JPH05273539A

JPH05273539A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH05273539A
Application number: JP6726392A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Nishikawa; 龍司西川; Yoritake Baba; 順丈馬場
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1992-03-25
Filing date: 1992-03-25
Publication date: 1993-10-22

Abstract

(57)【要約】【目的】遮光膜で遮光できない光を抑制し、半導体層
に発生するオフ電流を減少させることを目的とする。【構成】遮光膜（３５）をＯＤ値で４〜５となるよう
に厚く形成し、または／および第１の非単結晶シリコン
膜（１７）および第２の非単結晶シリコン膜（１９）
を、チャンネル領域に対応する領域を除いて、遮光機能
を有する金属材料で成るソース電極（２０）およびドレ
イン電極（２１）で完全に覆う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
特に光源を必要とし、しかもこの光源による信頼性の低
下を防止した液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、カラーＴＶを
中心に開発が活発に進められている。これらの中には、
例えば特開平３−１１４０２８号公報に示された構成
（図７）がある。これは、透明な絶縁性基板（５０）上
に、例えばゲート（５１）と補助容量電極（５２）が設
けられ、ゲート絶縁膜（５３）を介してＩＴＯより成る
表示電極（５４）が設けられている。更に全面には、第
２のゲート絶縁膜（５５）が設けられ、ＴＦＴが形成さ
れる第２のゲート絶縁膜（５５）上には、順次ａ−Ｓｉ
層（５６）、ＳｉＮｘより成る半導体保護膜（５７）お
よびＮ⁺ａ−Ｓｉ層（５８）が積層されている。一方、
ソース領域に対応するＮ⁺ａ−Ｓｉ層（５８）から前記
表示電極（５４）表面が露出しているコンタクト孔まで
を延在しているソース電極（５９）と、ドレイン領域に
対応するＮ⁺ａ−Ｓｉ層（５８）表面から延在されるド
レイン電極（６０）およびドレインラインがある。

【０００３】更には、図１のように、全面にパシベーシ
ョン膜や配向膜が設けられて、素子基板を構成してい
る。ここで図１は、液晶パネルの概略図であり、絶縁性
基板としてガラス基板（５０）を使用し、この上に形成
されている２種類の４角形は、小さいものが素子（ＴＦ
Ｔ）、大きいものが表示電極（５３）を示している。一
方、前述の素子基板と対向する位置には対向基板が設け
られ、例えば、カラーフィルターを介して遮光膜が設け
られ、更に対向電極が設けられ、更に配向膜が設けられ
ている。

【０００４】以上、素子基板と対向基板は図１と同じで
あるので、詳細は後述する実施例を参照のこと。そして
この素子基板と対向基板は一定の間隙でシールを用いて
貼り合わされてあり、中に液晶が注入されている。以上
の構成は、逆スタガー型でゲート絶縁膜が２層形成され
ているが、１層で形成されてもよし、スタガー型で、や
はり１層または２層でも良い。

【０００５】また半導体材料としては、前述のａ−Ｓｉ
の他にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）でも良い。このｐ−Ｓ
ｉを材料とするときは、スタガー型が主流であり、図示
は省略したが、透明な絶縁性基板上に第１のｐ−Ｓｉが
形成され、全面に熱酸化等でゲート絶縁膜が形成され
る。この上に低抵抗の第２のｐ−Ｓｉで成るゲート電極
が形成され、この基板全面に酸化膜が形成されている。
このトランジスタの近傍にはＩＴＯ等より成る表示電極
が形成され、ソース電極は、酸化膜のコンタクト孔を介
して第１のｐ−Ｓｉと電気的に接続され、またドレイン
電極も酸化膜のコンタクト孔を介して第１のｐ−Ｓｉと
電気的に接続されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上の構成において、
図７のＴＦＴにノンドープのａ−Ｓｉと高濃度にドープ
されたａ−Ｓｉが、一点鎖線で示されている。例えば、
透過型のように、紙面に対して上方より光が入射される
時は、対向基板やＴＦＴの上方に設けた遮光膜で、ＴＦ
Ｔへの光入射を防止していた。つまり遮光膜を設けない
と、ａ−Ｓｉは、光吸収係数が大きいため、光がａ−Ｓ
ｉに到達してオフ電流が増加してしまうからである。

【０００７】従来は、遮光膜は、ＣｒやＡｌ等の金属材
料で形成されているため、ほとんどは反射され、この遮
光膜で完全に遮蔽されていると考えられていた。例え
ば、Ｃｒを使用する場合、１０００Åから１５００Å程
度で十分であると認識されていた。しかし、プロジェク
ター等の光源は、非常に強い光を使用しているため、こ
のパネルの遮光膜でも若干の光が透過し、ＴＦＴに入射
し、オフ電流が発生させる問題があった。

【０００８】またｐ−Ｓｉも、ａ−Ｓｉより１桁程吸収
係数が小さいが、強い光源によりオフ電流が発生する問
題があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、まず第１に、遮光膜が対向基板のみに形成
される構成において、この液晶表示装置は、対向基板側
から光が入射され、前記遮光膜のＯＤ値を約４〜５以上
とすることで解決するものである。第２に、遮光膜が対
向基板と素子基板の両方に形成される構成において、こ
の液晶表示装置は、対向基板側から光が入射され、前記
２つの遮光膜のＯＤ値の和を約４〜５以上とすることで
解決するものである。

【００１０】第３に、素子基板に遮光膜を形成する構成
において、この液晶表示装置は、素子基板側から光が入
射され、前記遮光膜のＯＤ値を約４〜５以上とすること
で解決するものである。

【００１１】

【作用】図７の構成において何が問題となるのが実験、
研究したところ、図７の紙面に対して上方の遮光膜から
透過する極少ない光が、ソース及びドレイン電極よりは
みでた半導体層（特にノンドープのａ−ＳｉとＮ⁺型に
ドープされたａ−Ｓｉの界面）に浸入し、オフ電流が発
生することが分かった。

【００１２】また図７の紙面に対して、ＴＦＴの下層に
遮光膜が設けられた時、この遮光膜から透過する極少な
い光が、ゲート電極よりはみでた半導体層に光が入射
し、オフ電流が発生することが分かった。従ってトラン
ジスタを構成する電極（ソース電極、ドレイン電極また
は／およびゲート電極）より半導体層がはみでない構成
にすることで解決されることが分かった。

【００１３】前述した問題を解決するために、前者はソ
ースおよびドレイン電極で、または後者はゲート電極で
完全にａ−Ｓｉを覆うようにした。しかしオフ電流を計
測した結果、減少はしているものの、十分ではなかっ
た。そのため、更に実験を続けたところ、遮光膜に問題
があると判った。図４は、例えばＴＦＴを使用した液晶
表示装置の等価回路図である。単純に、ＴＦＴをＲ、Ｃ
_lc（液晶容量）＋Ｃ_SC（補助容量）をＣとし、ＣＲの時
定数として、Ｉ_off（オフ電流）を見積ってみると、

【００１４】

【数１】

【００１５】ここで、ｔは充電時間、液晶へ印加するＶ
_Rの電圧は、６Ｖ程度であり、最大１０Ｖと設定すれば
十分である。また表示電極のサイズは３０μｍ²程度で
あるので、Ｃ≧０．１ｐＦが妥当なところである。保持
時間は、１／６０＝１６．７ｍｓｅｃで、９０％以上の
保持率とすると、（１）、（２）式より

【００１６】

【数２】

【００１７】となる。以上、非常にマージンを取ってい
るので、Ｉ_off≒１０ｐＡ以下とすれば、特に保持で問
題にならない。図５は、オフ電流とＯＤ値（遮光膜の光
吸収係数とその膜厚の積、−ｌｏｇ（透過率）））の相
関を調べたものであり、通常のバックライトの光源約１
０⁴ｌχ、プロジェクターの光源約１０⁵〜１０⁶ｌχを
考慮し、３種類の光源で調査し、ＴＦＴにはＶ_D＝１２
Ｖ、Ｖ_G＝−４．５Ｖを印加した。従って図５のよう
に、オフ電流を１０ｐＡ以下とするには、バックライト
では、ＯＤ値はおよそ２．５以上必要とし、プロジェク
ターでは、ＯＤ値はおよそ４から５を必要とする。図６
（ＣｒのＯＤ値と膜厚の関係）から判るように、バック
ライトでは、従来の膜厚で十分であるが、プロジェクタ
ーでは、２０００〜２５００Å以上必要となる。

【００１８】従って、第１に対向基板に、遮光膜が設ら
れ、対向基板側から入射される光源を使用する時は、前
記素子から発生するオフ電流の値を１０ｐＡ以下とする
ために、前記遮光膜の吸収係数と膜厚の積の値を約４〜
５以上とすることでオフ電流を抑制できる。第２に、対
向基板と素子基板に遮光膜が設られ、対向基板側から入
射される光源を使用する時は、前記素子から発生するオ
フ電流の値を１０ｐＡ以下とするために、前記遮光膜の
吸収係数と前記２つの遮光膜の総膜厚の積の値を約４〜
５以上とすることでオフ電流を抑制できる。

【００１９】第３に、素子基板に遮光膜が設られ、素子
基板側から入射される光源を使用する時は、前記オフ電
流の値を１０ｐＡ以下とするために、前記遮光膜の吸収
係数と膜厚の積の値を約４〜５以上とすることでオフ電
流を抑制できる。

【００２０】

【実施例】図１は、対向基板（３３）に遮光膜（３５）
を設けたものであり、図２は、対向基板（３３）と素子
基板（１０）に遮光膜を設けたものである。更に図３
は、素子基板（１０）に遮光膜を設けたものである。一
方、図１および図２は、上に光源が設けられる場合であ
り、図３は、下に光源が設けられる場合である。

【００２１】以下に本発明の第１の実施例として、図１
と図８を参照しながら説明する。まず、透明な絶縁性基
板（１０）上に形成されたゲート（１１）、およびこの
ゲート（１１）と一体で形成された複数本のゲートライ
ン（１２）と、このゲートライン（１２）と離間して形
成された補助容量電極（１３）、およびこの補助容量電
極（１３）と一体で形成された補助容量ライン（１４）
と、実質的に前記絶縁性基板（１０）の全面に形成され
たゲート絶縁膜（１５）がある。

【００２２】透明な絶縁性基板（１０）は、例えばガラ
スより成る。このガラス基板（１０）上には、図１の一
点鎖線で示されるように、ゲート（１１）と一体のゲー
トライン（１２）が左右に延在されて形成されており、
ゲート（１１）は、ゲートライン（１２）から下方へ突
出している。また補助容量電極（１３）およびこの電極
（１３）と一体で成る補助容量ライン（１４）も一点鎖
線の様にゲートライン（１２）と平行に延在されてい
る。またこの両電極（１２）、（１４）は、例えばＣｒ
やＡｌの光を遮蔽する材料より成っており、他材料とし
てＴａ，Ｔａ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｃｕ等でも良い。一般にゲ
ートラインと補助容量ラインは、同一工程で形成される
ので、ゲートライン（１２）と補助容量ライン（１４）
は、例えば約１５００ÅのＣｒより形成される。またゲ
ート（１１）、ゲートライン（１２）、補助容量電極
（１３）および補助容量ライン（１４）を覆う第１のゲ
ート絶縁膜（１５）は、プラズマＣＶＤ法で形成された
約３０００ÅのＳｉＮｘ膜である。ここでは、ＳｉＮｘ
膜の代りにＳｉＯ₂膜を使用しても良いし、この２つの
膜を２層にしても良い。またＳｉＮｘ膜やＳｉＯ₂膜を
単独で使う場合、成膜工程を２工程に分け、２層構造と
しても良い。特に２層構造の時は、上層を後述の表示電
極上へ延在させている。

【００２３】次に、ＩＴＯより成る表示電極（１６）が
設けられ、ゲート（１１）を一構成とするＴＦＴの活性
領域に、順次積層されたノンドープの第１の非単結晶シ
リコン層（１７）、半導体保護膜（１８）、およびＮ⁺
型にドープされた第２の非単結晶シリコン層（１９）
と、このソース領域に対応する第２の非単結晶シリコン
層（１９）および表示電極（１６）と電気的に接続する
ソース電極（２０）と、前記ドレイン領域に対応する第
２の非単結晶シリコン層（１９）と電気的に接続したド
レイン電極（２１）と一体で延在されたドレインライン
（２２）がある。

【００２４】ＴＦＴに対応する第１のゲート絶縁膜（１
５）上には、ノンドープのアモルファス・シリコン活性
層（ａ−Ｓｉ層）（１７）およびＮ⁺型のアモルファス
・シリコンコンタクト層（Ｎ⁺ａ−Ｓｉ層）（１９）が
積層され、チャンネルに対応するａ−Ｓｉ層（１７）と
Ｎ⁺ａ−Ｓｉ層（１９）との間には、ＳｉＮｘより成る
半導体保護膜（１８）が設けられている。ドレイン電極
（２１）は、ドレインラインと一体で、ソース電極（２
０）は、表示電極（１６）とコンタクトし、両者とも同
一材料で形成されている。ここでは例えば、Ｍ_O ，Ａｌ
が積層されている。また表示電極（１６）の上にゲート
絶縁膜が延在されている場合は、コンタクトホールが形
成され、これを介して接続されている。

【００２５】以下は図示していないが上層には、パシベ
ーション膜が設けられたり（省略してもよい。）して、
例えばポリイミド等から成る配向膜が設けられて、素子
基板が完成する。この素子基板の概略を説明したものが
図１であり、下のガラス基板（１０）の上に設けられて
いる２つの４角形が、素子（ＴＦＴ）（３０）と表示電
極（１６）を示し、この上にはパシベーション膜（３
１）および配向膜（３２）が被覆されている。

【００２６】一方、ガラス基板（１０）と対を成す対向
ガラス基板（３３）が設けられ、この対向ガラス基板上
には、表示電極（１６）と対応する位置に、カラー表示
の時は、まずカラーフィルター（３４）が設けられ、表
示領域を除いた領域に遮光膜（３５）が例えばＣｒやＡ
ｌで設けられている。更に絶縁層を介すかまたは介さず
に、対向電極（３６）と配向膜（３７）が積層されてい
る。

【００２７】更には、この一対のガラス基板（１０）、
（３３）間にスペーサが設けられ、周辺を封着材で封着
し、注入孔より液晶が注入されて本装置が得られる。ま
ず第１の特徴は、遮光膜（３５）の厚さにある。遮光膜
は、従来１０００Å程度設けるだけで、十分に光を遮る
ことができると考えられていた。しかしプロジェクター
等の高輝度（例えば１０万ｌχから１００万ｌχ）で
は、一部が透過するため、まずどの程度のオフ電流であ
れば許されるかを計算した。

【００２８】図４は、例えばＴＦＴを使用した液晶表示
装置の等価回路図である。単純に、ＴＦＴをＲ、Ｃ
_lc（液晶容量）＋Ｃ_SC（補助容量）をＣ、ＲおよびＣに
発生する電圧をＶ_RおよびＶ_C、Ｖ_RとＶ_Cの合計電圧をＶ
₀とし、ＣＲの時定数として、Ｉ_o _ff（オフ電流）を見積
ってみると、

【００２９】

【数３】

【００３０】ここで、ｔは充電時間、液晶へ印加するＶ
_Rの電圧は、６Ｖ程度であり、最大１０Ｖと設定すれば
十分である。また表示電極のサイズは３０μｍ²程度で
あるので、Ｃ≧０．１ｐＦが妥当なところである。保持
時間は、１／６０＝１６．７ｍｓｅｃで、９０％以上の
保持率とすると、（１）、（２）式より

【００３１】

【数４】

【００３２】となります。以上、非常にマージンを取っ
ているので、Ｉ_off≒１０ｐＡ以下とすれば、特に保持
で問題にならない。図５は、オフ電流とＯＤ値（遮光膜
の光吸収係数とその膜厚の積）の相関を調べたものであ
り、通常のバックライトの光源１０⁴ｌχ、プロジェク
ターの光源１０⁵〜１０⁶ｌχを考慮し、３種類の光源で
調査し、ＴＦＴにはＶ_D＝１２Ｖ、Ｖ_G＝−４．５Ｖを印
加した。従って図５のように、オフ電流を１０ｐＡ以下
とすれば、バックライトでは、ＯＤ値はおよそ２．５以
上必要とし、プロジェクターでは、ＯＤ値はおよそ４か
ら５以上となる。図６（ＣｒのＯＤ値と膜厚の関係）か
ら判るように、バックライトでは、従来の膜厚で十分で
あるが、プロジェクターでは、２０００〜２５００Å以
上必要となる。当然Ａｌでは、光の吸収係数が異なるた
め膜厚も異なってくる。

【００３３】この遮光膜を設けることで、遮光膜を介し
てＴＦＴに入射される光はほとんど無くすことができ
る。しかし遮光膜の開口部を介して入る光は、膜の段差
部への入射や反射および複屈折等により、どうしても半
導体層へ入射されてしまう。これを防止するために、次
の第２の特徴がある。つまり図８の如く、第１の非単結
晶シリコン膜であるノンドープのａ−Ｓｉ（１７）と第
２の非単結晶シリコン膜であるＮ⁺型にドープされたａ
−Ｓｉ（１９）の界面を完全に覆うようにソース電極
（２０）とドレイン電極（２１）を設けることにある。
従ってＡｌやＭｏの光遮蔽機能を有する電極が、前記半
導体層へ入射する光を遮断するため、遮光膜で透過した
光を更に遮蔽でき、更には遮光膜の開口部を介し、色々
な経路を経て入射する光も遮蔽できるので、結局半導体
層へ入射する光を大幅に減少させることができる。

【００３４】次に第２の実施例を述べる。構成は第１の
実施例とほぼ同一であるので、異なる点のみを説明す
る。図２は、前実施例と同様に、光源は上に設けられ
る。ただし遮光膜（３５）は、素子基板（１０）と対向
基板（３３）の両方に設けられる。本実施例では、遮光
膜がＴＦＴ（３０）を覆うので、短絡を防止するため
に、絶縁層（３１）を介して遮光膜が設けられ、この上
に配向膜（３２）が設けられている。

【００３５】本実施例では、２つの遮光膜が、前実施例
と同様に非表示領域に設けられているので、この総合膜
厚を、前記ＯＤ値４〜５以上と成るように設定してい
る。また図８の如く、ソース電極およびドレイン電極は
半導体層を完全に覆うように設けられている。ここで
は、第１の実施例より、ＴＦＴに近い所で遮光膜が設け
られているので、遮光膜の開口部を介して半導体層へ入
る光は、全実施例よりもより効果的に遮断できる。

【００３６】更に第３の実施例を述べる。図３より明ら
かなように、紙面に対して下方に光源が設けられる場合
で、ハッチングで示した遮光膜（３５）は、ＴＦＴ（３
０）の下に設けられている。またこの遮光膜の上には、
ゲート（１１）が設けられている。この遮光金属材料
（Ｃｒ、Ａｌ等）より成るゲート（１１）は、サイズを
半導体層より大きくして、この非単結晶シリコン膜（１
７）、（１９）を平面的に完全に覆うように設けてい
る。覆うとした表現は、ここでは好ましくないが、図３
の基板の上下を反転すれば、ゲートは上と成るので理解
できるであろう。また遮光膜（３５）とＴＦＴ（３０）
のショートを考えて、絶縁層が設けられている。この場
合、ゲート（１１）で完全に半導体層を覆うことができ
るので、ＯＤ値が４〜５と成るように厚く設ければ、遮
光膜を省略できるが、画素の分離や十分な遮光を達成す
るためには、遮光膜とゲートで遮光したほうが良い。

【００３７】また半導体層は、ゲート（１１）にセルフ
アラインされた状態でも効果はあるが、斜めに入ってく
る光に対しては、遮光しにくいので、完全に覆われたほ
うがよい。またここでは、ソース電極およびドレイン電
極は、ゲートに対して下方となるので、位置関係および
サイズの大小は問題なくなる。

【００３８】以上は、ａ−Ｓｉは逆スタガー型のトラン
ジスタで説明したが、ｐ−Ｓｉでも良い。ｐ−Ｓｉは、
ａ−Ｓｉより１桁程吸収係数が小さいが、効果があるこ
とは実験により判明している。またａ−Ｓｉやｐ−Ｓｉ
のスタガー型のトランジスタでもよい。この構造は、従
来例で述べてあるので省略をするが、半導体層の上層に
ソース電極、ドレイン電極、ゲートが設けられてあるた
めに、光源は、上方にしか設けられない。前実施例のよ
うに、この３つの電極が遮光機能を有した金属材料で形
成され、完全またはほぼ完全に覆われて、また遮光膜の
厚さをＯＤ値にして４〜５以上になるように設ければ、
前実施例と同様にオフ電流の減少を達成できる。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、ＯＤ値
で４〜５以上に成るように遮光膜を設け、または／およ
びトランジスタを構成する電極より半導体層がはみでな
い構成にすることで、オフ電流を減少でき、この結果、
Ｉ_ON／Ｉ_OFF比が大きくなり、ゲート電圧のマージンを
大きくすることができる。従って液晶表示装置の信頼性
を向上することができる。

【００４０】第１に、ＯＤ値が４〜５に成るように遮光
膜を対向基板に設けることで、遮光膜を介してＴＦＴに
入射される光を減少でき、オフ電流を抑制できる。しか
もソース電極およびドレイン電極を、ノンドープの非単
結晶シリコン膜とドープされた非単結晶シリコン膜の界
面を覆うように設けることで、更にオフ電流を抑制でき
る。

【００４１】第２に、前述の構成で、遮光膜を更に素子
基板に設け、対向基板の遮光膜との総膜厚が、ＯＤ値で
４〜５と成るように設けることで、前述同様にオフ電流
を抑制できる。更には遮光膜が、素子基板に設けられる
ために、遮光膜の開口部を介して乱反射、屈折等を繰り
返して半導体層に入ってくる光を、前実施例より効率的
に遮蔽できる。

【００４２】第３に、遮光膜を素子の形成される層の下
層に設けることで、素子基板側から光が入射される液晶
表示装置においてるオフ電流を防止できる。またゲート
電極のサイズよりも半導体層を小さく設け、ゲート電極
で完全に覆われるように設けることで、遮光膜で遮蔽で
きないＴＦＴの下方より浸入してくる光は、ＣｒやＡｌ
の遮蔽金属であるゲートで遮蔽されるため、第１および
第２の非単結晶シリコン膜の全域にわたりオフ電流を減
少できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の断面図である。

【図２】他の実施例を示す液晶表示装置の断面図であ
る。

【図３】他の実施例を示す液晶表示装置の断面図であ
る。

【図４】液晶表示装置内の１セルの等価回路図である。

【図５】オフ電流とＯＤ値の関係を示す図である。

【図６】ＯＤ値と膜厚の関係を示す図である。

【図７】従来の液晶表示装置の平面図である。

【図８】本発明の液晶表示装置の平面図である。

【符号の説明】

（１０）透明な絶縁性基板（１１）ゲート（１６）表示電極（１７）第１の非単結晶シリコン膜（１９）第２の非単結晶シリコン膜（２０）ソース電極（２１）ドレイン電極（３０）素子（３２）配向膜（３３）対向基板（３４）カラーフィルター（３５）遮光膜（３６）対向電極（３７）配向膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な第１の絶縁性基板上に形成された
複数のトランジスタと、このトランジスタと電気的に接
続された表示電極と、前記第１の絶縁性基板上に形成さ
れた配向膜とを備えた素子基板と、この第１の絶縁性基板と対向して配置された第２の絶縁
性基板上に形成された遮光膜、対向電極および配向膜と
を少なくとも有する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた液晶と
を有する液晶表示装置において、前記液晶表示装置は、対向基板側から光が入射され、前
記遮光膜のＯＤ値を約４〜５以上とすることを特徴とし
た液晶表示装置。
【請求項２】透明な第１の絶縁性基板上に形成された
複数のトランジスタと、このトランジスタと電気的に接
続された表示電極と、前記第１の絶縁性基板上に形成さ
れた第１の遮光膜および配向膜とを備えた素子基板と、この第１の絶縁性基板と対向して配置された第２の絶縁
性基板上に形成された第２の遮光膜、対向電極および配
向膜とを少なくとも有する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた液晶と
を有する液晶表示装置において、前記液晶表示装置は、対向基板側から光が入射され、前
記第１および第２の遮光膜のＯＤ値の和を約４〜５以上
とすることを特徴とした液晶表示装置。
【請求項３】透明な第１の絶縁性基板上に形成された
遮光膜、この遮光膜で覆われた複数のトランジスタと、
このトランジスタと電気的に接続された表示電極と、前
記第１の絶縁性基板上に形成された配向膜とを備えた素
子基板と、この第１の絶縁性基板と対向して配置された第２の絶縁
性基板上に形成された対向電極および配向膜とを少なく
とも有する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた液晶と
を有する液晶表示装置において、前記液晶表示装置は、素子基板側から光が入射され、前
記遮光膜のＯＤ値を約４〜５以上とすることを特徴とし
た液晶表示装置。