KR980006316A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것으로, 전하 저장전극을 형성하기 위한 콘택홀 형성 후 질화막을 선택적으로 마스크 패턴으로 콘택홀 측벽에 형성하여 전하 저장전극을 통하여 발생되는 누설전류량을 방지하므로써 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 제2d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 소정의 공정을 통하여 접합영역 및 게이트 전극과 그 전체 상부면에 제1 및 제2절연막이 형성된 실리콘기판에 상기 접합영역이 노출되도록 상기 제2 및 제1절연막을 시작하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판의 전체 상부면에 질화막을 형성한 후 마스크를 이용하여 상기 콘택홀의 양 측면에만 상기 질화막이 남도록 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판의 전체 상부면에 폴리시리콘층을 형성한 후 패터닝하여 전하 저장전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막은 1000내지 2000A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022826A KR980006316A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022826A KR980006316A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006316A true KR980006316A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022826A KR980006316A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006316A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022826A patent/KR980006316A/ko not_active Application Discontinuation
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