MX352545B - Aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, placa delgada de aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, metodo de produccion de una aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, componente conductor y terminal para dispositivo electronico/electrico. - Google Patents

Aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, placa delgada de aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, metodo de produccion de una aleacion de cobre para dispositivo electronico/electrico, componente conductor y terminal para dispositivo electronico/electrico.

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Abstract

Lo que se proporciona es una aleación de cobre para un dispositivo electrónico/eléctrico que comprende: en % en masa, más de 2% y 36.5% o menos de Zn; 0.1% o más y 0.9% o menos de Sn; 0.05% o más y menos de 1.0% de Ni; 0.001% o más y menos de 0.10% de Fe; 0.005% o más y 0.10% o menos de P; y el resto siendo Cu e impurezas inevitables, en donde una relación de contenido de Fe a Ni, Fe/Ni satisface 0.002=Fe/Ni<1.5, una relación de contenido de una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe), a P satisface 3<(Ni+Fe)/P<15, una relación de contenido de Sn a una suma de Ni y Fe, (Ni+Fe) satisface 0.3<Sn/(Ni+Fe)<5, un diámetro de grano de cristal promedio de una fase a. que contiene Cu, Zn, y Sn está en un intervalo de 0.1 a 50 µm, y la aleación de cobre incluye un precipitado que contiene P y uno o más elementos seleccionados de Fe y Ni.
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