KR970062769A - 액상 결정 수직 배열 필름 생성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극 기판 표면상에 액상 결정 수직 배열 필름을 생성하는 방법으로서, 규소 화합물 (A)의 1몰당 규소 화합물 (B)가 0.05 내지 0.43몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콜시기 1몰당 (C)가 0.5내지 100몰인 비, 및 규소화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콜시기 1몰당 옥살사 (D)가 0.2 내지 2몰인 비로, 하기 화학식(1) :
Si(OR)4(1)
(식 중, R은 C1-5알킬기이다)의 규소 화합물 (A), 하기 화학식(2) :
R1Si(OR)3(2)
(식 중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R은 상기 정의된 바와 같다)의 규소 화합물 (B), 하기 화학식(3) :
R2CH2OH (3)
(식 중, R2는 수소원자이거나, 또는 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다)의 알콜 (C) 및 옥실산 (D)로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고; 반응 혼합물내의 규소 원자로부터 계산된 바대로 SiO2농도를 0.5 내지 10중량%로 유지하고 물이 없도록 유지하는 동안, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물(A) 및 (B)의 총량이 5몰% 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물 50 내지 180℃의 온도가 가열하여 폴리실옥산 용액을 생성하고; 다음에 전극 기판 표면상에 폴리옥실산 용액으로 이루어진 코팅 유체를 코팅하여 코팅물을 생성하고; 및 전극 기판 표면상에 접착된 채로, 코팅물을 80 내지 400℃의 온도로 열경화시켜 액상 결정 수직 배열 필름을 생성시키는 것으로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (18)
- 규소 화합물 (A)의 1몰당 규소 화합물 (B)가 0.05 내지 0.43몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콕시기 1몰당 알콜 (C)가 0.5 내지 100몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콕시기 1몰당 옥살사 (D)가 0.2 내지 2몰인 비로, 하기 화학식(1)Si(OR)4(1)(식 중, R은 C1-5알킬기이다)의 규소 화합물, 하기 화학식(2)R1Si(OR)3(2)(식 중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R은 상기 정의된 바와 같다)의 규소 화합물, 하기 화학식(3):R2CH2OH (3)(식 중, R2는 수소원자이거나, 또는 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다)의 알콜 (C) 및 옥실산 (D)로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고; 반응 혼합물내에 규소 원자로부터 계산된 바대로 SiO2농도를 0.5 내지 10중량%로 유지하고 물이 없도록 유지하는 동안, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B)의 총량이 5몰% 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180℃의 온도로 가열시켜 폴리실옥산 용액을 생성하고; 다음에 전극 기판 표면상에 폴리실옥산 용액으로 이루어진 코팅 유체를 코팅하여 코팅물을 생성하고; 및 전극기판 표면상에 접착된 채로, 코팅물을 80 내지 400℃의 온도로 열경화시키는 것으로 이루어진, 전극 기판 표면상에 액상 결정 수직 배열 필름을 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 규소 화합물 (A)가 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 규소 화합물 (A)가 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란 및 테트라프로폭시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 규소 화합물 (B)가 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 트리플루오로로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 및 헵타플루오로이소펜틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 알콜 (C)가 아염소산, 에탄올, 프로판올, n-부탄올. 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸레 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로펠렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 알콜인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 알콜 (C)가 에틴올인 것을 특징으로 하는 방법.
- 규소 화합물 (A)의 1몰당 규소 화합물(B)가 0.05 내지 0.43몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콕시기 1몰당 알콜(C)가 0.5 내지 100몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콕시기 1몰당 옥실산 (D)가 0.2 내지 2몰인 비로, 하기 화학식(1) :Si(OR)4(1)(식 중, R은 C1-5알킬기이다)의 규소 화합물, 하기 화학식(2)R1Si(OR)3(2)(식 중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R은 상기 정의된 바와 같다)의 규소 화합물, 하기 화학식(3):R2CH2OH (3)(식 중, R2는 수소원자이거나, 또는 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다)의 알콜 (C) 및 옥실산 (D)로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고; 및 반응 혼합물내에 규소 원자로부터 계산된 바대로 SiO2농도를 0.5 내지 10중량%로 유지하고 물이 없도록 유지하는 동안, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B)의 총량이 5몰% 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180℃의 온도로 가열시켜 폴리실옥산 용액을 생성하는 것으로 이루어진, 전극 기판 표면상에 액상 결정 수직 배열 필름 생성용 코팅 유체.
- 제7항에 있어서, 규소 화합물(A)가 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
- 제7항에 있어서, 규소 화합물(A)가 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란 으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
- 제7항에 있어서, 규소 화합물 (B)가 헥실트리메톡시실란, 헥실트링에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에에톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 및 헵타플루오로이소펜틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
- 제7항에 있어서, 알콜 (A)가 아염소산, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 알콜인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
- 제7항에 있어서, 알톨 (C)가 에탄올인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
- 규소 화합물 (A)가 1몰당 규소 화합물 (B)가 0.05 내지 0.43몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콕시기 1몰당 알콜(C)가 0.5 내지 100몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B)에 함유된 총 알콕시기 1몰당 옥살산 (D)가 0.2 내지 2몰인 비로, 하기 화학식(1) :Si(OR)4(1)(식 중, R은 C1-5알킬기이다)의 규소 화합물, 하기 화학식(2)R1Si(OR)3(2)(식 중, R2은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R은 상기 정의된 바와 같다)의 규소 화합물, 하기 화학식(3):R2CH2OH (3)(식 중, R2는 수소원자이거나, 또는 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다)의 알콜 (C) 및 옥실산 (D)로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고; 및 반응 혼합물내에 규소 원자로부터 계산된 바대로 SiO2농도를 0.5 내지 10중량%로 유지하고 물이 없도록 유지하는 동안, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B)의 총량이 5몰% 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180℃의 온도로 가열시켜 폴리실옥산 용액을 생성하는 것으로 이루어진, 전극 기판 표면상에 액상 결정 수직 배열 필름 생성용 코팅 유체의 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 규소 화합물 (A)가 테트라메톡시실란, 및 및 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 규소 화합물 (A)가 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란 으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 13항에 있어서, 규소 화합물 (B)가 헥실트리에톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데트리에톡시실란, 도데트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 헵타플루오로프로필트리메톡시실란, 헵타플루오로프로필트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메톡시실란, 트리데카플루오로프로필트라메톡시실란, 헵타데카플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타데카플루오로펜틸트리에톡시실란, 및 헵타프루오로이소펜틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 알콜 (C)가 아염소산, 에탄올, 프로판을, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 알콜인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항의 있어서, 알콜 (C)가 에탄올인 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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