KR100333570B1 - 액정 수직배향 필름의 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전극 기판 표면상에 액정 수직 배향 필름을 형성하는 방법으로서, 규소 화합물 (A) 의 1 몰당 규소 화합물 (B) 가 0.05 내지 0.43 몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 알콜 (C) 가 0.5 내지 100 몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 옥살산 (D) 가 0.2 내지 2 몰인 비로, 하기 화학식 (1) :
Si(OR)4(1)
(식중, R 은 C1-5알킬기이다) 의 규소 화합물 (A), 하기 화학식 (2) :
R1Si(OR)3(2)
(식중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R 은 상기 정의된 바와 같다) 의 규소 화합물 (B), 하기 화학식 (3) :
R2CH2OH (3)
(식중, R2는 수소원자이거나, 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다) 의 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고 ; 반응 혼합물내의 규소 원자로부터 계산하여 SiO2농도를 0.5 내지 10 중량 % 로 유지하고 물이 없도록 유지하면서, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총량이 5 몰 % 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열하여 폴리실옥산 용액을 생성하고 ; 이어서 전극 기판 표면상에 폴리실옥산 용액으로 이루어진 코팅 유체를 코팅하여 코팅물을 생성하고 ; 전극 기판 표면상에 접착된 채로, 코팅물을 80 내지 400 ℃ 의 온도에서 열경화시켜 액정 수직 배향 필름을 형성시키는 것으로 이루어진다.

Description

액정 수직 배향 필름의 형성 방법{PROCESS FOR FORMING A LIQUID CRYSTAL VERTICAL ALIGNMENT FILM}
본 발명은 알콕시기-함유 규소 화합물의 중합체 용액으로부터 액정 디스플레이 장치내에 전극 기판상에 형성된 액정 수직 배향 필름의 개선에 관한 것이다.
보통의 액정 디스플레이 장치는 액정 및 액정이 사이에 삽입되어 서로 접하고 있는 한쌍의 전극 기판으로 이루어진다. 액정 디스플레이 장치내에 액정 분자를 수직적으로 배향시키기 위한 효과적인 방법으로서, 액상 디스플레이 장치내에서 전극 기판상에 코팅 필름을 형성하는 방법이 공지되어 있고, 상기 코팅 필름은 액정 수직 배향 필름으로 불린다. 개선된 액정 수직 배향 필름으로서, 알콕시기-함유 실란을 출발물질로서 사용하는 일부 필름이 제안되었다.
JP-A-61-117524 호는 액정층과 접촉하는 한 쌍 이상의 전극 기판 표면상에 테트라부톡시티타늄과 같은 유기금속 화합물을 코팅한 후, 열경화로써 초벌 필름을 형성시킨 다음, 초벌 필름상에 옥타데실트리에톡시실란과 같은모노알킬트리알콕시실란을 코팅한 후, 열경화하여 액정 수직 배향 필름을 형성시키는 것을 개시한다. 상기 공고 공보는 또한 액정 수직 배향 필름이 우수하게 재생가능한 수직 배향을 나타내고, 초벌 필름이 액정 수직 배향 필름을 안정화시키고 기판에 대해 내열성 및 내접착성을 개선하는 데 기여한다는 것을 언급한다.
JP-A-57-42019 호는 테트라에톡시실란 또는 디메틸디메톡시실란과 같은 2 내지 4 개의 알콕시기를 갖는 실란을 통상적 가수분해 및 예를 들어 산 촉매에 의한 축합 중합을 수행하여 실란올-함유 올리고머를 생성하고, 상기 올리고머, 및 상기 알콕시기-함유 실란의 1 몰당 0.17 내지 10 몰의 비로 옥타데실트리에톡시실란과 같은 장쇄 알킬기 및 알콕시기를 함유하는 실란을 에틸 셀로솔브와 같은 용매에 첨가하여, 코팅 유체를 수득하고, 전극 기판상에 코팅 유체를 코팅한 다음 100 내지 250 ℃ 의 온도에서 코팅물을 열경화하여 수직 배향 필름을 형성하는 방법을 개시한다. 상기 공고 공보는 또한 상기 코팅 유체가 코팅 특성에서 우수하고, 배향 능력이 가열 단계에서 떨어지지 않으며, 거기에서 수득된 배향 필름은 다양한 액정을 배향시키는 데에 우수한 특성을 가진다는 것을 언급한다.
JP-A-57-56819 호는 아세트산 또는 포름산과 같은 카르복실산을 테트라클로로실란과 같은 할로겐화 실란과 반응시켜 규소 카르복실레이트를 생성하고, 감압 하에서 예를 들어, 증류에 의해 제거된 미반응 아세트산을 갖는 규소 카르복실레이트를 에틸 알콜과 같은 알콜과 반응시켜 실란올 올리고머 용액을 생성한 다음, 상기 올리고머 용액에, 0.01 내지 10 의 규소 원자비로 옥타데실트리에톡시실란 또는 퍼플루오로알킬실란과 같은 알킬실란을 첨가한 후, 20 내지 80 ℃ 의 온도에서 반응시켜 코팅 유체를 수득하고, 전극 기판의 표면에 코팅 유체를 코팅시키고, 100 내지 350 ℃ 의 온도로 코팅물을 열경화시켜 수직 배향 필름을 형성하는 것으로 이루어진 수직 배향 필름 형성 방법을 개시한다. 상기 공고 공보는 또한 상기 배향 필름은 어떤 형태의 액정이라도 수직적으로 배향시킬 수 있고, 배향은 안정하며, 디스플레이의 품질은 높다는 것을 언급한다.
그러나, 상기 개선된 수직 배향 필름 또는 상기 형성 방법들은 여전히 불충분하다.
상기 JP-A-61-117524 호에 개시된 바와 같이 수직 배향 필름의 형성에서, 유기금속 화합물의 열-경화 생성물로 된 초벌 필름을 형성하는 단계가 요구되고, 코팅 및 가열을 두 번 할 필요가 있다. 또한, 그로써 형성된 수직 배향 필름에 대해, 충분한 두께를 갖는 필름을 수득하는 것이 어려우며, 필름은 핀홀(pinhole)을 가지기 쉬우며, 필름의 유용한 수명은 상대적으로 짧다.
상기 JP-A-57-42019 호에 개시된 바와 같은 수직 배향 필름의 형성 방법에 의해, 충분한 두께를 갖는 필름을 수득할 수 있고, 이 필름은 핀홀이 없다. 그러나 액정을 수직적으로 배향시키기 위한 특성의 내구력이 불량하고, 상기 필름을 제조하는 데 사용될 코팅 필름의 제조를 위해 가수분해 단계 및 연속 혼합 단계가 요구된다. 따라서, 상기 방법은 간단하지 않다. 게다가, 코팅 유체의 저장 안정성은 불충분하다.
상기 JP-A-57-56819 호에 개시된 바와 같은 수직 배향 필름 형성 방법에서, 출발 물질로서 클로로실란과 같은 염화물-함유 물질의 반응에 의해 부산물로서 생성된 염화 수소가 상기 언급된 바와 같은 감압 하에서 심지어 증류 후에도 액상 생성물에 잔류할 수 있으며, 상기 염화 수소는 주변에서 금속을 부식시킬 수 있고 특별히 고순도가 요구되는 액정 디스플레이의 생성물에 위험할 수 있다. 또한, 코팅 유체를 제조할 때, 다단계 처리 과정이 요구된다. 따라서, 상기 방법은 간단하지 않다. 게다가, 반응의 종결부가 거의 확인되지 않고, 일정한 품질을 갖는 코팅 유체를 제조하는 것이 어렵다.
본 발명의 목적은 액정 디스플레이 장치의 전극 기판상에 액정을 수직적으로 배향하는 특성, 상기 특성의 재생력, 내열성 및 균일성에 우수한 액정 수직 배향 필름을 간단하고 효율적으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 액정 수직 배향 필름을 제조하는 데 유용하고 공산품으로서 안정한 코팅 유체 및 상기 코팅 유체를 효과적으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 액정 수직 배향 필름을 형성하는 데 유용한 코팅 유체는 규소 화합물 (A) 의 1 몰당 규소 화합물 (B) 가 0.05 내지 0.43 몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 알콜 (C) 가 0.5 내지 100 몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 옥살산 (D) 가 0.2 내지 2 몰인 비로, 하기 화학식 (1) :
[화학식 1]
Si(OR)4(1)
(식중, R 은 C1-5알킬기이다) 의 규소 화합물 (A), 하기 화학식 (2) :
[화학식 2]
R1Si(OR)3(2)
(식중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R 은 상기 정의된 바와 같다) 의 규소 화합물 (B), 하기 화학식 (3) :
[화학식 3]
R2CH2OH (3)
(식중, R2는 수소원자이거나, 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다) 의 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고 ; 반응 혼합물내의 규소 원자로부터 계산하여 SiO2농도를 0.5 내지 10 중량 % 로 유지하고 물이 없도록 유지하면서, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총량이 5 몰 % 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열시켜 수득된 폴리실옥산 용액으로 이루어진다.
본 발명의 액정 수직 배향 필름 형성 방법은 전극 기판 표면상에 상기 코팅 유체를 코팅하여 코팅물을 생성하고 80 내지 400 ℃ 의 온도로 코팅물을 열경화하는 것으로 이루어진다. 상기 액정 수직 배향 필름은 전극 기판 표면상에 접착한 채로 형성된다.
상기 폴리실옥산 용액은 투명하고 겔 형태의 폴리실옥산은 함유하지 않는다. 다량의 알콜 (C) 및 상대적으로 다량의 옥살산 (D) 이 공존한다고 해도, 규소 화합물 (A) 및 (B) 를 물의 부재하에 반응 혼합물에서 가열하므로, 상기 폴리실옥산은 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 가수분해물의 축합에 의해 생성된 것이 아니다. 폴리실옥산이 알콜 용매에서 가수분해 방법에 의해 알콕시실옥산으로부터 생성될 때, 가수분해 과정시에 액체가 혼탁될 경향이 있거나 비균일 폴리실옥산이 생성되기 쉽다. 본 발명의 상기 혼합물에서 상기 현상은 발생하지 않을 것이다.
본 발명의 폴리실옥산의 화학 구조는 복잡하고 특정적으로 정의할 수 없다. 그러나, 알콜 (C) 가 옥살산 (D) 와 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 반응에 의해 생성된 중간체에 작용할 것이기 때문에, 용액을 생성하는 데적합한 중합도를 갖고 상대적으로 균일한 구조를 갖는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 공-축합 폴리실옥산이 분지 구조를 가지더라도 중합이 진행되는 동안 생성될 것이다.
전극 기판상에 코팅된 상기 폴리실옥산 용액을 함유하는 코팅물을 가열하여, 코팅물로부터의 휘발성 물질의 제거와 코팅물내에 폴리실옥산의 경화 반응이 진행되어, 그로 인해 기판 표면에 접착되고 수직 배향에 우수한 특성을 가진 수불용성 코팅 필름이 형성된다.
본 발명은 바람직한 실시양태에 관하여 상세히 설명할 것이다.
상기 화학식 (1) 및 (2) 에서 알킬기 R 의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 및 펜틸을 포함한다. 규소 화합물 (A) 의 바람직한 예는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란을 포함한다. 그들 중, 특히 바람직한 것은 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란이다. 상기 화합물을 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 조합하여 사용할 수 있다.
상기 화학식 (2) 에서 알킬기 R1의 예는 헥실, 헵틸, 옥틸, 도데실, 헥사데실 및 옥타데실과 같은 미치환 알킬기, 및 트리플루오로프로필, 헵타플루오로펜틸, 헵타플루오로이소펜틸, 트리데카플루오로옥틸 및 헵타데카플루오로데실과 같은 플루오르화 알킬기를 포함한다. 규소 화합물 (B) 의 바람직한 예는 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란 및 옥타데실트리에톡시실란과 같은 미치환 알킬트리알콕시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란 및 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란과 같은 하기 화학식 (4):
CF3(CF2)nCH2CH2Si(OR)3(4)
(식중, n 은 0 내지 17 의 정수이고, R 은 C1-5의 알킬기이다) 의 플루오르화 직쇄 알킬트리알콕시실란, 및 헵타플루오로이소펜틸트리메톡시실란 [(CF3)2CFCH2CH2Si(OCH3)3] 과 같은 플루오르화 분지쇄 알킬트리알콕시실란을 포함한다. 상기 화합물을 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 조합하여 사용할 수 있다.
상기 화학식 (3) 에서 미치환 알킬기 R2의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸 및 옥틸을 포함한다. 미치환 알킬기 R2의 예는 히드록시메틸, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 히드록시에틸, 메톡시에틸 및에톡시에틸을 포함한다. 알콜 (C) 의 바람직한 예는 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르를 포함한다. 상기 규소 화합물을 단독 또는 둘 이상의 혼합물로서 조합하여 사용할 수 있다. 그들 중, 특히 바람직한 것은 에탄올이다.
균일 폴리실옥산 용액은 규소 화합물 (B) 가 규소 화합물 (A) 1 몰당 0.43 몰이 초과하는 양으로 사용되는 반응 혼합물로부터는 거의 수득할 수 없다. 규소 화합물 (B) 가 규소 화합물 (A) 1 몰당 0.05 몰 미만의 양으로 사용되는 반응 혼합물로부터는, 수직 배향 특성을 나타내는 코팅 필름을 거의 형성할 수 없다. 특히 바람직한 것은 규소 화합물 (B) 가 규소 화합물 (A) 1 몰당 0.05 내지 0.25 몰의 양으로 사용되는 것이다.
알콜 (C) 를 규소 화합물 (A) 및 (B) 내에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 0.5 몰보다 작은 양으로 사용한다면, 폴리실옥산을 생성하는 데 긴 시간이 걸리며, 그로 인해 수득된 폴리실옥산을 함유하는 액체로부터 높은 경도를 갖는 코팅 필름을 형성하는 것이 어려워지는 경향이 있다. 반면에, 알콜 (C) 를 규소 화합물 (A) 및 (B) 내에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 100 몰보다 많은 양으로 사용한다면, 수득된 폴리실옥산-함유 액체내의 SiO2농도가 부적절한 경향이 생기고, 따라서, 코팅이전에 농축해야할 필요가 생기므로 비효율적이다. 규소 화합물 (A) 및 (B) 내에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 1 내지 50 몰의 양으로 알콜 (C) 를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
옥살산 (D) 를 규소 화합물 (A) 및 (B) 내에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 0.2 몰보다 작은 양으로 사용한다면, 수직 배향 특성을 나타내는 코팅 필름을 형성하기가 어려워지고, 형성 필름의 경도가 낮아지는 경향이 있다. 반면에, 옥살산 (D) 를 규소 화합물 (A) 및 (B) 내에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 2 몰 초과의 양으로 사용한다면, 생성된 폴리실옥산-함유 액체는 상대적으로 다량의 옥살산 (D) 를 함유하고, 상기 액체로부터 원하는 특성을 갖는 코팅 필름을 수득하기가 어려운 경향이 있다. 규소 화합물 (A) 및 (B) 내에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 0.25 내지 1 몰의 양으로 옥살산 (D) 를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
폴리실옥산 용액의 제조시, 경우에 따라 상기 규소 화합물 (A) 및 (B), 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 뿐만 아니라, 상기 규소 화합물 (A) 및 (B) 로서 사용되지 않은 알콕시실란을 규소 화합물 (A) 1 몰당 2 내지 20 몰의 양으로 개질제로서 혼입할 수 있다. 상기 개질제의 바람직한 예는 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메트아크릴옥시프로필트리메톡시실란 및 γ-메트아크릴옥시프로필트리에톡시실란과 같은 트리알콕시실란, 및 디메틸디메톡시실란 및 디메틸디에톡시실란과 같은 디알콕시실란을 포함한다. 상기 개질제는 전극 기판상에 코팅물을 경화하는 데 더 낮은 온도를 제공하며 필름을 전극 기판으로 접착하는 것을 개선한다.
규소 화합물 (A) 및 (B), 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 로 이루어진 반응 화합물을 상기 성분을 혼합하거나 또는 상기 개질제를 거기에 혼입하여 생성할 수 있다. 상기 반응 혼합물에 물을 첨가하지 않을 수 있다. 상기 반응 혼합물을 바람직하게는 용액의 형태로 가열한다. 예를 들어, 바람직하게는 예비로 옥살산 (D) 를 알콜 (C) 에 첨가하여 옥살산의 알콜 용액을 생성하고 다음에 규소 화합물 (A) 및 (B) 및 상기 개질제를 용액에 혼합하여 수득된 용액의 형태로 반응 혼합물로서 가열한다. 상기 언급된 비로, 규소 화합물 (A), 규소 화합물 (B), 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 를 함유하는 반응 혼합물은 통상적으로 거기에 함유된 규소 원자가 SiO2로서 계산될 때, 0.5 내지 10 중량 % 의 SiO2농도를 가진다. 또한 상기 개질제를 함유하는 반응 혼합물의 경우에, 상기 개질제를 혼입하여 거기에 함유된 규소 원자가 SiO2로서 계산될 때, 혼합물은 0.5 내지 10 중량 % 의 SiO2농도를 가질 것이다. 상기 반응 혼합물을 상기 SiO2농도에서 물의 부재하에 반응 혼합물을 가열하는 동안 유지시킨다. 상기 가열을 50 내지 180 ℃ 의 액체 온도에서 통상의 반응기에서 수행할 수 있다. 바람직하게는 예를들어, 폐쇄된 용기 또는 환류하에서 가열시켜 반응기로부터 액체의 증발 또는 휘발이 일어나지 않게 한다.
50 ℃ 미만의 온도에서 폴리실옥산이 생성되도록 가열한다면, 액체는 혼탁해지거나 또는 수불용성 물질을 함유하게 된다. 따라서, 상기 가열을 50 ℃ 이상에서 수행한다. 온도가 높으면 단시간에 조작이 종결될 수 있다. 그러나, 180 ℃ 이상의 온도에서 가열이 불충분하면, 거기에서는 더이상 얻을 장점이 없을 것이다. 가열 시간은 특별하게 제한적이지 않다. 예를들어, 통상적으로 50 ℃ 에서 약 8 시간 및 환류하에서 78 ℃, 3 시간이다. 통상적으로, 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총 사용량을 기준으로, 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 양이 5 몰 % 이하일 때, 가열이 종결된다. 사용된 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총량을 기준으로, 상기 규소 화합물의 5 몰 % 초과가 잔류하는 폴리실옥산-함유 액체를 전극 기판 표면위에 코팅한 후 코팅물을 80 내지 400 ℃ 의 온도로 열경화하면, 형성되는 코팅 필름은 핀홀을 가지는 경향이 있거나, 또는 적합한 경도를 갖는 코팅 필름을 수득하기가 어려워지는 경향이 있다.
상기 가열에 의해 수득된 폴리실옥산 용액을 다음 코팅 단계에 대해 코팅 유체로서 직접 사용할 수 있다. 그러나, 원한다면, 농축하거나 희석시켜 코팅 유체로서 유용한 용액을 수득하거나 또는 용매를 다른 용매로 치환시켜 코팅 유체로서 유용한 용액을 수득할 수 있다. 그렇지 않으면, 거기에 임의의 첨가제를 첨가하여 코팅 유체를 수득할 수 있다. 상기 첨가제의 예는 콜로이달 미립자, 다른 금속 염 및 금속 화합물과같은 고형 무기 미립자를 포함한다. 상기 첨가제는 필름의 경도, 전극 기판에의 접착, 굴절률 등을 조절하는 데 적합하다.
코팅 단계에 사용되는 코팅 유체는 바람직하게는 SiO2로서 계산하여, 상기 폴리실옥산 투명 용액으로부터 유래된 0.5 내지 10 중량 % 의 규소 원자를 함유하는 유체이다. SiO2농도가 0.5 % 미만이면, 코팅 조작에 의해 형성된 코팅 필름의 두께는 얇아지는 경향이 있다. 농도가 10 중량 % 를 초과하면, 상기 코팅 유체의 저장력은 부적합해진다. 특별히 바람직하게는 상기 코팅 유체의 SiO2농도가 2 내지 8 중량 % 이다.
상기 폴리실옥산 용액을 침지법, 방사 코팅법, 브러쉬 코팅법, 롤 코팅법 또는 플렉소(flexo) 프린팅법과 같은 통상적인 방법에 의해 전극 기판상에 코팅할 수 있다.
전극 기판상에 형성된 코팅물을 직접 열경화할 수 있다. 그러나, 상기 열경화에 앞서, 실온에서 80 ℃ 까지, 바람직하게는 50 내지 80 ℃ 의 온도로 건조시킨 다음, 80 내지 400 ℃, 바람직하게는 100 내지 350 ℃ 의 온도로 가열할 수 있다. 상기 가열에 필요한 시간은 적합한 열경화에 대해 5 내지 60 분일 수 있다. 상기 가열 온도가 80 ℃ 미만이면, 형성된 코팅 필름의 경도, 내화학성 등이 부적합해진다. 350 ℃ 보다 높은 온도, 특히 400 ℃ 초과에서 열 경화하는 것은, 수직 배향 특성이 불량해지므로 바람직하지 않다. 상기 가열은 통상적인 방법, 예를들어,열판, 오븐 또는 벨트 로를 사용하여 수행할 수 있다.
경화 후 필름의 두께는 통상적으로 100 내지 2,000 Å 의 범위로 조정된다. 필름 두께가 100 Å 보다 얇으면, 핀홀이 생기기 쉽고, 상기 필름을 갖는 액정 장치는 전도도에서 안정성이 약화되거나 또는 액정 디스플레이에서 결점이 생기는 것과 같은 단점을 갖는 경향이 있다. 반면에, 2,000 Å 을 초과하면, 필름 표면의 균일성이 불량해지거나, 또는 필름에 금이 가는 경향이 생긴다.
본 발명은 실시예와 관련하여 더 자세히 설명된다. 그러나 본 발명은 상기 특정한 실시예에 국한되지 않는다는 것이 주지되어야한다.
실시예 및 비교예의 폴리실옥산 용액을 제조 하였고, 상기 용액의 안정성 및 상기 용액으로부터 수득된 필름의 수행능력을 시험하였다.
실시예
52.8 g 의 에탄올을 환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 투입하고, 20.0 g 의 옥살산을 교반하면서 상기 에탄올에 점진적으로 첨가하여, 옥살산의 에탄올 용액을 제조하였다. 다음에, 상기 용액을 환류 온도까지 가열하고, 21.8 g 의 테트라에톡시실란 및 4.9 g 의 옥타데실트리에톡시실란으로 이루어진 혼합물을 환류 하에서 상기 용액에 적가하였다. 적가가 종결된 후, 환류 하에서 5 시간 동안 계속하여 가열하고나서, 냉각시키고, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-1) 을 수득하였다.
상기 용액을 기체 크로마토그래피로써 분석하고, 거기서 알콕시실란 단량체는 검출되지 않았다.
실시예 2
52.3 g 의 에탄올을 환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 투입하고, 20.5 g 의 옥살산을 교반하면서 상기 에탄올에 점진적으로 첨가하여, 옥살산의 에탄올 용액을 제조하였다. 다음에, 상기 용액을 환류 온도까지 가열하고, 21.8 g 의 테트라에톡시실란 및 5.5 g 의 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란 [CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3] 으로 이루어진 혼합물을 환류 하에서 상기 용액에 적가하였다. 적가가 종결된 후, 환류 하에서 5 시간 동안 계속하여 가열하고나서, 냉각시키고, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-2) 을 수득하였다. 상기 용액을 기체 크로마토그래피로써 분석하고, 거기서 알콕시실란 단량체는 검출되지 않았다.
실시예 3
52.6 g 의 에탄올을 환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 투입하고, 20.5 g 의 옥살산을 교반하면서 상기 에탄올에 점진적으로 첨가하여, 옥살산의 에탄올 용액을 제조하였다. 다음에, 상기 용액을 환류 온도까지 가열하고, 21.8 g 의 테트라에톡시실란, 2.7 g 의 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란 [CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3] 및 2.5 g 의 옥타데실트리에톡시실란으로 이루어진 혼합물을 환류 하에서 상기 용액에 적가하였다. 적가가 종결된 후, 환류 하에서 5 시간 동안 계속하여 가열하고나서, 냉각시키고, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-3) 을 수득하였다. 상기 용액을 기체 크로마토그래피로써 분석하고, 거기서 알콕시실란 단량체는 검출되지 않았다.
실시예 4
49.7 g 의 에탄올을 환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 투입하고, 20.0 g 의 옥살산을 교반하면서 상기 에탄올에 점진적으로 첨가하여, 옥살산의 에탄올 용액을 제조하였다. 다음에, 상기 용액을 환류 온도까지 가열하고, 19.4 g 의 테트라에톡시실란, 10.9 g 의 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란 [CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3]으로 이루어진 혼합물을 환류 하에서 상기 용액에 적가하였다. 적가가 종결된 후, 환류 하에서 5 시간 동안 계속하여 가열하고나서, 냉각시키고, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-4) 을 수득하였다.
상기 용액을 기체 크로마토그래피로써 분석하고, 거기서 알콕시실란 단량체는 검출되지 않았다.
비교예 1
환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 64.9 g 의 에탄올, 21.8 g 의테트라에톡시실란 및 5.6 g 의 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란[CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3] 을 첨가하고 균일하게 혼합하였다. 다음에, 7.6 g 의 물 및 0.1 g 의 질산을 촉매로서 상기 용액에 첨가하고나서, 30 분간 교반 및 혼합하였다. 다음에, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 거기에 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-5) 을 수득하였다.
비교예 2
환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 65.5 g 의 에탄올, 21.8 g 의 테트라에톡시실란 및 5.0 g 의 옥타데실트리에톡시실란을 첨가하고 균일하게 혼합하였다. 다음에, 7.6 g 의 물 및 0.1 g 의 질산을 촉매로서 상기 용액에 첨가하고나서, 30 분간 교반 및 혼합하였다. 다음에, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 거기에 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-6) 을 수득하였다.
비교예 3
환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 62.7 g 의 에탄올, 19.4 g 의 테트라에톡시실란 및 10.9 g 의 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란[CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3] 을 첨가하고 균일하게 혼합하였다. 다음에, 6.9 g 의 물 및 0.1 g 의 질산을 촉매로서 상기 용액에 첨가하고나서, 30 분간 교반 및 혼합하였다. 다음에, 75g 의 부틸 셀로솔브를 거기에 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-7) 을 수득하였다.
비교예 4
환류 응축기를 갖춘 4-목 플라스크에 62.7 g 의 에탄올 및 19.4 g 의 테트라에톡시실란을 투입하고 교반하며 혼합하였다. 다음에, 6.9 g 의 물 및 0.1 g 의 질산을 촉매로서 상기 용액에 첨가하고나서, 30 분간 교반 및 혼합하였다. 이어서 10.9 g 의 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란[CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3] 을 거기에 첨가하고 균일하게 혼합하였다. 다음에, 75 g 의 부틸 셀로솔브를 거기에 첨가하여 4 중량 % 의 SiO2농도를 갖는 폴리실옥산 용액 (L-7) 을 수득하였다.
실시예 5
폴리실옥산 용액 (L-1) 내지 (L-8) 을 유리 용기에서 봉해진 채로 3 개월간 25 ℃ 에서 두었다. 상기 기간동안, 혼탁함 또는 상기 용액에서 생성된 침전물의 존재 또는 부재를 관찰하였고, 그 결과를 표 1 에 나타냈다. 표 1 에서, 기호 ○ 는 3 개월간 상기 저장 만기시에 아무런 변화가 없었다는 것을 나타내고, 기호 △ 는 상기 저장이 1 개월이 되었을 때, 혼탁이 관찰되었다는 것을 나타내며, 기호 × 는 상기 저장이 2 주내에 혼탁이 관찰되었다는 것을 나타낸다. 용액 (L-6) 에서, 백색 침전물이 7 일내에 관찰되고, 용액 (L-7) 에서 용액의 제조동안 혼탁이 관찰되었으며,용액 (L-8) 에서 7 일내에 혼탁이 관찰되었다. 표 1 에서, 용액의 제조에 사용된 규소 화합물 (A)에 대한 규소 화합물 (B) 의 몰 비도 나타낸다.
용액 몰 비 안정도 필름 형성 특성
L-1 0.11
L-2 0.11
L-3 0.11
L-4 0.25
L-5 0.11
L-6 0.11 ×
L-7 0.25 × ×
L-8 0.25 ×
표 1 에 나타난 결과는 실시예의 모든 폴리실옥산 용액이 우수한 반면, 비교예의 가수분해에 의해 제조된 폴리실옥산 용액 (L-5) 및 (L-6) 은 안정성에서 불량하다는 것을 나타낸다.
실시예 6
폴리실옥산 용액 (L-1) 내지 (L-8) 중의 하나를 인듐- 주석 옥시드 (ITO) 의 전기 전도 물질 및 도전체를 덮는 유리 시이트로 이루어진 전극 기판의 유리 시이트 위에 방사 코우터에 의해 코팅한 후, 80 ℃ 에서 건조시켜 유리 시이트 위에 코팅 필름을 형성시키고, 거기에서 코팅 필름의 표면을 관찰하여 상기 용액의 필름-형성 특성을 시험하였다. 그 결과를 표 1 에 나타난다. 표 1 에서, 기호 ○ 는 코팅 필름이 균일하다는 것을 나타내고, 기호 △ 는 코팅 필름에서 핀홀이 부분적으로 관찰되는 것을 나타내고, 기호 × 는 코팅 필름에서 갈라진 부분이 관찰되었다는 것을 나타낸다. 표 1 에 나타난 결과는 비교예의 폴리실옥산 용액 (L-6) 내지(L-8) 이 안정성이 부적합할 뿐아니라 필름-형성 특성도 부적합하다는 것을 나타낸다.
실시예 7
실시예 6 에서 시험한 후, 코팅 필름을 표 2 에 나타난 바와 같은 온도에서 60 분간 가열하여 전극 기판상에 열경화 필름을 형성하였다.
다음에, 한쌍의 전극 기판을 그사이에 삽입된 50 ㎛ 의 스페이서 (spacer) 로써 결합하여 상기 언급된 열경화 필름을 갖는 면을 안쪽에 위치시켜, 내부 공극 공간을 형성시킨다. 다음에, 내부 공극 공간으로 액정 ZLI-4792 (상표명, E. Merck 사 제조) 를 주입시킨 다음, 봉하여 액정 디스플레이 셀을 수득하였다.
제조된 셀을 교차된 니콜 (Nicol) 상태에서 편광 현미경으로 관찰하여 미시적 가시장에서 이소자이르 (isogyre) 상태를 조사하여 수직 배향 액정에 대한 특성을 시험하였다. 또한 셀에 10 분간 100 ℃ 에서 열 처리를 적용한 후 동일한 방법으로 수직 배향에 대한 상기 특성을 시험하였다.
별도로, 편광판을 상기 전술된 바와 같이 동일한 방법에서 제조된 셀에 결합하고, 셀을 통해 투과된 광의 상태를 가시적으로 관찰하여 액정 배향 특성을 시험하였다. 10 분간 100 ℃ 에서 열 처리를 적용한 후 동일한 방법으로 배향에 대한 상기 특성을 시험하였다.
상기 시험 결과를 표 2 에 나타낸다. 표 2 에서, 수직 배향 특성과 관련하여, 기호 ○ 는 뚜렷한 이소자이르가 관찰되고, 셀의 액정은 우수한 수직 배향 특성을 나타내는 것을 의미하고, 기호 △ 는 이소자이르 중앙의 전위가 관찰되고, 셀의 액정은 약간 약한 수직 배향 특성을 나타내는 것을 의미하고, 기호 × 는 이소자이르가 관찰되지 않고 셀의 액정이 수직 배향 특성이 없음을 나타낸다. 또한, 표 2 에서, 배향 특성과 관련하여, 기호 ○ 는 셀의 액정이 균일한 배향을 나타내고, 기호 △ 는 셀의 액정이 약간 비-균일 배향을 나타내고, 기호 × 는 셀의 액정이 배향을 나타내지 않음을 나타낸다.
사용된 용액 열경화 온도 (℃) 수직 배향 특성 배향
열 처리 전 열 처리 후 열 처리 전 열 처리 후
L-1 180
L-1 300
L-1 450
L-2 180
L-3 180
L-4 180
L-5 180 × × × ×
L-6 180 ×
L-7 180 × ×
L-8 180
표 2 에 나타난 결과는 심지어 본 발명의 실시예의 용액 (L-1) 을 사용할 경우라도, 열경화 필름이 450 ℃ 의 온도에서 형성된다면, 상기 필름의 액정 수직 배향 특성은 부적합하다는 것을 나타낸다. 또한, 비교예의 폴리실옥산 용액 (L-5) 내지 (L-8) 은 수직 배향 및 배향 특성과 관련하여 부적합하다는 것을 나타낸다.
본 발명에 따라, 출발물질을 혼합하고, 단지 한번의 열 처리를 수행하여 코팅 유체를 간단히 효율적으로 제조할 수 있고, 상기 코팅 유체는3 개월 이상, 바람직하게는 6 개월 이상, 실온에서 안전하며 따라서 공산물로서 공급할 수 있다.
상기 코팅 유체를 통상적인 전극 기판상에 적용할 수 있다. 그리고, 상기 전극 기판상에 코팅 유체를 코팅한 후, 만일 필요하다면 건조 후에, 열경화하여 간단히 전극 기판상에 액정 수직 배향 필름을 형성할 수 있다.
본 발명의 액정 수직 배향 필름은 우수한 액정 수직 배향 및 우수한 배향 균일성을 나타내며, 또한 내구력을 가져서 그로 인해 그의 수행성은 심지어 가열시에도 약화되지 않는다. 또한, 상기 형성된 배향 필름의 표면상에, 필요한 경우에 나일론, 목화 또는 레이온으로 만든 천으로써 소위 마찰 처리를 적용하여, 한층 개선된 수직 배향 특성을 갖는 필름을 형성할 수 있다.
본 발명의 액정 배향 필름은 다양한 통상의 액정에 효과적으로 유용하다. 본 발명의 코팅 유체를 액정 디스플레이 셀을 제조하는 다양한 통상의 방법에 사용할 수 있다.

Claims (18)

  1. 규소 화합물 (A) 의 1 몰당 규소 화합물 (B) 가 0.05 내지 0.43 몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 알콜 (C) 가 0.5 내지 100 몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 옥살산 (D) 가 0.2 내지 2 몰인 비로, 하기 화학식 (1) :
    [화학식 1]
    Si(OR)4(1)
    (식중, R 은 C1-5알킬기이다) 의 규소 화합물, 하기 화학식 (2) :
    [화학식 2]
    R1Si(OR)3(2)
    (식중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R 은 상기 정의된 바와 같다) 의 규소 화합물, 하기 화학식 (3) :
    [화학식 3]
    R2CH2OH (3)
    (식중, R2는 수소원자이거나, 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다) 의 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고 ; 반응 혼합물내의 규소 원자로부터 계산하여 SiO2농도를 0.5 내지 10 중량 % 로 유지하고 물이 없도록 유지하면서, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총량이 5 몰 % 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열시켜 폴리실옥산 용액을 생성하고 ; 이어서 전극 기판 표면상에 폴리실옥산 용액으로 이루어진 코팅 유체를 코팅하여 코팅물을 생성하고 ; 전극 기판 표면상에 접착된 채로, 코팅물을 80 내지 400 ℃ 의 온도에서 열경화시켜 액정 수직 배향 필름을 형성하는 것으로 이루어지는, 전극 기판 표면상에 액정 수직 배향 필름을 형성하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 규소 화합물 (A) 가 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 규소 화합물 (A) 가 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 규소 화합물 (B) 가 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란,옥틸트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 및 헵타플루오로이소펜틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 알콜 (C)가 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 알콜인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 알콜 (C) 가 에탄올인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 규소 화합물 (A) 의 1 몰당 규소 화합물 (B) 가 0.05 내지 0.43 몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 알콜 (C) 가 0.5 내지 100 몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 옥살산 (D) 가 0.2 내지 2 몰인 비로, 하기 화학식 (1) :
    화학식 1
    Si(OR)4(1)
    (식중, R 은 C1-5알킬기이다) 의 규소 화합물, 하기 화학식 (2) :
    화학식 2
    R1Si(OR)3(2)
    (식중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R 은 상기 정의된 바와 같다) 의 규소 화합물, 하기 화학식 (3) :
    화학식 3
    R2CH2OH (3)
    (식중, R2는 수소원자이거나, 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다) 의 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고 ; 반응 혼합물내의 규소 원자로부터 계산하여 SiO2농도를 0.5 내지 10 중량 % 로 유지하고 물이 없도록 유지하면서, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총량이 5 몰 % 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열시켜 수득한 폴리실옥산 용액을 함유하는, 전극 기판 표면상에 액정 수직 배향 필름을 형성시키기 위한 코팅 유체.
  8. 제 7 항에 있어서, 규소 화합물 (A) 가 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
  9. 제 7 항에 있어서, 규소 화합물 (A) 가 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
  10. 제 7 항에 있어서, 규소 화합물 (B) 가 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 및 헵타플루오로이소펜틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
  11. 제 7 항에 있어서, 알콜 (C)가 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 알콜인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
  12. 제 7 항에 있어서, 알콜(C)가 에탄올인 것을 특징으로 하는 코팅 유체.
  13. 규소 화합물 (A) 의 1 몰당 규소 화합물 (B) 가 0.05 내지 0.43 몰인 비, 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 알콜 (C) 가 0.5 내지 100 몰인 비, 및 규소 화합물 (A) 및 (B) 에 함유된 총 알콕시기 1 몰당 옥살산 (D) 가 0.2 내지 2 몰인 비로, 하기 화학식 (1) :
    화학식 1
    Si(OR)4(1)
    (식중, R 은 C1-5알킬기이다) 의 규소 화합물, 하기 화학식 (2) :
    화학식 2
    R1Si(OR)3(2)
    (식중, R1은 미치환 또는 플루오르화된 C3-20알킬기이고, R 은 상기 정의된 바와 같다) 의 규소 화합물, 하기 화학식 (3) :
    화학식 3
    R2CH2OH (3)
    (식중, R2는 수소원자이거나, 미치환 또는 치환된 C1-12알킬기이다) 의 알콜 (C) 및 옥살산 (D) 로 이루어진 반응 혼합물을 제조하고 ; 반응 혼합물내에 규소 원자로부터 계산하여 SiO2농도를 0.5 내지 10 중량 % 로 유지하고 물이 없도록 유지하면서, 반응 혼합물내에 잔류하는 규소 화합물 (A) 및 (B) 의 총량이 5 몰 % 이하가 될 때까지 상기 반응 혼합물을 50 내지 180 ℃ 의 온도에서 가열시키는 것으로 이루어진, 전극 기판 표면상에 액정 수직 배향 필름을 형성시키기 위한 코팅 유체의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 규소 화합물 (A) 가 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 규소 화합물 (A) 가 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 규소 화합물 (B) 가 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리메톡시실란, 헵타플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 및 헵타플루오로이소펜틸트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 13 항에 있어서, 알콜 (C)가 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 알콜인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 알콜 (C) 가 에탄올인 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211522B2 (en) 2001-04-24 2007-05-01 Nissan Chemical Industries, Ltd. Method of forming thick silica-based film

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000015428A1 (fr) * 1998-09-16 2000-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Film fonctionnel, procede de fabrication de ce film, element d'affichage a cristaux liquides utilisant ce film et procede de production de cet element d'affichage
US7070839B2 (en) * 1998-09-16 2006-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional film, method of fabricating the same, liquid crystal display device using functional film, and method of fabricating the same
TW468053B (en) 1999-12-14 2001-12-11 Nissan Chemical Ind Ltd Antireflection film, process for forming the antireflection film, and antireflection glass
JP4788852B2 (ja) * 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
JP4138681B2 (ja) * 2003-03-06 2008-08-27 日東電工株式会社 ねじれ傾斜配向フィルムの製造方法
US7622166B2 (en) * 2003-11-28 2009-11-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical element, process for producing the same, substrate for liquid crystal alignment, liquid crystal display device, and birefringent material
JP2006276501A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Seiko Epson Corp 配向膜、配向膜の形成方法、電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器
TWI391454B (zh) * 2005-06-17 2013-04-01 Nissan Chemical Ind Ltd 用於形成膜之塗覆流體及其膜與形成膜之方法
KR101364921B1 (ko) * 2006-03-07 2014-02-19 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 규소계 액정 배향제, 액정 배향막 그리고 그들의 제조 방법
US8399068B2 (en) * 2007-08-21 2013-03-19 Jsr Corporation Liquid crystal aligning agent, method of producing a liquid crystal alignment film and liquid crystal display device
WO2009025385A1 (ja) 2007-08-21 2009-02-26 Jsr Corporation 液晶配向剤、液晶配向膜の製造方法および液晶表示素子
JP4544438B2 (ja) * 2007-11-27 2010-09-15 Jsr株式会社 液晶配向剤、液晶配向膜の形成方法および液晶表示素子
CN101889243B (zh) * 2008-01-30 2012-10-17 Jsr株式会社 液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件
JP2009223139A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法、電子機器
JP2009223138A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法、電子機器
WO2010074261A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 日産化学工業株式会社 インクジェット塗布用液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
KR102018163B1 (ko) * 2013-02-07 2019-09-04 제이에스알 가부시끼가이샤 액정 배향제, 액정 배향막 그리고 액정 표시 소자 및 그의 제조 방법
US11886001B2 (en) * 2019-12-20 2024-01-30 Snap Inc. Optical waveguide fabrication process

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4437731A (en) * 1980-06-18 1984-03-20 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device
JPS5742019A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JPS5756819A (en) * 1980-09-22 1982-04-05 Hitachi Ltd Liquid crystal display element
JPS5764209A (en) * 1980-10-07 1982-04-19 Hitachi Ltd Liquid crystal display element and its manufacture
US4472027A (en) * 1980-12-25 1984-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Method for the orientation of liquid crystal and liquid crystal display device
JPS61117524A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Seiko Instr & Electronics Ltd 液晶表示素子
JP2881847B2 (ja) * 1988-12-15 1999-04-12 日産化学工業株式会社 コーティング用組成物及びその製造法
JP3127542B2 (ja) * 1992-01-14 2001-01-29 日産化学工業株式会社 液晶表示素子絶縁被膜形成用塗布液

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211522B2 (en) 2001-04-24 2007-05-01 Nissan Chemical Industries, Ltd. Method of forming thick silica-based film
US7491651B2 (en) 2001-04-24 2009-02-17 Nissan Chemical Industries, Ltd. Method of forming thick silica-based film

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Publication number Publication date
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KR970062769A (ko) 1997-09-12
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DE69728201T2 (de) 2004-08-12
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DE69728201D1 (de) 2004-04-29
EP0790522B1 (en) 2004-03-24

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