KR970051937A - 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법 - Google Patents

다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970051937A
KR970051937A KR1019950068624A KR19950068624A KR970051937A KR 970051937 A KR970051937 A KR 970051937A KR 1019950068624 A KR1019950068624 A KR 1019950068624A KR 19950068624 A KR19950068624 A KR 19950068624A KR 970051937 A KR970051937 A KR 970051937A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
semiconductor device
wiring structure
forming
multilayer wiring
Prior art date
Application number
KR1019950068624A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0169227B1 (ko
Inventor
정헌필
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950068624A priority Critical patent/KR0169227B1/ko
Publication of KR970051937A publication Critical patent/KR970051937A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0169227B1 publication Critical patent/KR0169227B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 패턴이 있는 양산용 래티클의 스크라이브 라인에 UV투과율이 각각 다른 패턴을 형성하여 두께가 다른 1차 패턴을 형성하고 그위에 2차 패턴을 형성하여 두께에 따른 초점 깊이를 검사할 수 있도록 구성하여, 패턴이 이미 형성되어 있는 웨이퍼에서 DOF(Depth of Focus)를 조절하여 반도체 제조 공정 중에 포커스를 적절하게 유지할 수 있도록 한 것이다.
선택도 : 제3도

Description

다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명에 따른 포커싱 패턴 형성 공정에 의해 제조된 포커싱 패턴의 바람직한 예.
제2b도는 디포커스(Defocus)로 인한 패턴 불량의 예.

Claims (4)

  1. 패턴이 있는 양산용 래티클의 스크라이브 라인에 UV투과율이 각각 다른 패턴을 형성하여 두께가 다른 1차 패턴을 형성하고 그위에 2차 패턴을 형성하여 두께에 따른 초점 깊이를 검사할 수 있도록 구성하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 UV투과율이 각각 다른 패턴은 UV투과율이 각각 2% 차이나도록 한 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
  3. 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 UV투과율 범위를 0%에서 80%까지 분류 삽입하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
  4. 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 UV투과율이 각각 다른 패턴은 사각형 패턴인 것을 특징으로 하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950068624A 1995-12-30 1995-12-30 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법 KR0169227B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950068624A KR0169227B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950068624A KR0169227B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970051937A true KR970051937A (ko) 1997-07-29
KR0169227B1 KR0169227B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19448147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950068624A KR0169227B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0169227B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007029315A1 (ja) 2005-09-06 2007-03-15 Fujitsu Limited パターン転写マスク、焦点変動測定方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR0169227B1 (ko) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6251549B1 (en) Generic phase shift mask
CN100545747C (zh) 检测光掩模数据库图案缺陷的方法
KR850000787A (ko) 반도체소자 제작을 위한 포토마스크(Photomask) 레티클(Raticle)의 검사방법
KR950027969A (ko) 포토마스크(photomask) 제작방법
US5726741A (en) Photolithographic projection systems including grating masks and related methods
KR970051937A (ko) 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 포커싱 패턴 형성 방법
KR970018110A (ko) 반도체장치의 패턴 형성방법
KR950034748A (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법
JPH08248620A (ja) レチクルおよびこれを用いたデフォーカスレベル判定方法
KR970053273A (ko) 웨이퍼 결함 검사방법
KR950021082A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 제조방법
KR970054993A (ko) 부분 회절 격자 형성 방법
KR960005808A (ko) 반도체 소자의 미세 축적용량 패턴 형성방법
KR930006861A (ko) 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법
JPH06325998A (ja) 投影露光方法および装置
KR950015584A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR960024679A (ko) 노광촛점 검사용 마스크
KR960032580A (ko) 레티클(reticle) 및 그를 이용한 반도체장치 제조방법
KR20000004747A (ko) 포토마스크 디펙트리페어장치
KR20020058592A (ko) 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법
KR950025905A (ko) 포토마스크 제작방법
KR950027931A (ko) 포토마스크(Photomask) 제작방법
KR960035156A (ko) 노광장치의 렌즈 비점수차(Lens Astignatism) 측정방법
KR950012588A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR970008321A (ko) 반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060928

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee