KR980005437A - 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
제1 금속막과 제2 금속막으로 적층된 구조의 게이트전극을 형성할때 게이트 절연막에 손상을 주지않고 패터닝할 수 있는 반도체장치의 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판상에 게이트 절연막을 소정두께로 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 위에 제1 금속막 및 제2 금속막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제2 금속막 위에 소정 크기의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 이를 식각마스크로 적용하여 상기 제2 금속막을 건식 식각하여 상기 제1 금속막을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 제1 금속막에 대하여 습식식각을 실시함으로써, 패터닝된 제1 금속막과 제2 금속막으로 구성된 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극을 중심으로 양족의 반도체기판내에 소오스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 제1 금속막과 제2 금속막이 적충된 게이트전극 구조를 형성함에 있어서 건식식각과 습식식각을 병행하여 실시함으로써, 종래 건식식각을 이용한 게이트전극의 형성시 발생되던 게이트절연막의 손상을 방지할 수 있게 되어 게이트절연막의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1d도는 본 발명에 따른 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정순서도이다.
Claims (3)
- 반도체기판상에 게이트절연막을 소정두께로 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 제1 금속막 및 제2 금속막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2 금속막 위에 소정 크기의 포토레지스턴 패턴을 형성한 후 이를 식각마스크로 적용하여 상기 제2 금속막을 건식 식각하여 상기 제1 금속막을 노출시키는 단계; 상기 노출된 제1 금속막에 대하여 습식식각을 실시함으로써, 패터닝된 제1 금속막과 제2 금속막으로 구성된 게이트전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트전극을 중심으로 양쪽의 반도체기판 내에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 금속막은 티타늄나이트라이드 혹은 텅스텐나이트라이드를 200Å 이하의 두께로, 제2 금속막은 텅스텐을 500Å 이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 습식식각은 130℃에서 황산과 과수가 6:1로 섞인 농도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960020368A KR980005437A (ko) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960020368A KR980005437A (ko) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005437A true KR980005437A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66284222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960020368A KR980005437A (ko) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 금속성분의 게이트전극을 구비한 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005437A (ko) |
-
1996
- 1996-06-07 KR KR1019960020368A patent/KR980005437A/ko not_active Application Discontinuation
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