KR970065656A - 흑색 착색 조성물, 고내열성 차광부재, 어레이기판, 액정표시소자 및 어레이기판의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평균 입자직경이 0.5㎛ 이하이고, 4내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택한 1종 이상의 금속을 함유하는 산화물로 이루어진 흑색 무기안료; 다음 일반식(1)로 표시되는 폴리비닐부티랄 수지, 다음 일반식(2)로 표시되는 폴리아크릴 수지 및 다음 일반식(3)으로 표시되는 고급 탄산 중 적어도 1종으로 이루어지는 분산제; 및 유기용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 흑색 착색 조성물에 관한 것이다.
상기 일반식(1)에서, x=0.01 내지 0.9, y≤0.05 n은 정수이다.
상기 일반식(2)에서, R1은 수소원자, 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기이며, R2은 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기이고, R3는 수소원자, 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기이며, a=0 내지 0.9이고, n은 정수이다.
R4COOH (3)
상기 일반식(3)에서, R4는 탄소수 12 이상의 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기이다.

Description

흑색 착색 조성물, 고내열성 차광부재, 어레이기판, 액정표시소자 및 어레이기판의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 어레이기판의 한 예를 도시한 단면도이다.

Claims (22)

  1. 평균 입자직경이 0.5㎛ 이하이고, 4 내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택한 1종 이상의 금속을 함유하는 산화물로 이루어진 흑색 무기안료; 다음 일반식(1)로 표시되는 폴리비닐부티랄 수지, 다음 일반식(2)로 표시되는 폴리아크릴 수지 및 다음 일반식(3)으로 표시되는 고급 탄산 중 적어도 1종으로 이루어지는 분산제; 및 유기용매를 함유하는 흑색 착색 조성물.
    상기 일반식(1)에서, x=0.01 내지 0.9, y≤0.05 n은 정수이다.
    상기 일반식(2)에서, R1은 수소원자, 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기이며, R2은 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기이고, R3는 수소원자, 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기이며, a=0 내지 0.9이고, n은 정수이다.
    R4COOH (3)
    상기 일반식(3)에서, R4는 탄소수 12 이상의 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기이다.
  2. 제1항에 있어서, 금속알콕시드와 그 분해생성물중 적어도 1종을 추가로 함유하는 흑색 착색 조성물.
  3. Si-O-Si 결합의 3차원 구조를 갖는 규소계 매트릭스중에, 착색성분으로서 금속산화물이 함유되어 있고, 상기금속산화물은 평균 입자직경이 0.5㎛ 이하이며, 4 내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택된 1종 이상의 금속을 함유하는 산화물인 고내열성 차광부재.
  4. 제3항에 있어서, 내열온도가 300℃ 이상이고, 저항값이 109Ωㆍ㎝ 이상으로 높고, 광학농도가 1.0 이상인 고내열성 차광부재.
  5. 반도체층과, 이 반도체층 위에 절연막을 삽입하여 형성된 게이트전극과, 상기 반도체층의 게이트전극이 형성되어 있는 면 또는 이를 마주보는 면에 형성되고, 서로 사이를 벌리어 설치된 소스전극 및 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 드레인전극에 접속된 화소전극을 갖추고, 상기 반도체층의 아래쪽에 차광막을 갖고, 상기 차광막은 제3항에 따른 고내열성 차광부재로 이루어지는 어레이기판.
  6. 제5항의 어레이기판, 상기 어레이기판과 사이를 두고 배치되어 있고, 주면에 대향전극이 형성되어 있는 대향기판, 및 이들 어레이기판과 대향기판 사이에 삽입된 액정층을 가지는 액정표시소자.
  7. Al 및 Si에서 선택된 적어도 1종의 산화물로 이루어진 무기산화물 유리중에, 착색성분으로서 금속산화물이 함유되어 있고, 상기 금속산화물은 평균 입자직경이 0.5㎛ 이하이며, 4 내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택된 1종 이상의 금속을 함유하는 산화물인 고내열성 차광부재.
  8. 제7항에 있어서, 내열온도가 300℃ 이상이고, 저항값이 109Ωㆍ㎝ 이상으로 높고, 광학농도가 1.0 이상인 고내열성 차광부재.
  9. 반도체층과, 이 반도체층 위에 절연막을 삽입하여 형성된 게이트전극과, 상기 반도체층의 게이트전극이 형성되어 있는 면 또는 이를 마주보는 면에 형성되고, 서로 사이를 벌리어 설치된 소스전극 및 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 드레인전극에 접속된 화소전극을 갖추고, 상기 반도체층의 아래쪽에 차광막을 갖고, 상기 차광막은 제7항에 기재한 고내열성 차광부재로된 어레이기판.
  10. 제9항의 어레이기판, 상기 어레이기판과 분리된 사이를 마주보며 배치되어 있고, 주면에 대향전극이 형성되어 있는 대향기판, 및 이들 어레이기판과 대향기판 사이에 삽입된 액정층을 갖춘 액정표시소자.
  11. 4 내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택된 1종 이상의 금속을 함유하는 금속산화물로 이루어진 흑색 무기안료, 다음 일반식(7)로 표시되는 유기규소계 고분자화합물, 분산제 및 유기용매를 함유하는 흑색 착색 조성물.
    상기 일반식(7)에서, R21,R22,R23,R24,R25및 R26은동일하거나 다르며, 각각 수소원자, 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환 방향족 탄화수소기이며, t는 2이상의 정수이다.
  12. Si-C 결합을 함유하는 3차원 구조를 갖는 탄화규소계 매트릭스중에, 착색성분으로서 금속산화물이 함유되어 있고, 상기 금속산화물은 4 내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택된 1종 이상의 금속을 함유하는 산화물인 것을 특징으로 하는 고내열성 차광부재.
  13. 제12항에 있어서, 내열온도가 300℃ 이상이고, 저항값이 109Ωㆍ㎝ 이상으로 높고, 광학농도가 1.0 이상인 고내열성 차광부재.
  14. 반도체층과, 이 반도체층 위에 절연막을 삽입하여 형성된 게이트전극과, 상기 반도체층의 게이트전극이 형성되어 있는 면 또는 이를 마주보는 면에 형성되고, 서로 사이를 벌리어 설치된 소스전극 및 드레인전극과, 상기 소스전극 또는 드레인전극에 접속된 화소전극을 갖추고, 상기 반도체층의 아래쪽에 차광막을 갖고, 상기 차광막은 제12항에 기재한 고내열성 차광부재로된 어레이기판.
  15. 제14항의 어레이기판, 상기 어레이기판과 사이를 두고 마주보며 배치되어 있고, 주면에 대향전극이 형성되어 있는 대향기판, 및 이들 어레이기판과 대향기판 사이에 삽입된 액정층을 갖춘 액정표시소자.
  16. 투명기판 위에, 착색성분으로서 금속산화물을 함유하는 도포막을 형성하는 공정, 상기 도포막 위에 포토레지스트막을 형성하는 공정, 상기 포토레지스트막에 패턴노광을 실시한 후, 현상하여 레지스트패턴을 얻는 공정, 상기 레지스트패턴을 마스크하여 상기 도포막을 패턴화하여 도포막패턴을 형성하는 공정, 상기 패턴화된 도포막을 가열건조하여 차광막을 형성하는 공정, 상기 차광막 위에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막 위에 제1 및 제2면을 갖는 반도체층과, 이 반도체층의 제1면에 절연막을 삽입하여 위치한 게이트전극과, 상기 반도체층의 제1면 또는 제2면을 서로 사이를 벌리어 위치하는 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 스위칭소자를 형성하는 공정, 및 상기 소스전극 또는 드레인전극에 접속된 화소전극을 형성하는 공정으로 이루어진 어레이기판의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 도포막이, Si-O-Si결합의 3차원 구조를 갖는 규소계 매트릭스의 전구체를 함유하는 어레이기판의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 도포막이 Al 및 Si에서 선택된 적어도 1종의 산화물로 이루어진 무기산화물 유리의 전구체를 함유하는 어레이기판의 제조방법.
  19. 투명기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 공정, 상기 포토레지스트막에 패턴노광을 실시한 후, 현상처리하여 레지스트패턴을 얻는 공정, 상기 투명기판 및 레지스트패턴 위에, 착색성분으로서 금속산화물을 함유하는 도포막을 형성하는 공정, 상기 레지스트패턴을 제거함으로써, 그 위에 위치하는 상기 도포막을 선택적으로 제거하여 도포막패턴을 형성하는 공정, 상기 도포막패턴을 가열건조하여 차광막을 형성하는 공정, 상기 차광막위에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막 위에 제1 및 제2면을 갖는 반도체층과, 이 반도체층의 제1면에 절연막을 삽입하여 위치한 게이트전극과, 상기 반도체층의 제1면 또는 제2면을 서로 사이를 벌리어 위치하는 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 스위칭소자를 형성하는 공정, 및 상기 소스전극 또는 드레인전극에 접속된 화소전극을 형성하는 공정으로 이루어진 어레이기판의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 도포막이, Si-O-Si결합의 3차원 구조를 갖는 규소계 매트릭스의 전구체를 함유하는 어레이기판의 제조방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 도포막이 Al 및 Si에서 선택된 적어도 1종의 산화물로 이루어진 무기산화물 유리의 전구체를 함유하는 어레이기판의 제조방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 도포막이 다음 일반식(7)로 표시되는 유기규소계 고분자화합물, 분산제 및 유기 용매를 함유하고, 상기 금속산화물은 4 내지 11족이며 제4주기의 금속군에서 선택된 1종 이상의 금속을 함유하는 어레이기판의 제조방법.
    상기 일반식(7)에서, R21,R22,R23,R24,R25및 R26은동일하거나 다르며, 각각 수소원자, 치환 또는 비치환 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환 방향족 탄화수소기이며, t는 2이상의 정수이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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