KR970054350A - 고전압 모스 트랜지스터 - Google Patents

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KR970054350A
KR970054350A KR1019950057024A KR19950057024A KR970054350A KR 970054350 A KR970054350 A KR 970054350A KR 1019950057024 A KR1019950057024 A KR 1019950057024A KR 19950057024 A KR19950057024 A KR 19950057024A KR 970054350 A KR970054350 A KR 970054350A
Authority
KR
South Korea
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field oxide
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drain region
active region
oxide film
Prior art date
Application number
KR1019950057024A
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English (en)
Inventor
신호봉
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 고전압 모스 트랜지스터에 관한 것으로, 제1도전형의 반도체기판 주 표면에 활성영역을 사이에 두고 차례로 형성된 제1, 제2, 제3, 및 제4필드산화막; 상기 각각의 필드산화막 아래에 상기 제1도전형과 반대형인 제2도전형 불순물로 도우핑된 제1소오스/드레인 영역; 상기 제2필드산화막과 상기 제3필드산화막 사이의 활성영역 표면에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극; 상기 제1필드산화막 양 옆의 활성영역 표면 및 상기 제4필드산화막 양 옆의 활성영역 표면에 상기 제2도전형의 불순물에 의해 상기 제1소오스/드레인 영역의 불순물 농도보다 높은 농도로 도루칭된 제2소오스/드레인 영역; 및 상기 제1필드산화막과 인접하면서 상기 게이트 전극과 먼쪽의 활성영역 표면에 형성된 제2소오스/드레인 영역 및 상기 제4필드산화막과 인접하면서 상기 게이트 전극과 먼쪽의 활성영역 표면에 형성된 제2소오스/드레인 영역 내에 상기 제2도전형의 불순물에 의해 상기 제2소오스/드레인 영역의 불순물 농도보다 높은 농도로 도우핑된 제3소오스/드레인 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 모스 트랜지스터를 제공한다.

Description

고전압 모스 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 고전압 모스 트랜지스터 구조를 설명하기 위한 단면도이다.

Claims (1)

  1. 제1도전형의 반도체기판 주 표면에 활성영역을 사이에 두고 차례로 형성된 제1, 제2, 제3 및 제4필드산화막; 상기 각각의 필드산화막 아래에 상기 제1도전형 반대형인 제2도전형 불순물로 도우핑된 제1소오스/드레인 영역; 상기 제2필드산화막과 상기 제3필드산화막 사이의 활성영역 표면에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극; 상기 제1필드산화막 양 옆의 활성영역 표면 및 상기 제4필드산화막 양 옆의 활성영역 표면에 상기 제2도전형의 불순물에 의해 상기 제1소오스/드레인 영역의 불순물 농도보다 높은 농도로 도우핑된 제2소오스/드레인 영역; 및 상기 제1필드산화막과 인접하면서 상기 게이트 전극과 먼쪽의 활성영역 표면에 형성된 제2소오스/드레인 영역 및 상기 제4필드산화막과 인접하면서 상기 게이트 전극과 먼쪽의 활성영역 표면에 형성된 제2소오스/드레인 영역 내에 상기 제2도전형의 불순물에 의해 상기 제2소오스/드레인 영역의 불순물 농도보다 높은 농도로 도우핑된 제3소오스/드레인 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 모스 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950057024A 1995-12-26 1995-12-26 고전압 모스 트랜지스터 KR970054350A (ko)

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