KR970052524A - 전기를 도전시키는 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Links
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910018138 Al-Y Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] Chemical class [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 4
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910000951 Aluminide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
- H01L23/53223—Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Ti,Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, 그의 합금으로 된 접착층과 Al회토류 원소(Al-rare-earth)또는 Al-Y합금으로 된 층을 집적하는 집적회로 칩 상호접속 배선 수준 및 그의 제조방법이 기술되어 있다. 층들은 열처리되어 한 층으로 될수도 있다. AlCu, AlCuSi 또는 AlCuGe합금으로 된 다른 층이 부가되어 열처리되어 밑의 층들과 함께 하나의 층을 형성할 수도 있다. 본 발명은 MAl3또는 다른 M알루미나이드(aluninide)의 변형을 감소시킴으로서 그들을 폴리싱(polishing)하고, 폴리싱 데브리스(debris)와 폴리싱 동안 Cu판의 크기를 감소시킴으로서 스크래칭(scratching)하는 문제를 해결한다. 본 발명은 폼 필링(form filling)을 개선한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 횡단면도.
Claims (19)
- 전기를 도전시키는 구조에 있어서, 내부에 리세스(recesses)를 갖는 유전체 기판(a dielectric substrate)-상기 리세스는 하부(a bottom)및 측벽(sidewalls)을 갖는다- 과, 상기 리세스는 하부 및 측벽상에 형성된 Ti,Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, 및그의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 된 제1층(a first layer)-상기 재료는 상기 하부 및 측벽에 접착성을 제공하도록 기능한다- 과, 상기 재료로 된 층상에 형성된 Al 회토류 원소 합금 및 Al-Y 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 제2층(a second layer)-상기 Al회토류 원소 합금내의 회토류 원소는 0.02내지 5원자 비율의 범위에 있고 상기 Al-Y 합금내의 상기 Y는 0.02내지 5원자 비율의 범위에 있다-를 포함하는 전기를 도전시키는 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 제2층상에 형성된 재료로 된 제3층(a third layer)-상기 재료는 Al, AlCu합금, 및 Al-Cu-Si합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택된다-을 더 포함하는 전기를 도전시키는 구조.
- 제2항에 있어서, 상기 제3층은 상기 유전체 층내의 상기 리세스를 실제로 채우는 전기를 도전시키는 구조.
- 제2항에 있어서, 상기 제3층 재료 구성은 Al이외의 5원자 비류보다 각각 적은 전기를 도전시키는 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2층중 적어도 한 층내에 Al-M-회토류 원소 세가지 화합물 또는 Al-M-Y의 세가지 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 분산질-M은 Ti,Zr, Hf, V, Nb, Ta, W 및 그의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된다-를 더 포함하는 전기를 도전시키는 구조.
- 제2항에 있어서, 상기 제1및 제2층중 적어도 한 층내에 Al-M-회토류 원소 세가지 화합물 또는 Al-M-Y의 세가지 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 분산질-M은 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W 및 그의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된다-을 더 포함하는 전기를 도전시키는 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 제1층은 약100 내지 약400 옹스트롱 두께의 범위에 있는 전기를 도전시키는 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2층은 350℃내지 550℃의 범위내의 온도로 상승되어 단일 층(a single layer)을 형성하는 전기를 도전시키는 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2층 및 제3층은 350℃내지 550℃의 범위내의 온도로 상승되어 단일 층을 형성하는 전기를 도전시키는 구조.
- MAl3의 변형에 내성이 있는 구조에서, 기판상에 M-M은 Ti,Zr, Hf, V, Nb, Ta, W 및 그의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된다-으로 된 제1층과, 상기 제1층상에 형성된 공융 위상 합금(eutectic phase alloy)으로 된 제2층을 포함하며, 상기 공용 위상 합금은 Y, Cd, Dy, Ho, Er및 Sm으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 Al및 하나 이상의 원소를 포함하는 MAl3의 변형에 내성이 있는 구조.
- M으로 된 층과 물리적으로 경계하는 Al합금층에서 MAl3의 변형을 감소시키는 방법에 있어서, 기판상에 상기 M층을 형성하는 단계-M은 Ti,Zr, Hf, V, Nb, Ta, W 및 그의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된다-와 Y, Cd, Dy, Ho, Er및 Sm으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 Al및 하나 이상의 원소로부터 공융위상 합금을 선택하는 단계와, 상기 M층상에 상기 공융 합금으로 된 층을 형성하는 단계를 포함하는 MAl3의 변형을 감소시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 공융 합금으로 된 층을 형성하는 상기 단계는 23℃이하에서 스퍼터링(sputtering)하는 단계를 포함하는 MAl3의 변형을 감소시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 공융 위상 합금을 선택하는 상기 단계는 AlGd합금을 선택하는 단계를 포함하는 MAl3의 변형을 감소시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 층을 열처리하여 상기 공융 합금 층내의 AlMGd로 된 구형의 분산질을 형성하는 단계를 더 단계를 포함하는 MAl3의 변형을 감소시키는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 350℃내지 550℃의 범위에서 온도를 상승시키는 단계를 단계를 포함하는 MAl3의 변형을 감소시키는 방법.
- 반도체칩상에서 다중층 배선(multilayer wiring)을 위한 도전체에 있어서, Al-R로 구성되는 그룹으로부터 선택된 합금-R은 회토류 원소 및 Al-Y이다-을 포함하되, 상기 합금은 2개의 위상을 갖고, 상기 제1위상은 Al로 구성되고, 상기 제2위상은 Al3R 및 Al3Y로 구성된 그룹으로부터 선택되며, 상기 제1및 제2위상은 공융위상 에너지와 동일한 낮은 경계 에너지를 가짐에 따라 상기 합금을 폴리싱하여 형성된 데브리스 크기(debris size)는 상기 낮은 에너지 위상 경계들간의 거리에 의해 실제로 결정되는 반도체 칩상에서 다중층 배선을 위한 전도체.
- 반도체 칩상에서 다중층 배선을 위한 도전체에 있어서, Al-Ge-R, Al-Si-R, Al-Ge-Y로 구성되는 그룹으로부터 선택된 합금-R은 회토류 원소이다-를 포함하되, 상기 금속은 Al및 그의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 제1영역을 갖고, 상기 금속은 Ge및 Si로 구성되는 그룹으로부터 선택된 원소의 제2영역-상기 제2영역은 상기 R및 Y중 하나에 의해 상기 제1영역에 분산된다-을 가지며, 상기 제1및 제2영역은 공융 경계 에너지와 실제로 동일한 경계 에너지(an interfacial energy)를 가짐에 따라 상기 금속을 폴리싱하여 형성된 데브리스는 상기 공융 경계 에너지 에 의해 증강되고 상기 데브리스 크기는 상기 제2영역의 크기에 의해 실제로 결정되는 다중층 배선을 위한 전도체.
- 워크피스(a workpiece)표면이 구리를 구비하는 Al합금을 포함하는 폴리싱 슬러리(a polishing slurry)에 의한 폴리싱 동안 워크피스상으로 Cu로부터의 도금을 방지하는 방법에 있어서, 하나 이상의 회토류 원소, 원자 번호 57-71, Y로 구성되는 그룹으로부터 원소를 선택하는 단계와, 폴리싱에 노출된 표면상으로 하나 이상의 원소를 도입하여 상기 하나 이상의 상기 원소나 Cu를 대신하여 회생 원소(a sacrificial element)로서 폴리싱 슬러리에 들어가는 단계를 포함하는 Cu로부터의 도금을 방지하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 도입단계는 상기 워크피스가 폴리싱되는 시점에서 폴리싱하도록 노출면을 갖는 하나 이상의 상기 원소를 포함하는 합금을 형성하는 단계를 포함하는 Cu로부터의 도금을 방지하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR95-57045 | 1995-12-26 | ||
KR95-57130 | 1995-12-26 | ||
JP95-341880 | 1995-12-27 | ||
JP95-344223 | 1995-12-28 | ||
US938895P | 1995-12-29 | 1995-12-29 | |
US60/009,388 | 1995-12-29 | ||
US61601896A | 1996-03-14 | 1996-03-14 | |
US08/616,018 | 1996-03-14 | ||
US8/616,018 | 1996-03-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970052524A true KR970052524A (ko) | 1997-07-29 |
KR100233356B1 KR100233356B1 (ko) | 1999-12-01 |
Family
ID=26679414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960066063A KR100233356B1 (ko) | 1995-12-29 | 1996-12-14 | 전기 도전을 향상시키는 구조 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0782189A3 (ko) |
JP (1) | JP3167948B2 (ko) |
KR (1) | KR100233356B1 (ko) |
SG (1) | SG55246A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6307267B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP3173456B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2001-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
WO2008066030A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Al ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET |
JP4170367B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4141020A (en) * | 1976-12-29 | 1979-02-20 | International Business Machines Corporation | Intermetallic aluminum-transition metal compound Schottky contact |
JPH0779136B2 (ja) * | 1986-06-06 | 1995-08-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
EP0573002A1 (en) * | 1992-06-03 | 1993-12-08 | Ryoka Matthey Corporation | Sputtering target, wiring method for electronic devices and electronic device |
US5561083A (en) * | 1994-12-29 | 1996-10-01 | Lucent Technologies Inc. | Method of making multilayered Al-alloy structure for metal conductors |
EP0731507A1 (en) * | 1995-03-08 | 1996-09-11 | International Business Machines Corporation | Electrode materials |
-
1996
- 1996-11-18 SG SG1996011344A patent/SG55246A1/en unknown
- 1996-12-02 EP EP96308689A patent/EP0782189A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-14 KR KR1019960066063A patent/KR100233356B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-16 JP JP33540996A patent/JP3167948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0782189A2 (en) | 1997-07-02 |
SG55246A1 (en) | 1998-12-21 |
EP0782189A3 (en) | 1999-12-22 |
KR100233356B1 (ko) | 1999-12-01 |
JPH09186238A (ja) | 1997-07-15 |
JP3167948B2 (ja) | 2001-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |