KR970071804A - 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 Download PDF

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KR970071804A
KR970071804A KR1019960010213A KR19960010213A KR970071804A KR 970071804 A KR970071804 A KR 970071804A KR 1019960010213 A KR1019960010213 A KR 1019960010213A KR 19960010213 A KR19960010213 A KR 19960010213A KR 970071804 A KR970071804 A KR 970071804A
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semiconductor memory
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Inventor
오종훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 잡음 펄스성의 어드레스 입력시에도 정상 펄스 폭의 정상적인 어드레스 입력시와 거의 같은 펄스 폭의 컬럼 패스 구동 신호를 발생시킴으로써, 종래의 어드레스 천이 검출 회로에서 발생한 불충분한 구동에 의한 오동작을 방지시킨 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.

Description

어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 일실시예에 의한 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 DRAM의 부분회로도, 제6도 내지 제7도는 제5도에 도시된 지연 회로부의 상세 회로도 및 동작 파형도.

Claims (4)

  1. 적어도 2개 이상의 어드레스를 갖고 각 어드레스마다 어드레스 천이 검출회로를 구성한 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 각 어드레스에 해당하는 어드레스 천이 검출회로는, 상기 어드레스를 버퍼링하여 출력하는 어드레스 버퍼수단과, 상기 어드레스 버퍼수단으로부터의 신호를 일정시간동안 지연시켜 출력하는 제1출력 단자와, 상기 어드레스 버퍼수단으로부터의 신호를 반전시키는 제1인버터 수단과, 상기 제1인버터 수단으로부터 출력된 펄스 신호를 입력으로 하여 이 펄스 신호의 펄스폭과 거의 같거나 큰 펄스폭을 가지는 펄스 신호를 출력하는 신호지연수단과, 상기 신호지연수단으로부터의 신호를 반전시키는 제2인버터 수단과, 상기 어드레스 버퍼수단 및 신호지연수단으로부터의 신호를 논리연산하여 출력하는 제1논리연산수단과, 상기 제1 및 제2인버터 수단으로부터의 신호를 논리연산하여 출력하는 제2논리연산수단과, 상기 제1 및 제2논리연산수단으로부터의 신호를 논리연산하여 제2출력 단자로 출력하는 제3논리연산수단과, 상기 각 어드레스 천이 검출회로부의 제2출력 단자로부터의 출력 신호를 입력으로 하여 이중 한개 이상의 출력 신호가 전이될 때마다 선택적으로 같은 모양의 출력을 발생시키는 OR논리조합수단과, 상기 OR논리조합수단으로부터의 펄스 신호를 입력으로 하여 입력 펄스 신호보다 펄스 폭이 큰 펄스 신호를 출력하는 펄스확장수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 펄스확장수단은 짝수개의 CMOS 인버터를 체인으로 연결한 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신호지연수단은 짝수개의 CMOS 인버터를 체인으로 연결한 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3논리연산수단은 NAND 게이트인 것을 특징으로 하는 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960010213A 1996-04-04 1996-04-04 어드레스 천이 검출회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 KR970071804A (ko)

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