KR970003216A - 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생 회로 - Google Patents

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생 회로에 대한 기술분야이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
총래의 주변 내부 전원전압과 메모리 어레이 내부 전원전압에서 테스트시 전압상승에 의한 비트선 등화 특성의 저하를 줄이기 위해서 본 발명은 클램프 특성이 서로 다르고, 안정된 비트선의 등화특성을 가지는 내부 전원전압 발생 회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 반도체 메모리 장치의 주변회로들과 어레이회로들 각각에 내부 전원 전압을 공급하기 위하여 외부 전원전압이일정한 전압 레벨로 강하된 상기 내부 전원전압을 발생하는 내부 전원전압 발생 회로에 있어서, 일정한 기준 전압을 발생하기 위한 기준 전압 발생 회로와, 상기 내부 전원전압에 응답하여 소정의 전압을 출력하는 제1 및 제2 분압회로와, 상기기준전압과 상기 제1 및 제2 분압회로 각각의 출력전압을 상호 비교하는 제1 및 제2 차동증폭기와, 상기 외부 전원전압으로 부터 상기 내부 전원전압을 공급하는 제1및 제2의 구동회로와, 상기 외부 전원전압을 승압시켜 상기 주변회로들 및 어레이회로들 각각에 공급하고 제2 전압 상승회로의 다이오드 갯수가 제1 전압 상승회로의 다이오드 갯수보다 적어도 한개이상 많이 구성된 제1 및 제2 전압 상승회로를 구비함을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
내부 전원전압 발생 회로를 사용하는 반도체 메모리 장치.

Description

반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 내부 전원전압 발생 회로도.

Claims (6)

  1. 반도체 메모리 장치의 주변회로들과 어레이회로들 각각에 내부 전원전압을 공급하기 위하여 외부 전원전압이 일정한 전압 레벨로 강하된 상기 내부 전원전압을 발생하는 내부 전원전압 발생회로에 있어서, 일정한 기준 전압을 발생하기 위한 기준 전압 발생 회로와, 상기 내부 전원전압에 응답하여 소정의 전압을 출력하는 제1및 제2 분압회로와, 상기 기준전압과 상기 제1및 제2 분압회로 각각의 출력전압을 상호 비교하는 제1 및 제2 차동증폭기와 상기 외부 전원전압으로 부터 상기 내부 전원전압을 공급하는 제1 및 제2 구동회로와, 상기 외부 전원전압을 승압시켜 상기 주변회로들 및어레이회로들 각각에 공급하고 제2 전압 상승회로의 다이오드 갯수가 제1 전압 상승회로의 다이오드 갯수보다 적어도 한개이상 많이 구성된 제1 및 제2 전압 상승회로를 구비함을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전압 상승회로는 다이오드로 구성함을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2 전압 상승회로는 피모오스 트랜지스터로 구성함을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 전압 상승회로의 피모오스 트랜지스터의 갯수가 상기 제1 전압 상승회로의 피모오스 트랜지스터의 갯수보다 적어도 1개이상 많게 구성함을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 전압 상승회로의 구동전압이 상기 제2 전압 상승회로의 구동 전압보다 높음을특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 내부 전원전압에서 상기 주변회로들의 내부 전원전압의 클램프 레벨이 상기 어레이회로들의 내부 전원전압의 클램프 레벨보다 낮음을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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