KR970052716A - 안정적 연마율을 얻을 수 있는 웨이퍼 래핑법 - Google Patents

안정적 연마율을 얻을 수 있는 웨이퍼 래핑법 Download PDF

Info

Publication number
KR970052716A
KR970052716A KR1019960062932A KR19960062932A KR970052716A KR 970052716 A KR970052716 A KR 970052716A KR 1019960062932 A KR1019960062932 A KR 1019960062932A KR 19960062932 A KR19960062932 A KR 19960062932A KR 970052716 A KR970052716 A KR 970052716A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
polishing pad
abrasive
wrapping
abrasive particles
Prior art date
Application number
KR1019960062932A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100242677B1 (ko
Inventor
도모따께 모리따
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본 덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본 덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR970052716A publication Critical patent/KR970052716A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100242677B1 publication Critical patent/KR100242677B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급한 상태로 연마패드(2)에 웨이퍼 표면을 압착하여 웨이퍼의 표면을 편평하게 하도록 웨이퍼 표면의 불규칙성을 래핑하는 제1단계를 포함하는 웨이퍼 래핑법에 있어서, 상기 방법은 제1래핑 단계가 완료된 후의 웨이퍼 래핑장치의 대기단계에서 연마제 대신에, 연마 패드에 잔류하는 연마제에 함유된 연마 입자의 응집을 방지하는데 사용되기 위한 화학 용액(6)을 연마 패드상에 공급하는 제2단계를 포함한다, 이것은 연마 패드가 건조되는 것을 방지한다. 제2단계 다음에, 제3단계는 다른 웨이퍼 표면의 불규칙성을 래핑하는 단계를 수행해서 화학 용액 대신에 공급부에 의해서 연마제가 공급된 연마 패드에 다른 웨이퍼의 표면을 압착하여 다른 웨이퍼의 표면을 편평하게 한다. 다른 웨이퍼에서, 상기 웨이퍼의 연마율과 유사한 연마율이 얻어질 수 있다.

Description

안정적 연마율을 얻을 수 있는 웨이퍼 래핑법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도에서 도시된 웨이퍼 래핑 장치의 측면도.

Claims (6)

  1. 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급한 상태로 연마 패드에 웨이퍼 표면을 압착하여 웨이퍼의 표면을 편평하게 하도록 웨이퍼 표면의 불규칙성을 래핑하는 제1단계를 포함하는 웨이퍼 래핑법에 있어서, 래핑 단계 완료시 연마제 대신에, 연마 패드에 잔류하는 연마제에 함유된 연마 입자의 응집을 방지하는데 사용되기 위한 화학 용액을 연마 패드상에 공급하는 단계을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 래핑법.
  2. 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급하기 위한 공급부 및 연마 패드를 포함하는 웨이퍼 래핑장치를 사용하는 것에 있어서, 상기 공급부에서 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급한 상태로 연마 패드에 웨이퍼 표면을 압착하여 웨이퍼의 표면을 편평하게 하도록 웨이퍼 표면의 불규칙성을 래핑하는 제1단계를 포함하는 웨이퍼 래핑법에 있어서, 제1래핑 단계가 완료된 후의 웨이퍼 래핑장치의 대기단계에서 연마제 대신에, 연마 패드에 잔류하는 연마제에 함유된 연마 입자의 응집을 방지하는데 사용되기 위한 화학 용액을 연마 패드상에 공급하는 제2웨이퍼 래핑 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 래핑법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2단계 이후에, 상기 화학 용액대신에 상기 공급부에서 연마 패드에 공급된 연마제를 갖는 상기 연마 패드에 상기 다른 웨이퍼의 표면을 압착하여 상기 다른 웨이퍼의 표면을 편평하게 하도록 다른 웨이퍼 표면의 불규칙성을 래핑하는 제3단계도 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 래핑법.
  4. 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급하기 위한 공급부 및 연마패드를 포함하는 웨이퍼 래핑장치를 사용함으로써 상기 공급부에서 연마 패드에 공급된 연마입자를 함유한 연마제가 있는 연마 패드에 제1로트 웨이퍼의 표면을 연속적으로 압착하여 상기 제1로트 웨이퍼의 표면을 연속적으로 편평하게 하도록 상기 제2로트 웨이퍼 표면의 불규칙성을 연속적으로 래핑하는 제1로트 래핑 단계와, 상기 공급부에서 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급한 상태로 연마 패드에 제2로트 웨이퍼의 표면을 연속적으로 압착하여 상기 제2로트 웨이퍼의 표면을 연속적으로 편평하게 하도록 상기 제2로트 웨이퍼 표면의 불규칙성을 래핑하는제2로트 래핑 단계를 포함하며, 상기 제1로트 래핑 단계와 상기 제2로트 래핑 단계 사이의 웨이퍼 래핑 장치의 대기 단계에서 연마제 대신에 연마 패드에 잔류하는 연마제에 함유된 연마 입자의 응집을 방지하는데 사용되기 위한 화학 용액을 상기 공급부에서 상기 연마 패드상에 공급하는 화학 용액 공급 단계도 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 래핑법.
  5. 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드에 공급한 상태로 연마 패드에 복수개의 웨이퍼 표면을 연속적으로 압착하여 복수개의 웨이퍼의 표면을 연속적으로 편평하게 하도록 복수개의 웨이퍼 표면의 불규칙성을 연속적으로 래핑하는 복수개의 웨이퍼 래핑단계를 포함하며, 복수개의 래핑 단계 사이에서, 연마제 대신에 연마 패드의 표면에 잔류하는 연마제에 함유된 연마 입자의 응집을 방지하는데 사용되도록 연마 패드의 표면에 공급된 화학 용액이 있는 연마 패드의 표면을 드레싱하는 드레싱 단계도 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 래핑법.
  6. 연마 입자를 함유한 연마제를 연마 패드의 표면에 공급한 상태로 연마 패드에 복수개의 웨이퍼 표면을 연속적으로 압착하여 복수 개의 웨이퍼의 표면을 연속적으로 편평하게 하도록 복수개의 웨이퍼 표면의 불규칙성을 연속적으로 래핑하는 복수개의 웨이퍼 래핑단계를 포함하며, 복수개의 웨이퍼 래핑 단계가 각각 완료될때, 연마제 대신에 연마 패드의 표면에 공급된 화학 용액이 있는 연마 패드에서 각각의 복수개의 웨이퍼를 분리시키는 분리 단계를 포함하는데, 상기 화학 용액은 연마 패드의 표면에 잔류하는 연마제에 함유된 연마입자의 응집을 방지하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 래핑법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960062932A 1995-12-08 1996-12-07 안정적연마율을얻을수있는웨이퍼래핑법 KR100242677B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-320307 1995-12-08
JP32030795A JP2862073B2 (ja) 1995-12-08 1995-12-08 ウェハー研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052716A true KR970052716A (ko) 1997-07-29
KR100242677B1 KR100242677B1 (ko) 2000-02-01

Family

ID=18120038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960062932A KR100242677B1 (ko) 1995-12-08 1996-12-07 안정적연마율을얻을수있는웨이퍼래핑법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6102778A (ko)
JP (1) JP2862073B2 (ko)
KR (1) KR100242677B1 (ko)
GB (1) GB2308010B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180048668A (ko) * 2015-09-03 2018-05-10 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 연마방법 및 연마장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
JP3701126B2 (ja) * 1998-09-01 2005-09-28 株式会社荏原製作所 基板の洗浄方法及び研磨装置
US6220941B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
JP3097913B1 (ja) 1999-07-01 2000-10-10 日本ミクロコーティング株式会社 ガラス基板の鏡面仕上げ方法
US6387289B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
JP2003039310A (ja) * 2001-07-23 2003-02-13 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法及びウェーハ
US6733368B1 (en) 2003-02-10 2004-05-11 Seh America, Inc. Method for lapping a wafer
JP4757580B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-24 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム
US8480920B2 (en) * 2009-04-02 2013-07-09 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, method of preparing the same, chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation kit, and chemical mechanical polishing method
CN102528653B (zh) * 2010-12-30 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 固定式颗粒研磨装置及其研磨方法
CN102343562A (zh) * 2011-08-14 2012-02-08 上海合晶硅材料有限公司 延长抛光布垫使用寿命的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989012082A1 (en) * 1988-06-03 1989-12-14 Mitsubishi Monsanto Chemical Company Abrasive composition for silicon wafer
DE3926673A1 (de) * 1989-08-11 1991-02-14 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben
JPH07108453A (ja) * 1992-01-24 1995-04-25 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体ウェーハ用研磨布のドレッシング方法
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5536202A (en) * 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
JP2581478B2 (ja) * 1995-01-13 1997-02-12 日本電気株式会社 平面研磨装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180048668A (ko) * 2015-09-03 2018-05-10 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 연마방법 및 연마장치

Also Published As

Publication number Publication date
GB2308010A (en) 1997-06-11
JP2862073B2 (ja) 1999-02-24
JPH09155732A (ja) 1997-06-17
GB9625583D0 (en) 1997-01-29
US6102778A (en) 2000-08-15
KR100242677B1 (ko) 2000-02-01
GB2308010B (en) 2000-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970052716A (ko) 안정적 연마율을 얻을 수 있는 웨이퍼 래핑법
KR100239199B1 (ko) 반도체 웨이퍼용의 화학 기계적 연마 장치
KR970008391A (ko) 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치
MY119522A (en) Polishing apparatus
TW228606B (en) Polishing pad and method of polishing a semiconductor substrate
KR940018162A (ko) 공작물의 외주면을 연삭하기 위한 장치
TW344695B (en) Method for polishing semiconductor substrate
TW358764B (en) A method of double-side lapping a wafer and an apparatus therefor
KR930008983A (ko) 반도체 웨이퍼의 기계적인 평탄화 작용후 폴리싱 슬러리를 제거하는 방법
KR960033655A (ko) 화학적/기계적 연마방법 및 장치
TW377467B (en) Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad
KR960030346A (ko) 웨이퍼 연마 방법과 장치
EP1205280A4 (en) SEMICONDUCTOR DISC PROCESSING AND DEVICE
JPH09267257A (ja) ウェハ研磨装置
US6471566B1 (en) Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
TW356565B (en) Method and device for removing a semiconductor wafer from a flat substrate
ES2142149T3 (es) Procedimiento para llevar a cabo un tratamiento en presencia de una fuerza centrifuga y aparato correspondiente.
JPH10329005A (ja) 研磨布及び研磨装置
JPH0745565A (ja) 半導体ウェハの研磨装置
GB2379626A (en) Orbital polishing apparatus
EP0386774A3 (en) Belt supporting structure for bench testing apparatus
DE59706834D1 (de) Gerät zum chemisch-mechanischen Polieren von Wafern
JP2663050B2 (ja) ウエーハ研磨方法
KR970023800A (ko) 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치
TW375550B (en) Polishing apparatus for semiconductor wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee