KR970051937A - 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법 - Google Patents

다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 패턴이 있는 양산용 래티클의 스크라이브 라인에 UV투과율이 각각 다른 패턴을 형성하여 두께가 다른 1차 패턴을 형성하고 그위에 2차 패턴을 형성하여 두께에 따른 초점 깊이를 검사할 수 있도록 구성하여, 패턴이 이미 형성되어 있는 웨이퍼에서 DOF(Depth of Focus)를 조절하여 반도체 제조 공정 중에 포커스를 적절하게 유지할 수 있도록 한 것이다.
선택도 : 제3도

Description

다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명에 따른 포커싱 패턴 형성 공정에 의해 제조된 포커싱 패턴의 바람직한 예.
제2b도는 디포커스(Defocus)로 인한 패턴 불량의 예.

Claims (4)

  1. 패턴이 있는 양산용 래티클의 스크라이브 라인에 UV투과율이 각각 다른 패턴을 형성하여 두께가 다른 1차 패턴을 형성하고 그위에 2차 패턴을 형성하여 두께에 따른 초점 깊이를 검사할 수 있도록 구성하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 UV투과율이 각각 다른 패턴은 UV투과율이 각각 2% 차이나도록 한 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
  3. 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 UV투과율 범위를 0%에서 80%까지 분류 삽입하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
  4. 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 UV투과율이 각각 다른 패턴은 사각형 패턴인 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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