °C, lo que significa que el tratamiento es trabajo en frió o trabajo en caliente. La tasa de procesamiento del trabajo plástico intermedio tampoco está particularmente limitada. Sin embargo, se establece en de 10 a 99% en general. El método de trabajo no está particularmente limitado. Sin embargo, cuando la forma del producto final es una forma de placa o una forma de tira, el trabajo se puede llevar a cabo mediante laminación en frió o laminación en caliente hasta que el espesor llega a ser aproximadamente de 0.02 a 25 mm mediante la aplicación de laminación. Cuando la forma del producto final es una forma de linea o una forma de barra, se pueden aplicar extrusión o laminación acanalada. Cuando la forma del producto final es una forma a granel, se pueden aplicar colada o prensado. Los procesos S02 a S04 se pueden repetir con el fin de tener el material totalmente solubilizado .

[Proceso de Tratamiento de Calentamiento Intermedio: S05] El proceso de tratamiento de calentamiento intermedio se lleva a cabo después del trabajo plástico intermedio (S04) que es trabajo en frió o trabajo en caliente, tal como laminación en frío. En el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio, el tratamiento de recristalización y el tratamiento de precipitación se llevan a cabo al mismo tiempo. Este proceso de tratamiento de calentamiento intermedio es un proceso crítico para la recristalización de la composición de aleación de cobre y para la precipitación de los precipitados dispersos a base de [Ni, Fe]-P o los precipitados dispersos a base de [Ni, Fe, Co]-P. Por lo tanto, se pueden aplicar las condiciones de la temperatura de calentamiento y del tiempo de calentamiento que permiten la formación de estos precipitados. En general, la condición de temperatura para el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio es de 200 a 800 °C y la condición de tiempo es de 1 segundo a 24 horas. Sin embargo, debido a que el diámetro de grano de cristal también tiene efectos sobre la resistencia SR en cierto grado tal como se explicó anteriormente, es preferible seleccionar la temperatura de calentamiento y el tiempo de calentamiento apropiados mediante la medición del diámetro de grano de cristal después del proceso de tratamiento de calentamiento intermedio. El proceso de tratamiento de calentamiento intermedio y el enfriamiento después del proceso tienen efectos sobre el diámetro de grano de cristal promedio del producto final. De esta manera, es preferible que las condiciones para el proceso y el enfriamiento mencionados anteriormente se seleccionen de forma apropiada de tal manera que el diámetro de cristal promedio en la fase a esté en el intervalo de 0.1 a 50 µp\.

Tal como se explica más adelante, la temperatura de calentamiento y el tiempo preferibles para el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio difieren dependiendo de los métodos de tratamiento térmico específicos.

En términos de los métodos específicos para el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio, se puede utilizar un horno de calentamiento de tipo discontinuo. En lugar de ello, el material se puede calentar de forma continua con una línea de recocido continuo. Una condición preferible para el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio es que la temperatura de calentamiento sea de 300 a 800 °C y el tiempo de calentamiento sea de 5 minutos a 24 horas cuando se utiliza el horno de calentamiento de tipo discontinuo. Una condición preferible para el proceso intermedio es que la temperatura de calentamiento alcanzada esté en el intervalo de 250 a 800 °C cuando se utiliza la línea de recocido continuo. El material no tiene que mantenerse en el intervalo en absoluto, o se mantiene en el intervalo de aproximadamente 1 segundo a 5 minutos. Es preferible que la atmósfera para el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio sea una atmósfera no oxidante (atmósfera de gas nitrógeno, atmósfera de gas interno, o atmósfera reductora) .

La condición de enfriamiento para el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio no está particularmente limitada. En general, el enfriamiento se puede realizar a una velocidad de enfriamiento de aproximadamente 2000 °C/seg a 100 °C/hora.

Si es necesario, el proceso de trabajo plástico intermedio S04 y el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio S05 explicados anteriormente se pueden repetir varias veces. De esta manera, por ejemplo, el primer tratamiento de calentamiento intermedio se puede llevar a cabo después de la primera laminación en frió como el primer trabajo plástico intermedio, y posteriormente el segundo tratamiento de calentamiento intermedio se lleva a cabo después de la segunda laminación en frío como el segundo trabajo plástico intermedio.

[Trabajo Plástico de Acabado: S06] El trabajo de acabado de aleación de cobre a la dimensión y forma finales se lleva a cabo después del proceso de tratamiento de calentamiento intermedio S05. El método de trabajo para el trabajo plástico de acabado no está particularmente limitado. Sin embargo, cuando la forma del producto final de la aleación de cobre es una forma de placa o una forma de tira, en general se aplica laminación (laminación en frío). En tal caso, la aleación de cobre se lamina al espesor de aproximadamente 0.05 a 1.0 mm. En lugar de ello, dependiendo de la forma del producto final, se pueden aplicar colada, prensado, laminación acanalada, o similares. La tasa de prensado se puede ajustar dependiendo del espesor final o de la forma del producto final. Sin embargo, una tasa de trabajo preferible es de 1 a 70%. Cuando la tasa de trabajo es de menos de 1%, la carga de prueba no se puede mejorar de forma suficiente. Cuando es más de 70%, la microestructura recristalizada se pierde prácticamente y se convierte en la estructura de deformación, lo que conduce a la capacidad de flexión reducida. Una tasa de trabajo más preferible es de 1 a 65%. Una tasa de trabajo aún más preferible es de 5 a 60%. Cuando el trabajo plástico de acabado se lleva a cabo mediante laminación, la tasa de laminación corresponde a la tasa de trabajo. Después del proceso de trabajo plástico de acabado, la aleación procesada se puede utilizar directamente como como un conector. Sin embargo, preferiblemente se somete en general al tratamiento térmico de acabado adicionalmente .

[Proceso de Tratamiento Térmico de Acabado: S07] Después del trabajo plástico de acabado, dependiendo de la necesidad, el proceso de tratamiento térmico de acabado S07 se lleva a cabo para la mejora de la resistencia SR, el recocido y curado a baja temperatura, o la eliminación de tensión residual. Es preferible que el proceso de tratamiento térmico de acabado se lleve a cabo a de 50 a 800 °C durante 0.1 segundos a 24 horas. Es posible que la tensión residual no se pueda eliminar de forma suficiente si el proceso de tratamiento térmico de acabado se lleva a cabo a menos de 50 °C, o durante menos de 0.1 segundos. Por otra parte, el costo de producción se incrementaría si el proceso de tratamiento térmico de acabado se lleva a cabo durante más de 24 horas. Cuando no se lleva a cabo el trabajo plástico de acabado S06, entonces el proceso de tratamiento térmico de acabado S07 se puede omitir .

Tal como se explicó anteriormente, se puede obtener el material de aleación a base de Cu-Zn-Sn en la forma del producto final. En el material de aleación, los precipitados dispersos a base de [Ni, Fe]-P o los precipitados dispersos a base de [Ni, Fe, Co] -P se precipitan de la fase madre, que es principalmente la fase a. Particularmente, cuando se aplica la laminación como el método de trabajo, se obtiene la placa delgada (un material de tira) de aleación a base de Cu-Zn-Sn con el espesor de aproximadamente 0.05 a 1.0 mm. Tal placa delgada se puede utilizar para un componente conductor para un dispositivo EE tal como es. Sin embargo, un chapeado de Sn con el espesor de aproximadamente 0.1 a 10 µt? se forma sobre un lado o ambos lados de la placa. Posteriormente, se utiliza como una tira de aleación de cobre con chapeado de Sn para un componente conductor de un dispositivo EE, tal como un conector, otra terminal, o similares. En tal caso, el método de chapeado de Sn no está particularmente limitado. Sin embargo, el chapeado elect olítico se puede aplicar de acuerdo con el método convencional. En lugar de ello, se puede llevar a cabo el tratamiento de reflujo después del chapeado electrolítico en algunos casos.

Tal como se describió anteriormente, el doblado se lleva a cabo en la placa delgada frecuentemente cuando la aleación de cobre para un dispositivo EE de la presente invención se utiliza para la producción de un conector u otra terminal de hecho. Además, la parte doblada se presiona a la parte conductora de acoplamiento mediante su propiedad elástica para asegurar una conductividad eléctrica a la parte conductora de acoplamiento cerca de la parte sometida al doblado en general. La aleación de cobre de la presente invención es adecuada para usarse en la modalidad descrita anteriormente .

Los resultados de los ensayos llevados a cabo para confirmar el efecto de la presente invención se muestran como Ejemplos de la presente invención y Ejemplos Comparativos. Estos Ejemplos son para explicar el efecto de la presente invención, y no para limitar el alcance de la presente invención mediante las configuraciones, los procesos, y las condiciones descritos en las explicaciones de los Ejemplos de la presente invención.

EJEMPLOS Primero, se llevó a cabo el proceso de fusión y colada SOI de la siguiente manera. Se prepararon materiales hechos de la aleación madre de Cu-40% de Zn y el cobre libre de oxigeno (AST B152 C10100) con una pureza del 99.99% en masa o más. Posteriormente, estos materiales se insertaron en el crisol de grafito de alta pureza. Posteriormente, se fundieron con un horno eléctrico en una atmósfera de gas 2. Posteriormente, cada elemento adicional se agregó en las coladas de aleación de cobre. De esta manera, las coladas de aleación que tienen las composiciones No. 1 a No. 58 mostradas en las Tablas 1 a 3 como Ejemplo de la presente invención y aquellas que tienen las composiciones No. 101 a 118 mostradas en la Tabla 4 como Ejemplo Comparativo se fundieron. Posteriormente, las coladas fundidas se vertieron en moldes de carbono para obtener lingotes. La dimensión del lingote es más o menos de 25 mm x 50 mm x 200 mm (espesor x ancho x largo) .

A continuación, se llevó a cabo revenido con agua en cada lingote en una atmósfera de gas Ar como el tratamiento de homogeneización (proceso de calentamiento S02) .

A continuación, se llevó a cabo la laminación en caliente como el trabajo en caliente S03. Específicamente, los lingotes se recalentaron para que la temperatura de inicio de la laminación en caliente fuera de 800 °C. Posteriormente, se llevó a cabo laminación en caliente, en la cual la tasa de laminación es de aproximadamente 50%, ajustando la dirección del ancho del lingote para ser la dirección de laminación. Posteriormente, se llevó a cabo revenido con agua a la temperatura final de laminación entre 300 a 700 °C. Posteriormente, se produjeron los materiales de laminación en caliente que tienen dimensiones de aproximadamente 11 mm x 160 mm x 100 mm (espesor x ancho x largo) después de llevar a cabo el corte y el rectificado de superficie de los materiales laminados en caliente y revenidos con agua.

Posteriormente, el trabajo plástico intermedio S04 y el proceso de tratamiento de calentamiento intermedio S05 se llevaron a cabo una vez, o se repitieron dos veces. Específicamente, en No. 1, Nos. 5-42, No. 45, No. 47, No. 48, y Nos.101-118 en las Tablas 5 a 8, se llevó a cabo el segundo tratamiento de calentamiento intermedio después de llevar a cabo la primera laminación en frío como el primer trabajo plástico intermedio. Posteriormente, se llevó a cabo el segundo trabajo plástico intermedio después de llevar a cabo la segunda laminación en frío como el segundo trabajo plástico intermedio. Por otra parte, en Nos. 2-4, No. 43, No. 44, No. 46, Nos. 49-58, y No. 101, se llevó a cabo el primer tratamiento de calentamiento intermedio después de llevar a cabo la primera laminación en frió como el primer trabajo plástico intermedio. Después de eso, no se llevó a cabo el segundo trabajo plástico intermedio (la segunda laminación en frío) o el segundo tratamiento de calentamiento intermedio.

Más específicamente, en Nos. 2-4, No. 43, No. 44, No. 46, Nos. 49-58, y No. 101, se llevó a cabo un tratamiento de calentamiento a de 200 a 800 °C durante un cierto período como el primer tratamiento de calentamiento intermedio para el tratamiento de recristalización y precipitación después de llevar a cabo la primera laminación en frío (el primer trabajo plástico intermedio) en la cual la tasa de laminación es de aproximadamente 90% o más. Posteriormente, se llevó a cabo revenido con agua. Posteriormente, los materiales laminados se cortaron y se sometieron a rectificado de superficie para eliminar el recubrimiento oxidado después del primer tratamiento de calentamiento intermedio y el revenido con agua. Posteriormente, se les aplicó trabajo plástico de acabado que se explica últimamente.

Por otra parte, en No. 1, Nos. 5-42, No. 45, No. 47, No. 48, y Nos. 102-118, se llevó a cabo un tratamiento de calentamiento a de 200 a 800 °C durante un cierto período como el primer tratamiento de calentamiento intermedio después de llevar a cabo la primera laminación en frío (el primer trabajo plástico intermedio) en la cual la tasa de laminación fue de aproximadamente 50 a 95%. Posteriormente, se sometieron a revenido con agua. Posteriormente, se llevó a cabo la segunda laminación en frío (el segundo trabajo plástico intermedio) en la cual la tasa de laminación fue de aproximadamente 50 a 95%. Posteriormente, adicionalmente, se llevó a cabo el segundo tratamiento de calentamiento intermedio a de 200 a 800 °C durante un cierto periodo de tal manera que el diámetro de grano de cristal promedio después del tratamiento de calentamiento llegó a ser de aproximadamente 10 µp? o menos. Posteriormente, se sometieron a revenido con agua. Posteriormente, los materiales laminados se cortaron y se sometieron a rectificado de superficie para eliminar el recubrimiento oxidado después de llevar a cabo el segundo tratamiento de calentamiento intermedio y el revenido con agua. Posteriormente, se les aplicó trabajo plástico de acabado que se explica últimamente .

En la etapa después del primero o segundo tratamiento de calentamiento intermedio, se midió el diámetro de grano de cristal promedio tal como se explica a continuación .

Cuando el diámetro de grano de cristal promedio fue superior a 10 pm, la superficie perpendicular con respecto a la linea normal de la superficie laminada de cada muestra, que es la superficie ND (Dirección Normal) , se fijó en la superficie de observación. La imagen fotográfica de la superficie NO se tomó en una dirección en donde la dirección de laminación corresponde a la dirección horizontal de la imagen con un microscopio óptico después del pulido espejo y grabado químico. Posteriormente, se realizó la observación dentro de un campo de visión de 1,000 veces (aproximadamente 300X200 µp2) . Posteriormente, el diámetro de grano de cristal promedio se calculó de acuerdo con el método de corte definido por JIS H 0501. En el método, dos conjuntos de cinco lineas con una longitud predeterminada se dibujaron en la imagen fotográfica, un conjunto en la dirección vertical y otro conjunto en la dirección horizontal. Posteriormente, se contó el número de granos de cristal completamente cortados. Posteriormente, el promedio del diámetro de grano de cristal se obtiene como el valor promedio de la longitud de corte.

Cuando el diámetro de grano de cristal promedio es de 10 µp? o menos, la superficie perpendicular con respecto a la dirección del ancho de laminación, que es la superficie TD, se fijó en la superficie de observación. Posteriormente, el diámetro de grano de cristal promedio se midió con un aparato de medición SEM-EBSD (Patrones de Difracción de Electrones por Retrodispersión) . Específicamente, el pulido y acabado se llevaron a cabo con una solución de sílice coloidal después de llevar a cabo el pulido mecánico con un papel de lija resistente al agua o granos de diamante abrasivos. Posteriormente, se irradió un haz de electrones sobre cada punto de medición (píxel) dentro del área de medición sobre la superficie de la muestra con un microscopio electrónico de barrido. Posteriormente, un límite que tiene 15° o más de diferencia de ángulo entre los puntos de medición contiguos fue asignado como el límite de grano de ángulo grande, y un límite que tiene 15° o menos de diferencia de ángulo entre los puntos de medición contiguos fue asignado el límite de grano de ángulo pequeño con base en el análisis de orientación mediante la difracción de electrones retrodispersados. Posteriormente, el mapa de límite de grano se realizó utilizando el límite de grano de ángulo grande. Posteriormente, el diámetro de grano de cristal promedio se calculó de acuerdo con el método de corte definido por JIS H 0501. En el método, dos conjuntos de cinco líneas con una longitud predeterminada se dibujaron en el mapa de límite de grano, un conjunto en la dirección vertical y otro conjunto en la dirección horizontal. Posteriormente, se contó el número de granos de cristal completamente cortados. Posteriormente, el diámetro de grano de cristal promedio se obtiene como el valor promedio de la longitud de corte.

Los diámetros de grano de cristal promedio medidos tal como se explicó anteriormente en la etapa después del primer tratamiento de calentamiento intermedio o el segundo tratamiento de calentamiento intermedio se muestran en las Tablas 5 a 8.

Posteriormente, la laminación de acabado se llevó a cabo como el trabajo plástico de acabado S06. Las tasas de laminación para la laminación de acabado se muestran en las Tablas 5-8.

Finalmente, las tiras de ensayo que tienen una dimensión de 0.25 mm x aproximadamente 160 irai (espesor x ancho) fueron producidas mediante revenido con agua y llevando a cabo corte y pulido de superficie después de llevar a cabo el tratamiento de calentamiento a de 200 a 350 °C como el tratamiento térmico de acabado SOI.

Se midieron la conductividad y la característica mecánica (carga de prueba) de estas tiras de ensayo. Además, se investigó la resistencia SR. También, se observó la microestructura . Los métodos de ensayo y medición para cada característica son tal como se explica a continuación. Los resultados del ensayo y medición se muestran en las Tablas 9 a 12.

[Característica mecánica] Una pieza de ensayo 13B que se definió por JIS Z 2201 se obtuvo de la tira de ensayo. Posteriormente, 0.2% de carga de prueba o0.2 se midió mediante el método de compensación de JIS Z 2241. La pieza de ensayo se obtuvo de tal manera que la dirección de tracción en el ensayo de tracción se ajustó para ser perpendicular con respecto a la dirección de laminación de la tira de ensayo.

[Conductividad] Una pieza de ensayo con una dimensión de 10 mm x 60 mm (ancho x largo) se obtuvo de la tira de ensayo. Posteriormente, la resistencia eléctrica se midió mediante el método de cuatro terminales. También, el volumen de la pieza de ensayo se midió mediante la medición de la dimensión de la pieza de ensayo con un micrómetro. Posteriormente, la conductividad se calculó a partir de la resistencia eléctrica y el volumen medidos. La pieza de ensayo se obtuvo de tal manera que la dirección longitudinal de la pieza de ensayo está en paralelo con respecto a la dirección de laminación de la tira de ensayo.

[Resistencia a la relajación de tensión] En el ensayo de la resistencia SR, se aplicó tensión con base en el método de acuerdo con el tipo tornillo ménsula. Posteriormente, se midió la tasa de tensión residual después de un cierto periodo de retención a 120 °C.

En el método, una pieza de ensayo (ancho: 10 mm) se obtuvo de cada tira de ensayo en la dirección perpendicular con respecto a la dirección de laminación. Posteriormente, la deformación inicial se fijó en 2 mm, y la longitud de alargado se ajustó para que la tensión de superficie máxima de la pieza de ensayo fuera el 80% de la carga de prueba. La tensión de superficie máxima mencionada anteriormente se puede obtener a partir de la fórmula mostrada a continuación.

Tensión de superficie máxima ( Pa) =1.5Et6o/Ls2 en donde, E: Factor de deflexión (MPa) T: espesor de la muestra (t=0.25 mm) d?: conjunto de deflexión inicial (2 mm) Ls: longitud de alargado (mm) .

Se midió la tasa de tensión residual con base en la forma curvada después de la retención durante 1,000 horas a 120 °C, y se evaluó la resistencia SR. Se calculó la tasa de tensión residual utilizando la fórmula mostrada a continuación .

Tasa de tensión residual ( % ) = ( l-5t/50) x 100 en donde, 8t: deformación permanente después de la retención durante 1,000 horas a 120 °C (mm) menos deformación permanente después de la retención durante 24 horas a temperatura normal (mm) d?: deformación inicial (mm) .

En términos de la evaluación de la resistencia SR, cuando la muestra contenia más de 2% y menos de 20% de Zn (muestras marcadas en la columna referenciada como "Evaluación de 2-20Zn" en las Tablas 9 a 12), una muestra que tiene la tasa de tensión residual mencionada anteriormente de 80% o más se evaluó como "A" (Excelente) . Del mismo modo, una muestra que tiene la tasa de tensión residual de 70% o más y menos de 80% se evaluó como "B" (Aceptable) . Una muestra que tiene la tasa de tensión residual de menos de 70% se evaluó como "C" (No aceptable) . Cuando la muestra contenia más de 20% y menos de 36.5% de Zn (muestras marcadas en la columna referenciada como "Evaluación de 20-30Zn" en las Tablas 9 a 12), una muestra que tiene la tasa de tensión residual mencionada anteriormente de 70% o más se evaluó como "A" (Excelente) . Del mismo modo, una muestra que tiene la tasa de tensión residual de 60% o más y menos de 70% se evaluó como "B" (Aceptable) . Una muestra que tiene la tasa de tensión residual de menos de 60% se evaluó como "C" (No aceptable) .

[Observación del grano de cristal] La superficie perpendicular con respecto a la dirección del ancho de laminación, que es la superficie TD (Dirección Transversal), se fijó en la superficie de observación. Posteriormente, el limite de grano de cristal y la distribución de orientación de grano de cristal se midieron tal como se explica a continuación utilizando un aparato de medición EBSD y un software de análisis OIM.

El pulido de acabado se llevó a cabo utilizando solución de sílice coloidal después de llevar a cabo el pulido mecánico con un papel de lija resistente al agua o granos de diamante abrasivos. Posteriormente, se llevó a cabo el análisis de la diferencia de orientación de grano de cristal utilizando un aparato de medición EBSD (Quanta FEG 450 fabricación por FEI Inc., OIM Data Collection fabricado por EDAX/TSL Inc. (actualmente AMETEK Inc.)) y el software de análisis (OIM Data Analysis ver. 5.3 desarrollado por EDAX/XTL Inc. (actualmente AMETEK Inc.)) en la condición en donde el voltaje de aceleración del haz de electrones fue de 20 JV, el intervalo de los puntos de muestreo fue de 0.1 µ? por paso, y el área de medición fue de 1,000 im2 o más. El valor CI para cada punto de muestreo se calculó mediante el software de análisis OIM, y los granos de cristal que tienen un valor CI de 0.1 o menos se excluyeron del análisis del diámetro de grano de cristal. En términos del límite de grano, el límite que tiene 15° o más de diferencia de ángulo entre los dos cristales contiguos se asignó como el límite de grano de ángulo grande, y el límite que tiene 15° o menos de diferencia de ángulo entre los dos cristales contiguos se asignó como el límite de grano de ángulo pequeño con base en la observación de la sección transversal de dos dimensiones. Mediante el uso del limite de grano de ángulo grande, se realizó el mapa del grano de cristal. Posteriormente, el diámetro de grano de cristal promedio se calculó de acuerdo con el método de corte definido por JIS H 0501. En el método, dos conjuntos de cinco lineas con una longitud predeterminada se dibujaron en el mapa de limite de grano, un conjunto en la dirección vertical y otro junto conjunto en la dirección horizontal. Posteriormente, se contó el número de granos de cristal completamente cortados. Posteriormente, el promedio del diámetro de grano de cristal se obtuvo como el valor medio de la longitud de corte.

En la descripción de la presente invención, el diámetro de grano de cristal promedio define aproximadamente los granos de cristal en la fase a. En la medición del diámetro de grano de cristal promedio descrita anteriormente, los cristales en fases distintas de la fase a, tal como la fase ß, no existieron. Sin embargo, cuando tales granos existieron, se excluyeron en el cálculo del diámetro de grano de cristal promedio.

[Observación de precipitados] La observación de precipitados se llevó a cabo en cada tira de ensayo utilizando un microscopio electrónico de tipo transmisión (TEM: H-800, HF-2000, y HF-2200 fabricado por Hitachi, Ltd., JEM-2010F fabricado por JEOL Ltd.) y aparato de análisis EDX (aparato de análisis EDX Vantage fabricado por Noran Inc.) tal como se describe a continuación .

En el Ejemplo No. 5 de la presente invención, los precipitados que tienen diámetros de grano de 10 a 100 nra se observaron con el aumento de 150,000 veces (el área del campo de observación es de aproximadamente 4 x 105 nm2) mediante el uso de TEM (FIG. 2) . También, los precipitados que tienen un diámetro de grano de 1 a 10 nm se observaron con el aumento de 750,000 veces (el área del campo de observación es de aproximadamente 2 x 104 nm2) (FIG. 3) .

Adicionalmente, se confirmó que los precipitados eran cristales hexagonales que tienen la estructura cristalina a base de Fe2P o a base de Ni2P o cristales rómbicos que tienen la estructura cristalina a base de Fe2P mediante difracción de haz de electrones de los precipitados que tienen un diámetro de grano de aproximadamente 20 nm. Aquí, el precipitado que se sometió a la difracción de haz de electrones corresponde a la parte en forma ovalada obscura en el centro de la FIG. 4.

El resultado del análisis de la composición del precipitado utilizando EDX (Espectroscopia de dispersión de energía de rayos X) se muestra en la FIG. 5. Con base en el resultado mostrado en la FIG. 5, se confirmó que el precipitado incluía Ni, Fe, y P, y pertenecía a un precipitado a base de [Ni, Fe]-P tal como se definió anteriormente .

[Fracción en volumen de los precipitados] Se calculó la fracción en volumen de los precipitados tal como se explica a continuación.

En primer lugar, el diámetro de circulo equivalente correspondiente al precipitado, que tenia un diámetro de grano de 10 a 100 nm principalmente en el campo de observación de un aumento de 150,000 veces mostrado en la FIG. 2, se obtuvo mediante el procesamiento de imágenes. Posteriormente, el diámetro de circulo equivalente correspondiente al precipitado, que tenia un diámetro de grano de 1 a 10 nm principalmente en el campo de observación de un aumento de 750, 000 veces mostrado en la FIG. 3, se obtuvo mediante el procesamiento de imágenes. Posteriormente, el tamaño y el volumen de cada precipitado se calcularon con base en los diámetros obtenidos. Posteriormente, la fracción en volumen total de los precipitados que tienen un diámetro de grano de 1 a 100 nm se obtuvo mediante la combinación de ambas fracciones de volumen. Además, el espesor del recubrimiento de la muestra se midió mediante el uso del método de contaminación. En este método de contaminación, la contaminación se adhirió sobre una parte de la muestra. Posteriormente, el espesor de la muestra t se determinó a partir de la fórmula a continuación mediante el uso de un aumento de la longitud de la contaminación cuando la muestra se inclinó ?°. t=AL/sen0 El espesor t obtenido mediante la fórmula se multiplicó por el área del campo de observación para obtener el volumen del campo observado. Posteriormente, la fracción en volumen se determinó a partir de la relación del volumen del campo observado al volumen total de los precipitados.

En términos del Ejemplo No. 5 de la presente invención, la fracción en volumen de los precipitados que tienen un diámetro de grano de 10 a 100 nm (fracción en volumen de los precipitados obtenidos en la observación con un aumento de 150,000 veces) fue de 0.07% tal como se muestra en la Tabla 13. Además, la fracción en volumen de los precipitados que tienen un diámetro de grano de 1 a 10 nm (fracción en volumen de los precipitados obtenidos en la observación con un aumento de 750,000 veces), fue de 0.05%. Por lo tanto, la fracción en volumen de los precipitados que tienen un diámetro de grano de 1 a 100 nm, que incluyen Fe, Ni, y P, y que tienen una estructura cristalina a base de Fe2P o a base de Ni2P, fue de 0.12% en total. Por lo tanto, estuvo en el intervalo de la fracción en volumen preferible de la presente invención.

En el otro Ejemplo de la presente invención, No. 4, No. 13, No. 17, y No. 18, se midieron las fracciones en volumen de los precipitados, estas estuvieron dentro del intervalo preferible de la fracción en volumen de la presente invención tal como se muestra en la Tabla 13.

[Valor CI] El pulido final se llevó a cabo en la superficie perpendicular con respecto a la dirección del ancho de la laminación de la tira de ensayo, que era la superficie TD (Dirección Transversal), después de llevar a cabo el pulido mecánico con un papel de lija resistente al agua o granos de diamante abrasivos. Posteriormente, se llevó a cabo el análisis de la diferencia de orientación de grano de cristal utilizando un aparato de medición EBSD (Quanta FEG 450 fabricación por FEI Inc., OIM Data Collection fabricado por EDAX/TSL Inc. (actualmente AMETEK Inc.)) y el software de análisis (OIM Data Analysis ver. 5.3 desarrollado por EDAX/XTL Inc. (actualmente AMETEK Inc.)) en la condición en donde el voltaje de aceleración del haz de electrones fue de 20 kV, el intervalo de los puntos de muestreo fue de 0.1 µta por paso, y el área de medición fue de 1,000 pm2 o más. Posteriormente, se calculó la relación de los puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos en relación con todos los puntos de muestreo. Para la medición de la relación, la relación se midió en 10 campos de observación diferentes que se seleccionaron como el campo de observación sin ninguna microestructura aberrante, y se expresaron como el valor promedio de ellos.

Esta medición del valor CI se llevó a cabo como una parte de la observación del diámetro de grano de cristal mencionada anteriormente.

Los resultados de las observaciones descritas anteriormente de las microestructuras y los resultados de cada evaluación se muestran en las Tablas 9-12.

[Tabla 1] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 2] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 3] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 4] [Ejemplo Comparativo] [Tabla 5] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 6] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 7] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 8] [Ejemplo Comparativo] [Tabla 9] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 10] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 11] [Ejemplo de la Presente Invención] [Tabla 12] [Ejemplo Comparativo] [Tabla 13] A continuación, se explican los resultados de la evaluación de cada muestra.

Los Nos. 1 a 17 son Ejemplos de la presente invención con base en una aleación de Cu-30Zn contiene aproximadamente 30% de Zn. El No. 18 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-25Zn que contiene aproximadamente 25% de Zn. El No. 19 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu- 20Zn que contiene aproximadamente 20% de Zn. Los Nos. 20 a 28 son Ejemplos de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn que contiene aproximadamente 15% de Zn. El No. 29 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-10Zn que contiene aproximadamente 10% de Zn. Los Nos. 30 a 38 son Ejemplos de la presente invención con base en una aleación de Cu-5Zn que contiene aproximadamente 5% de Zn. El No. 39 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-3Zn que contiene aproximadamente 3% de Zn. El No. 40 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-30Zn que contiene aproximadamente 30% de Zn. El No. 41 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-20-25Zn que contiene de 20 a 25% de Zn. El No. 42 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn que contiene aproximadamente 15% de Zn. Los Nos. 43 a 45 son Ejemplos de la presente invención con base en una aleación de Cu-5-10Zn que contiene de 5-10% de Zn. El No. 46 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-3Zn que contiene aproximadamente 3% de Zn. El No. 47 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-20-25Zn que contiene de 20 a 25% de Zn. El No. 48 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn que contiene aproximadamente 15% de Zn. El No. 49 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-5-10Zn que contiene de 5-10% de Zn. El No. 50 es un Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-3Zn que contiene aproximadamente 3% de Zn. Los Nos. 51 a 54 son Ejemplos de la presente invención con base en una aleación de Cu-5Zn que contiene aproximadamente 5% de Zn. Los Nos. 55 a 58 son Ejemplos de la presente invención con base en una aleación de Cu-10Zn que contiene aproximadamente 10% de Zn.

Además, el No. 101 es un Ejemplo Comparativo con base en una aleación de Cu-30Zn que contiene aproximadamente 30% de Zn y el diámetro de grano de cristal promedio fue superior al limite superior definido en la presente invención. Los Nos. 102-105 son Ejemplos Comparativos con base en una aleación de Cu-30Zn. Los Nos. 106 a 111 son Ejemplos Comparativos con base en una aleación de Cu-15Zn que contiene aproximadamente 15% de Zn. Los Nos. 112 a 117 son Ejemplos Comparativos con base en una aleación de Cu-5Zn que contiene aproximadamente 5% de Zn. El No. 118 es un Ejemplo Comparativo con base en una aleación de Cu-3Zn que contiene aproximadamente 3% de Zn.

Tal como se muestra en las Tablas 9 a 11, la resistencia SR fue excelente en los Ejemplos Nos. 1 a 58, en los cuales las cantidades de contenido de cada elemento estaban en el intervalo definido en la presente invención y la relación de contenido entre los elementos estuvo en el intervalo definido en la presente invención. Además, la conductividad fue de 20%IACS o más. Por lo tanto, se pueden utilizar para conectores y otros componentes de terminales de forma suficiente. Adicionalmente, se confirmó que la carga de prueba no fue particularmente inferior con respecto a los materiales convencionales.

Por otra parte, en los Ejemplos Comparativos Nos. 101 a 118, ya sea una de la resistencia SR o la resistencia (carga de prueba) fue inferior con respecto a los Ejemplos de la presente invención tal como se muestra en la Tabla 12.

De manera más especifica, en el Ejemplo Comparativo No. 101, la carga de prueba fue inferior debido a que el diámetro de grano de cristal promedio fue grande y superior a 50 ym.

Además, en el Ejemplo Comparativo No. 102, la aleación fue una aleación a base de Cu-30Zn en la cual no se agregaron Sn, Ni, Fe, y P, y la resistencia SR fue inferior, además de una carga de prueba baja, con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-30Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 103, la aleación fue una aleación a base de Cu-30Zn en la cual las relaciones de contenido (Ni+Fe)/P y Sn/(Ni+Fe), además de la relación Fe/Ni, estuvieron fuera del intervalo definido en la presente invención.

En el Ejemplo Comparativo No. 104, la aleación fue una aleación a base de Cu-3Zn en la cual la relación Fe/Ni estuvo fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la resistencia SR fue inferior.

En el Ejemplo Comparativo No. 105, la aleación fue una aleación a base de Cu-30Zn en la cual la relación Fe/Ni estuvo fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de presente invención con base en una aleación de Cu-30Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 106, la aleación fue una aleación a base de Cu-15Zn en la cual no se agregaron Sn, Ni, Fe, y P. En este caso, la resistencia SR además de la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 107, la aleación fue una aleación a base de Cu-15Zn en la cual no se agregaron Ni, Fe, y P. En este caso, la resistencia SR además de la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 108, la aleación fue una aleación a base de Cu-15Zn en la cual no se agregaron Ni y Fe . En este caso, la resistencia SR además de la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 109, la aleación fue una aleación a base de Cu-15Zn en la cual las relaciones de contenido (Ni+Fe)/P y Sn/(Ni+Fe), además de la relación Fe/Ni, estuvieron fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la resistencia SR fue inferior .

En el Ejemplo Comparativo No. 110, la aleación fue una aleación a base de Cu-15Zn en la cual la relación Fe/Ni estuvo fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la resistencia SR fue inferior.

En el Ejemplo Comparativo No. 111, la aleación fue una aleación a base de Cu-15Zn en la cual no se agregó Fe. En este caso, la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-15Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 112, la aleación fue una aleación de Cu-5Zn en la cual no se agregaron Sn, Ni, Fe, y P. En este caso, la resistencia SR además de la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-5Zn.

En los Ejemplos Comparativos Nos. 113 y 114, las aleaciones fueron una aleación a base de Cu-5Zn en la cual no se agregaron Ni, Fe, y P, y una aleación a base de Cu-5Zn en la cual no se agregaron Ni y Fe, respectivamente. En estos casos, la resistencia SR además de la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-5Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 115, la aleación fue una aleación a base de Cu-5Zn en la cual la relación de contenido (Ni+Fe)/P, además de la relación Fe/Ni, estuvo fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la resistencia SR fue inferior.

En el Ejemplo Comparativo No. 116, la aleación fue una aleación a base de Cu-5Zn en la cual la relación de contenido Fe/Ni estuvo fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la resistencia SR fue inferior .

En el Ejemplo Comparativo No. 117, la aleación fue una aleación a base de Cu-5Zn en la cual la relación de contenido (Ni+Fe)/P, además de la relación Fe/Ni, estuvo fuera del intervalo definido en la presente invención. En este caso, la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-5Zn.

En el Ejemplo Comparativo No. 118, la aleación fue una aleación a base de Cu-3Zn en la cual no se agregaron Sn, Ni, Fe, y P. En estos casos, la resistencia SR además de la carga de prueba fue inferior con respecto al Ejemplo de la presente invención con base en una aleación de Cu-3Zn.

APLICACIÓN INDUSTRIAL De acuerdo con la presente invención, se puede proporcionar una aleación de cobre a base de Cu-Zn-Sn gue tiene una alta resistencia y otras propiedades excelentes, tales como capacidad de flexión, conductividad eléctrica, y similares. Además, se puede proporcionar una parte de aleación de cobre, tal como una placa delgada y similar hecha de la aleación de cobre mencionada anteriormente. La aleación de cobre se puede utilizar de forma adecuada para un conector, otras terminales, una pieza conductora móvil de un relé electromagnético, una parte de un dispositivo electrónico/eléctrico para un bastidor de conductores o similares .

Claims (30)

REIVINDICACIONES

1. Una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende: en % en masa, más de 2.0% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.005% o más y 0.10% o menos de P; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables, en donde una relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni, en una relación atómica satisface 0.002=Fe/Ni<l .5, una relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , a P, en una relación atómica satisface 3< (Ni+Fe) /P<15, una relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , en relaciones atómicas satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe) <5, un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µp?, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni.

2. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 1, en donde un diámetro de grano promedio del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni es de 100 nm o menos.

3. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 2, en donde una densidad de precipitación del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni y que tiene el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos está en un intervalo de 0.001 a 1.0% en relación en volumen.

4. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde el precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni tiene una estructura cristalina a base de Fe2P o una estructura cristalina a base de Ni2P.

5. Una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende: en % en masa, más de 2% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.001% o más y menos de 0.10% de Co; 0.005% o más y 0.10% o menos de P; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables, en donde una relación de contenido de Fe y Co, (Fe+Co), a Ni, (Fe+Co) /Ni, en una relación atómica satisface 0.002< (Fe+Co) /Ni<1.5, una relación de contenido de una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co) , a P, en una relación atómica satisface 3< (Ni+Fe+Co) /P<15, una relación de contenido de Sn a una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co) , en relaciones atómicas satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co) <5, un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µ??, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co.

6. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 5, en donde un diámetro de grano promedio del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co es de 100 nm o menos.

7. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 6, en donde una densidad de la precipitación del precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co, y que tiene el diámetro de grano promedio de 100 nm o menos está en un intervalo de 0.001 a 1.0% en relación en volumen .

8. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 5 a 7, en donde el precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co tiene una estructura cristalina a base de Fe2P o una estructura cristalina a base de Ni2P.

9. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, en donde la aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico tiene una propiedad mecánica de tal manera que 0.2% de resistencia a la fluencia descentrada es de 300 MPa o más.

10. Una placa delgada de aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico, la placa delgada de aleación de cobre está hecha de un material laminado de la aleación de cobre de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, en donde un espesor de la placa delgada de aleación de cobre está en un intervalo de 0.05 a 1.0 mm.

11. La placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 10, en donde una superficie de la placa delgada está chapeada con Sn.

12. Un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico, el método comprende las etapas de: preparar un material de una aleación que contiene, en % en masa, más de 2.0% y 36.5% o menos de Zn, 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn, 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni, 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe, 0.005% o más y 0.10% o menos de P, y el resto consiste en Cu e impurezas inevitables, una relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni, en una relación atómica que satisface 0.002=Fe/Ni<l .5, una relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) , a P, (Ni+Fe) /P, en una relación atómica que satisface 3< (Ni+Fe) /P<15, y una relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe), Sn/ (Ni+Fe) , en una relación atómica que satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe) <5; llevar a cabo un proceso en el material, el proceso incluye por lo menos un trabajo plástico y un tratamiento de calentamiento para la recristalización y la precipitación para transformar el material en una placa recristalizada con una estructura de recristalización y un espesor de placa predeterminado; y llevar a cabo trabajo plástico de acabado en la placa recristalizada con una relación de trabajo de 1 a 70 con lo cual se obtiene una aleación de cobre, en la cual un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µ??, una relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos es de 70% o menos, y un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni está incluido, el valor CI se obtiene midiendo un área no menor de 1000 µ?p2 mediante el método EBSD con intervalos de paso de 0.1 µ?t? y analizando los datos de medición con un software de análisis de datos OIM.

13. Un método de producción de una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico, el método comprende las etapas de: preparar un material de una aleación que contiene, en % en masa, más de 2.0% y 36.5% o menos de Zn, 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn, 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni, 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe, 0.001% o más y menos de 0.1% de Co, 0.005% o más y 0.10% o menos de P, y el resto consiste en Cu e impurezas inevitables, una relación de contenido de una suma de Fe y Co, (Fe+Co) , a Ni, (Fe+Co)/Ni, en una relación atómica que satisface 0.002= (Fe+Co) /Ni<l .5, una relación de contenido de una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co), a P, (Ni+Fe+Co) /P, en una relación atómica que satisface 3< (Ni+Fe+Co) /P<15, y una relación de contenido de Sn a una suma de Ni, Fe, y Co (Ni+Fe+Co), Sn/ (Ni+Fe+Co) , en una relación atómica que satisface 0.3<Sn/ (Ni+Fe+Co) <5 ; llevar a cabo un proceso en el material, el proceso incluye por lo menos un trabajo plástico y un tratamiento de calentamiento para la recristalización y la precipitación para transformar el material en una placa recristalizada con una estructura de recristalización y un espesor de placa predeterminado; y llevar a cabo trabajo plástico de acabado en la placa recristalizada con una relación de trabajo de 1 a 70 con lo cual se obtiene una aleación de cobre, en la cual un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µp?, una relación de puntos de muestreo que tienen un valor CI de 0.1 o menos es de 70% o menos, y un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe, Ni, y Co está incluido, el valor CI se obtiene midiendo un área no menor de 1000 µp?2 mediante el método EBSD con intervalos de paso de 0.1 µ?t? y analizando los datos de medición con un software de análisis de datos OIM.

14. El método de producción de una aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 12 o 13, en donde el método comprende además la etapa de llevar a cabo recocido a baja temperatura a de 50 a 800 °C durante 0.1 segundos a 24 horas después de la etapa de llevar a cabo trabajo plástico de acabado.

15. Un componente conductor para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende una parte doblada hecha de la aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 1 o 5, en donde la parte doblada se presiona a una parte conductora de acoplamiento mediante la propiedad elástica de la parte doblada para asegurar una conductividad eléctrica a la parte conductora de acoplamiento.

16. Una terminal hecha de la aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 1 o 5.

17. Un componente conductor para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende una parte doblada hecha de la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 10, en donde la parte doblada se presiona a una parte conductora de acoplamiento mediante la propiedad elástica de la parte doblada para asegurar una conductividad eléctrica a la parte conductora de acoplamiento.

18. Un componente conductor para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende una parte doblada hecha de ]a placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 11, en donde la parte doblada se presiona a una parte conductora de acoplamiento mediante la propiedad elástica de la parte doblada para asegurar una conductividad eléctrica a la parte conductora de acoplamiento.

19. La terminal hecha de la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 10.

20. La terminal hecha de la placa delgada de aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con la reivindicación 11.

21. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde, en % en masa, una cantidad de contenido de Fe es de 0.064% o menos en % en masa.

22. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 5 a 7, en donde, en % en masa, una cantidad de contenido de Fe es de 0.064% o menos en % en masa.

23. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde la relación de contenido (Ni+Fe) a P, en una relación atómica satisface 5.1= (Ni+Fe) /P <15.

2 . La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 5 a 7, en donde la relación de contenido (Ni+Fe+Co) a P, en una relación atómica satisface 5.1< (Ni+Fe+Co) /P<15.

25. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde la relación de contenido Fe/Ni, en una relación atómica satisface 0.002=Fe/Ni<0.5.

26. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 5 a 7, en donde la relación de contenido (Fe+Co)/Ni, en una relación atómica satisface 0.002<Fe/Ni<0.5.

27. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde la cantidad de contenido de Zn es de 32.5% o menos en % en masa.

28. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 5 a 7, en donde la cantidad de contenido de Zn es de 32.5% o menos en % en masa.

29. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde la cantidad de contenido de Zn es de 8.0 a 32.0% en % en masa.

30. La aleación de cobre para el dispositivo electrónico/eléctrico de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 5 a 7, en donde la cantidad de contenido de Zn es de 8.0 a 32.0% en % en masa.