KR970071785A - 다수개의 승압전압 발생기를 갖는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

다수개의 승압전압 발생기를 갖는 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 칩내에 다수개의 승압전압 발생기를 구비하여야 하는 경우라도 다수개의 승압전압을 차례로 발생하여 각각 공급하므로써 파워업시 칩 내부회로의 래치업 현상을 방지할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 제1전원전압을 소정 레벨로 승압시키는 하나 이상의 승압전압 발생기와 상기 승압전압 발생기의 승압전압과 상기 제1전원전압을 입력으로 하여 동작하는 내부회로들을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 승압전압 발생기에 상기 제1전원전압을 공급하는 전원공급노드와 하나 이상의 상기 내부회로에 제1전원전압을 공급하는 전원공급노드 사이에 양단이 접속되며 상기 승압전압 발생기의 승압전압으로 제어되는 전압강하 수단을 가짐을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

다수개의 승압전압 발생기를 갖는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 일실시예로써 전원전압 발생기의 구성블럭도, 제8도는 제7도에서의 파워업시 셋업 특성을 보여주는 도면, 제9도는 본 발명의 다른 실시예로써 승압전압 발생기를 2개를 사용할 경우를 보여주는 구성블럭도, 제10도는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 다른 구조의 내부전원전압 발생기를 포함하는 전원전압 발생기의 구성블럭도.

Claims (6)

  1. 제1전원전압을 소정 레벨로 승압시키는 하나 이상의 승압전압 발생기와 상기 승압전압 발생기의 승압전압과 상기 제1전원전압을 입력으로 하여 동작하는 내부회로들을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 승압전압 발생기에 상기 제1전원전압을 공급하는 전원공급노드와 하나 이상의 상기 내부회로에 제1전원전압을 공급하는 전원공급노드 사이에 양단이 접속되며 상기 승압전압 발생기의 승압전압으로 제어되는 전압강하수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전원전압이 내부전원전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전압강하수단이 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전압강하수단이 다수개의 상기 승압전압 발생기로의 상기 제1전원전압을 공급하는 상기 전원공급노드 각각의 사이마다에 위치함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 외부로부터의 외부전원전압을 레벨강하된 내부전원전압을 발생하여 칩의 내부회로로 공급하는 내부전원 전압 발생기와, 사이 내부전원전압을 소정 레벨 승압하기 위한 승압전압 발생기와, 상기 승압전압 발생기로의 전원공급노드 각각의 사이마다에 위치하여 상기 내부전원전압을 레벨강하 하기 위한 전압강하수단을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 내부전원전압을 발생기의 출력단에 접속되어 상기 칩의 활성화시나 비활성화시에 항상 인에이블되어 상기내부전원전압을 소정 레벨로 형성하여 출력하기 위한 제1내부전원전압 드라이버와, 상기 내부회로의 전원공급노드에 접속되어, 상기 내부전원전압을 공급받아 상기 칩의 활성화시 인에이블되어 상기 내부회로로 상기 내부전원전압을 소절 레벨로 형성하여 출력하며, 상기 칩의 비활성화시 디세이블되어 상기 내부회로로의 상기 내부전원전압의 중단하는 제2내부전원전압 드라이버와, 상기 제1내부전원전압 드라이버의 입력단과 제2내부전원전압 드라이버의 입력단 사이에 접속되며 상기 승압전압 발생기의 상기 승압전압에 의해 제어되어, 상기 칩의 활성화시나 비활성화시의 상기 내부회로로 상기 내부전원전압을 동일하게 공급하기 위한 전압조절수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전압강하수단이 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960013873A 1996-04-30 1996-04-30 다수개의 승압전압 발생기를 갖는 반도체 메모리장치 KR0177784B1 (ko)

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