KR970060395A - 투과형 전자현미경의 평면샘플의 제작방법 및 그 투과형 전자현미경에 의한 결함측정 방법 - Google Patents

투과형 전자현미경의 평면샘플의 제작방법 및 그 투과형 전자현미경에 의한 결함측정 방법 Download PDF

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Abstract

불량의 원인이 되어 있는 결정결함의 윤곽이나 발생부분을 관찰할 수 있음과 동시에, 결정결함의 성질의 동정을 행하기 위한 특수관찰법이 가능해지는 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법 및 그 투과형 전자 현미경에 의한 결함 측정방법을 제공한다. 고집적소자중에 존재하는 불량부분의 주변에 마킹하는 것에 의해 불량부분을 특정화하고, 투과형 전자현미경 관찰을 할 때 불필요한 영역을 제거하는 경면연마에 의한 샘플을 제작하며, 그 샘플의 이면에서 연마에 의해, 예를 들면 100㎛ 정도로 박막화한다. 다음에 다시 이면에서 샘플13을 딤플 가공한다. 이때, 딤플의 가장 깊은 곳이 샘플13의 중심, 즉 샘플표면의 마킹위치가 되도록 한다. 딤플가공에 의해 가장 깊은 곳의 막두께는 10㎛ 전후로 한다. 마지막으로 샘플에서 이온밀링가공을 하는 것에 의해, 불량부주변을 전자선이 투과할 정도로 박막화한다.

Description

투과형 전자현미경의 평면샘플의 제작방법 및 그 투과형 전자현미경에 의한 결함측정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예를 나타내는 경면연마에 있어서의 샘플의 유지 기구를 도시한 도면.

Claims (9)

  1. (a) 고집적소자중에 존재하는 불량부분의 주변에 마킹하는 것에 의해, 불량 부분을 특정화하는 공정과, (b) 투과형 전자현미경 관찰을 할 때 불필요한 영역을 제거하는 경면연마(鏡面硏磨)에 의한 샘플의 제작공정과, (c) 상기 샘플의 박막화 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법.
  2. 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법에 있어서, 상기 샘플의 박막화 공정은, 해당 샘플의 이면을 연마하여 박막화하고, 다시 해당 샘플의 이면에 딤플가공과 이온일링가공을 실시하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법.
  3. 제2항에 있어서, 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법에서, 상기 샘플의 제작공정은, 해당 샘플을 미세한 각도로 경사시켜 놓는 것에 의해, 상기 경면연마단(鏡面硏磨端)과 상기 마킹의 배치에서 상층부의 나머지 폭을 규정하도록 한 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법.
  4. 제2항에 있어서, 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법에서, 상기 샘플의 박막화 공정은 상기 샘플표면의 연마단에 평행으로, 마킹위치로부터 어느 절대량을 남기고 절단함에 의해, 상기 샘플의 박막화에 대한 딤플가공위치의 설정을 하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법.
  5. 제1항에 있어서, 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법에서, 상기 샘플의 박막화 공정은, 상기 샘플표면의 연마단에 평행으로, 마킹위치로부터 어느 절대량을 남기고 절단한 후, 상기 샘플을 이면으로부터 미세한 각도로 경사시켜서 박막화함에 의해, 상기 마킹위치에서의 상기 샘플의 막두께를 규정하도록 한 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경용의 평면샘플의 제작방법.
  6. 고집적소자중에 존재하는 불량부분의 주변을 마킹하는 것에 의해 불량부분을 특정화하고, 투과형 전자현미경 관찰을 할 때 불필요한 영역을 제거하는 경면연마에 의한 샘플을 제작하며, 상기 샘플의 박막화를 한 샘플에 전자선을 조사(照射)하여, 해당 전자선이 샘플을 투과할 때에 샘플의 결함과의 상호작용에 의해 전자선에 산란이 생기도록 해서, 해당 산란을 검출하여 상기 결함의 해석을 하는 것을 특징으로 하는, 투과형 전자현미경에 의한 결함 측정방법.
  7. 고집적소자중에 존재하는 불량부분의 주변을 마킹하는 것에 의해 불량부분을 특정화하고, 샘플을 미세한 각도로 경사시켜 놓는 것에 의해 상기 경면연마단과 상기 마킹의 배치에서 상층부의 나머지 폭을 규정하며, 상기 샘플의 박막화를 한 샘플에 전자선을 조사하여 해당전자선이 샘플을 투과할 때에 샘플의 결함과의 상호작용에 의해 전자선에 산란이 생기게 하고, 해당 산란을 검출하여, 상기 결함의 해석을 하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경에 의한 결함 측정방법.
  8. 고집적소자중에 존재하는 불량부분의 주변을 마킹하는 것에 의해 불량부분을 특정화하고, 투과형 전자현미경 관찰을 할 때 불필요한 영역을 제거하는 경면연마에 의한 샘플을 제작하고, 상기 샘플표면의 연마단에 평행으로 마킹위치로부터 어느 절대량을 남기고 절단함에 의해, 상기 샘플의 박막화에 대한 딤플가공위치의 설정을 향한 샘플에 대하여 여러가지의 각도에서 전자선을 조사하며, 해당 전자선이 샘플을 투과할 때에 샘플의 결함과의 상호작용에 의해 전자선에 산란이 생기게 해서, 해당 산란을 검출하여 상기 결함의 해석을 하는 것을 특징으로 하는, 투과형 전자현미경에 의한 결함 측정방법.
  9. 고집적소자중에 존재하는 불량부분의 주변을 마킹하는 것에 의해 불량부분을 특정화하고, 투과형 전자현미경 관찰을 할 때 불필요한 영역을 제거하는 경면연마에 의한 샘플을 제작하며, 상기 샘플표면의 연마단에 평행으로 마킹위치로부터 어느 절대량을 남기고 절단한 뒤, 상기 샘플을 이면으로부터 미세한 각도로 경사시켜박막화함에 의해 상기 마킹위치에서의 상기 샘플의 막두께를 규정하는 샘플에 대하여, 여러가지의 각도에서에 의해, 상기 샘플의 박막화에 대한 딤플가공위치의전자선을 조사하고, 해당 전사선이 샘플을 투과할 때에 샘플의 결함과의 상호작용에 의해 전자선에 산란이생기게 하고, 해당 산란을 검출하여, 상기 결함의 해석을 하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자현미경에 의한결함 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8058142B2 (en) 1996-11-04 2011-11-15 Besang Inc. Bonded semiconductor structure and method of making the same
US20050280155A1 (en) * 2004-06-21 2005-12-22 Sang-Yun Lee Semiconductor bonding and layer transfer method
US5990478A (en) * 1997-07-10 1999-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method for preparing thin specimens consisting of domains of different materials
US6828566B2 (en) 1997-07-22 2004-12-07 Hitachi Ltd Method and apparatus for specimen fabrication
JP3304836B2 (ja) * 1997-08-07 2002-07-22 シャープ株式会社 透過型電子顕微鏡による反応プロセス観察方法
KR100279962B1 (ko) * 1997-12-29 2001-03-02 윤종용 반도체 웨이퍼의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법 및 표면디펙트의 모폴로지 분석방법
US6576900B2 (en) 2000-05-19 2003-06-10 Imago Scientific Instruments Methods of sampling specimens for microanalysis
IL140712A (en) * 2001-01-03 2008-06-05 Sela Semiconductor Eng Laboratories Improved method for preparing semiconductor wafer for defect analysis
EP1355143A3 (de) * 2002-04-18 2011-09-07 Carl Zeiss NTS GmbH Verfahren zur Präparation einer TEM-Lamelle
US20100133695A1 (en) * 2003-01-12 2010-06-03 Sang-Yun Lee Electronic circuit with embedded memory
US7799675B2 (en) * 2003-06-24 2010-09-21 Sang-Yun Lee Bonded semiconductor structure and method of fabricating the same
US7863748B2 (en) * 2003-06-24 2011-01-04 Oh Choonsik Semiconductor circuit and method of fabricating the same
US8471263B2 (en) * 2003-06-24 2013-06-25 Sang-Yun Lee Information storage system which includes a bonded semiconductor structure
US7632738B2 (en) * 2003-06-24 2009-12-15 Sang-Yun Lee Wafer bonding method
US8071438B2 (en) * 2003-06-24 2011-12-06 Besang Inc. Semiconductor circuit
US20100190334A1 (en) * 2003-06-24 2010-07-29 Sang-Yun Lee Three-dimensional semiconductor structure and method of manufacturing the same
US7867822B2 (en) 2003-06-24 2011-01-11 Sang-Yun Lee Semiconductor memory device
KR100636029B1 (ko) * 2004-09-10 2006-10-18 삼성전자주식회사 시편 보호막 형성 방법 및 이를 이용한 투과전자현미경분석용 시편 제조 방법
KR100655645B1 (ko) * 2004-10-26 2006-12-08 삼성전자주식회사 투과전자현미경용 시편 및 투과전자현미경용 시편의 제조방법
US7394075B1 (en) * 2005-02-18 2008-07-01 Cypress Semiconductor Corporation Preparation of integrated circuit device samples for observation and analysis
US20110143506A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Sang-Yun Lee Method for fabricating a semiconductor memory device
US8455978B2 (en) 2010-05-27 2013-06-04 Sang-Yun Lee Semiconductor circuit structure and method of making the same
US8367524B2 (en) * 2005-03-29 2013-02-05 Sang-Yun Lee Three-dimensional integrated circuit structure
JP4596968B2 (ja) * 2005-05-11 2010-12-15 株式会社リコー 半導体装置の不良箇所観察のためのシリコン基板加工方法及び不良箇所特定方法
TW200813418A (en) * 2006-09-06 2008-03-16 Inotera Memories Inc Method of fabricating sample membrane for transmission electron microscopy analysis
KR100945875B1 (ko) * 2007-12-26 2010-03-05 주식회사 동부하이텍 에프아이비를 이용한 티이엠 분석 방법 및 그 구조
CN101625302B (zh) * 2008-07-08 2011-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 制备透射电子显微镜样品的方法
JP4589993B2 (ja) * 2008-08-13 2010-12-01 株式会社日立製作所 集束イオンビーム装置
JP4590007B2 (ja) * 2009-10-09 2010-12-01 株式会社日立製作所 集束イオンビーム装置、それを用いた試料片作製方法及び試料ホルダ
CN102235947A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种透射电子显微镜观测样品制备方法
US8723335B2 (en) 2010-05-20 2014-05-13 Sang-Yun Lee Semiconductor circuit structure and method of forming the same using a capping layer
JP4612746B2 (ja) * 2010-06-07 2011-01-12 株式会社日立製作所 試料作製装置
JP4590023B2 (ja) * 2010-06-07 2010-12-01 株式会社日立製作所 試料ホルダ
CN102346109B (zh) * 2010-07-26 2013-07-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种tem的半导体样品制备方法
CN102466579B (zh) * 2010-11-03 2013-11-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Tem样品的制备方法
CN102466577A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 物理检测样品制取方法
US8394721B2 (en) * 2011-05-11 2013-03-12 Nanya Technology Corp. Method for obtaining a layout design for an existing integrated circuit
JP5917850B2 (ja) * 2011-08-01 2016-05-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5952020B2 (ja) 2012-02-10 2016-07-13 株式会社日立ハイテクサイエンス Tem試料作製方法
CN103308365A (zh) * 2013-06-27 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 Tem样品的制备方法
CZ304824B6 (cs) * 2013-07-11 2014-11-19 Tescan Orsay Holding, A.S. Způsob opracovávání vzorku v zařízení se dvěma nebo více částicovými svazky a zařízení k jeho provádění
CN103698179B (zh) * 2013-12-17 2016-04-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种制备特定失效点透射电子显微镜平面样品的方法
TWI506262B (zh) * 2014-09-01 2015-11-01 Powerchip Technology Corp 穿透式電子顯微鏡試片的製備方法
CN106525532B (zh) * 2016-11-07 2019-09-20 上海达是能源技术有限公司 一种透射电镜样品的制备方法
JP6976770B2 (ja) * 2017-08-15 2021-12-08 一般財団法人電力中央研究所 透過型電子顕微鏡による観察に用いられる試料の作製方法
JP6925522B2 (ja) * 2018-05-25 2021-08-25 三菱電機株式会社 透過型電子顕微鏡試料の作製方法
JP7114736B2 (ja) * 2018-11-12 2022-08-08 株式会社日立ハイテク 画像形成方法及び画像形成システム
CN111474196B (zh) * 2020-04-16 2024-01-30 宸鸿科技(厦门)有限公司 透射电子显微镜样品制备所产生形变的控制方法
CN113654866B (zh) * 2021-09-22 2024-03-01 河北光兴半导体技术有限公司 一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备及缺陷测试方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4508952A (en) * 1983-02-17 1985-04-02 University Patents, Inc. Electron beam cutting
JPS6111749A (ja) * 1984-06-27 1986-01-20 Toppan Printing Co Ltd フオトマスクブランク
JPS6173345A (ja) * 1984-09-19 1986-04-15 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6281551A (ja) * 1985-10-07 1987-04-15 Yuichi Moriki オゾン濃度計
JPH06105605B2 (ja) * 1987-09-11 1994-12-21 株式会社日立製作所 電子顕微鏡の像観察装置
DE4112375A1 (de) * 1991-04-16 1992-10-22 Inst Festkoerperphysik Und Ele Verfahren zur herstellung von tem-querschnitts-zielpraeparaten
JP3287858B2 (ja) * 1991-05-15 2002-06-04 株式会社日立製作所 電子顕微鏡装置及び電子顕微方法
JP2754301B2 (ja) * 1992-01-07 1998-05-20 シャープ株式会社 電子顕微鏡観察用試料の作成方法
JP3082885B2 (ja) * 1992-09-09 2000-08-28 シャープ株式会社 電子顕微鏡観察用試料の作成方法及び電子顕微鏡観察用試料の固定装置
JP3076681B2 (ja) * 1992-09-25 2000-08-14 松下電子工業株式会社 透過型電子顕微鏡観察用試料の作製方法
DE4433733A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Advantest Corp IC-Analysesystem mit einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0784211A3 (en) 1998-01-07
JPH09189649A (ja) 1997-07-22
KR100329322B1 (ko) 2002-10-11
US5892225A (en) 1999-04-06
CN1162190A (zh) 1997-10-15
DE69631748T2 (de) 2005-01-20
JP3485707B2 (ja) 2004-01-13
CN1092842C (zh) 2002-10-16
EP0784211B1 (en) 2004-03-03
DE69631748D1 (de) 2004-04-08
EP0784211A2 (en) 1997-07-16

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