JPS6315137A - 断面透過電子顕微鏡用試料作成法 - Google Patents

断面透過電子顕微鏡用試料作成法

Info

Publication number
JPS6315137A
JPS6315137A JP15879286A JP15879286A JPS6315137A JP S6315137 A JPS6315137 A JP S6315137A JP 15879286 A JP15879286 A JP 15879286A JP 15879286 A JP15879286 A JP 15879286A JP S6315137 A JPS6315137 A JP S6315137A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
specimen
adhesive
cross
ion milling
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15879286A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Ajioka
味岡 恒夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP15879286A priority Critical patent/JPS6315137A/ja
Publication of JPS6315137A publication Critical patent/JPS6315137A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、LSIなどの断面構造観察に用いられる断
面透過電子顕微鏡(以下、断面TEMと称する)用試料
作成法に関するものである。
(従来の技術) 従来のLSIの断面構造の観察は走査型電子類m鏡(S
EM)を用いて行っていたが、LSIが微細化するにし
たがい、分解能の点からTEMが用いられるようになっ
てきており、たとえば、ジャーナルオブアプライド フ
ィジックス、Journal  of Applied
 Physics Vol、 45. No8゜Aug
ust  1974  P3315〜3316.Cro
ss−seation  at  speciment
s  for  transmissi。
ns Electron Microscapy  に
記載されている。この場合、TEMn察できる試料の厚
さは数千人で、この薄膜化が問題となる。
実際の試料の作成法を第3図に示す。まず、第3図[a
)に示すように、ダイアモンドカッタで試料を1cm角
程度に切断し、二つの破片1a、lbをつくる。
次に、第3図(blに示すように、観察しない面1を内
面にし、2枚の破片1a、lbをエポキシ系の樹脂の接
着剤で貼り付ける。この場合、二つの破片1m、  l
bの切断面2が手前面に現われるようにする。
次に、第3図(clに示すように、この二つの貼り合わ
せた破片1a、lbを1〜2胴幅でダイシングソーで切
断した後に、第3図fdlに示すようにこれを研磨して
数十μmの薄膜化した後、第3図(e)のように、TE
M用のリング3に接着し、第3図(flに示すように、
イオンミーリングで観察部6を数千人:こする。
この場合、2枚の破片1a、lbを接着するのは2iF
F磨のときに、端の部分が優先に削られてしまうために
、観察部を内部にして保護するためである。
また、イオンミーリングで(よ、中心部のイオン強度が
強いため、この部分から穴が開き、端にいくほど膜が厚
くなっている。したがって、穴の周辺は数千人になって
おり、そこのU察個所をさがせば断面TEMi!!察が
可能である。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、実際には接着面周辺がイオンミーリング
され難く、分析したい個所だけが残ってしまう場合が多
い。第4図はこの様子を示したもので、イオンミーリン
グ面を上部から観察したものである。この第4図におい
て、IAは観察したい個所(図中斜線を施した部分)、
3はリング、4(まエポキシ樹脂による接着剤であり、
5は穴である。
この発明は、前記従来技術がもっている問題点のうち、
接着面周辺がイオンミーリングしにくいという点につい
て解決した断面透過電子顕微鏡用試料作成方法を提供す
るものである。
(問題点を解決するための手段) この発明は、断面透過電子顕微鏡用試料作成方法におい
て、イオンミーリング前に分析個所同志を接着した接着
剤を除去する工程を導入したものである。
(作  用) この発明によれば、断面透過電子′Jx、徴鏡用試料作
成方法において以上のような工程を導入し、特にイオン
ミーリング前に試料切片を接着した接着剤を除去するこ
とにより前記問題点を除去できる。
(実 施 例) 以下、この発明の断面透過電子顕微鏡用試料作成方法の
実施例について図面に基づき説明する。
第1図はその一実施例の工程を説明するためのフローチ
ャートである。
まず、ステップS1において、第3図fatで示したの
と同様にしてダイアモンドカッタで1cIT1角程度に
試料の切断を行う。
次に、ステップS2において、上記の切断した試料切片
の観察したい面を互いに内側にしてエポキシ系樹脂によ
る接着剤で貼り付ける。
次に、スタップS3において、ダイシングソーで1〜Z
nm幅に切断した後、ステップS4において、研磨して
数十μmの薄膜化する。
しかる後に、第3図(Clにて示したのと同様にして、
リングに試料切片を貼り付ける。以上までの製造工程は
、第3図で示した従来の作成方法と同様であるが、この
発明ではステップS6におけるリングに接着した後に直
接イオンミーリングの処理工程を行う前に、ステップS
6において、エポキシ系樹脂の接着剤をアセトンにより
除去する。
このエポキシ系樹脂の除去に際しては細い針(ステンレ
ス)の先にアセトンを1〜2滴付け、試料中央付近にた
らしてtlfflを溶かす。この場合、リングまでアセ
トンが侵入すると、リングがはがれてしまうので、全体
をアセトンに付けるわけにはいかない。
前述のように、エポキシ系樹脂は研磨時に端が削られる
のを防ぐために用いたので、これを除去しても大きな影
響はない。ただし、イオンミーリングでも多少は端が優
先的に削られろためにリングに固定するほうが良い。
次に、上記接着剤の除去後、ステップs7でイオンミー
リングを行う。このイオンミーリングを行う際に、接着
剤がないから、接着剤近傍のイオンミーリング速度が遅
くなることがなくなる。
第2図に実際にこの方法で行った場合のイオンミーリン
グ後の形状を示す。この場合にはイオンビームの強度に
したがい、中心に穴があき、その周辺が薄くなっており
、断面像の観察が可能になる。この第2図において、1
1は観察したい個所(斜線部)、131よリング、16
はTEM分析可能領域であり、15は穴である。この穴
15はミーリングによって形成される。
(発明の効果) 以上詳細に説明したようにこの発明によれば、断面TE
M作成工程のイオンE −+Jング前に接着剤であるエ
ポキシ樹脂を除去するようにしたので、接着面近傍の遅
いイオンミーリング速度がなくなるために、良好な試料
作成が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の断面透過電子顕微鏡用試料作成法の
一実施例の工程を説明するための工程フローチャート、
第2図は同上断面透過電子顕微鏡用試料作成法における
イオンミーリング後の形状を示す断面図、第3図(a)
ないし第3図(f)は従来の断面透過電子顕微鏡用試料
作成法の工程説明図、第4図は従来の断面透過電子顕微
鏡用試料作成法におけるイオンミーリング後の試料の形
状を示す断面図である。 11・・・a察したい個所、13・・・リング、15・
・・穴、16・・・TEM分析可能領域。 本発明の一禾!の70−チャート 第1図 瓜9.巳八にt′Jイ尤シ三−13ン芦表の形メ(第2
図 (d)  + 堤聚の試料作成:しmオ旦聞 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (a)切断した二つの試料の破片の観察したい面を互い
    にエポキシ系の樹脂による接着剤で接合する工程と、 (b)接合した試料片を切断および研磨してリングに貼
    り付ける工程と、 (c)上記接着剤を除去した後にイオンミーリングを行
    う工程と、 よりなる断面透過電子顕微鏡用試料作成法。
JP15879286A 1986-07-08 1986-07-08 断面透過電子顕微鏡用試料作成法 Pending JPS6315137A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15879286A JPS6315137A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 断面透過電子顕微鏡用試料作成法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15879286A JPS6315137A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 断面透過電子顕微鏡用試料作成法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6315137A true JPS6315137A (ja) 1988-01-22

Family

ID=15679441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15879286A Pending JPS6315137A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 断面透過電子顕微鏡用試料作成法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6315137A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0259643A (ja) * 1988-08-25 1990-02-28 Nec Corp 電子顕微鏡用試料の作製方法
US4934199A (en) * 1988-03-25 1990-06-19 Boeing Company Method and apparatus for preparing specimens for destructive testing of graphite epoxy composite material
JPH04335130A (ja) * 1991-05-10 1992-11-24 Kyocera Corp イオンミーリング法を用いた絶縁物分析方式
JPH0843279A (ja) * 1994-07-27 1996-02-16 Nec Corp 薄片試料作製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4934199A (en) * 1988-03-25 1990-06-19 Boeing Company Method and apparatus for preparing specimens for destructive testing of graphite epoxy composite material
JPH0259643A (ja) * 1988-08-25 1990-02-28 Nec Corp 電子顕微鏡用試料の作製方法
JPH04335130A (ja) * 1991-05-10 1992-11-24 Kyocera Corp イオンミーリング法を用いた絶縁物分析方式
JPH0843279A (ja) * 1994-07-27 1996-02-16 Nec Corp 薄片試料作製方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104819876B (zh) 一种用于透射电镜原位加电场和应力的薄膜样品制备方法
TWI416091B (zh) 電子顯微鏡試片與其製備方法以及製作三維影像之方法
JP2009098088A (ja) 試料作製方法
KR20080111573A (ko) 무기안료의 단면 이미지 관찰을 위한 투과전자현미경용시편의 제조방법
JP2003194681A (ja) Tem試料作製方法
JPS6315137A (ja) 断面透過電子顕微鏡用試料作成法
CN104198241B (zh) 一种制备tem样品的方法
JP2754301B2 (ja) 電子顕微鏡観察用試料の作成方法
US7479399B1 (en) System and method for providing automated sample preparation for plan view transmission electron microscopy
JP2982721B2 (ja) 薄膜試料作製法
JP2500772B2 (ja) 透過型電子顕微鏡用試料作製方法
KR20060023664A (ko) 시편 보호막 형성 방법 및 이를 이용한 투과전자현미경분석용 시편 제조 방법
CN1201141C (zh) 电子显微镜定点试片的制法
JP2007155420A (ja) 観察用試料およびその作製方法ならびに透過電子顕微鏡による観察方法
JP4219084B2 (ja) 顕微鏡用薄片試料の作製方法
JPH01219536A (ja) 微小領域断面観察用試料作成法
JPH1084020A (ja) 加工方法および半導体検査方法
KR20150019719A (ko) 트라이포드 폴리싱과 집속 이온빔을 이용한 투과전자현미경 시편 제작방법
KR100620728B1 (ko) 투과 전자현미경 분석용 시편 제조방법
KR20150090004A (ko) 트라이포드 폴리싱과 집속 이온빔을 이용한 투과전자현미경 시편 제작방법
JP3781988B2 (ja) 電子顕微鏡観察用の試料片の製造方法
JP3230488B2 (ja) 半導体チップ不良解析方法
JPH04143633A (ja) 電子顕微鏡用の試料作製法および試料作製治具
JP2002118159A (ja) 不純物濃度プロファイル測定方法および薄膜試料の膜厚測定方法
KR100588639B1 (ko) 웨이퍼 테스트용 투과 전자 현미경 시편 제작 방법