KR970051264A - 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로를 공개한다. 그 장치는 행 어드레스 스토로우브 신호를 래치하여 제1행 어드레스 래치펄스를 발생하기 위한 제1행 어드레스 래치, 소정시간 지연된 행어드레스 스트로우브 신호를 래치하여 제2행 어드레스 래치 펄스를 발생하기 위한 제2행 어드레스 래치, 상기 행 어드레스 스트로우브 신호에 응답하여 인에이블되고 열 어드레스 스트로으브 신호에 응답하여 디스에이블되는 열 어드레스 래치 펄스를 발생하기 위한 열어드레스 래치, 상기 제1항 어드레스 래치 펄스에 응답하여 열 어드레스들을 입력하여 버퍼하기 위한 열 어드레스 버퍼들, 및 상기 열 어드레스 래치펄스에 응압하여 열 어드레스들을 입력하여 버퍼하기 위한 열 어드레스 버퍼들, 및 상기 제2행 어드레스 래치 펄스에 응답하여 상기 열 어드레스중 센싱 동작에 관하여는 열 어드레스들을 일력하여 버퍼하기 위한 열 어드레스 버퍼들로 구성되어 있다. 따라서 어드레스 멀티플렉싱하면서 열 어드레스 중의 일부를 행 어드레서와 열 어드레서와의 사이에서 받아들이게 함으로써 패키지의 핀수를 늘리지 않고서도 열 어드레스에 의한 센싱 동작을 실행할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생호로의 블럭도이다.
Claims (1)
- 행 어드레스 스트로우브 신호를 래치하여 제1행 어드레스 래치펄스를 발생하기 위한 제1행 어드레스 래치, 소정시간 지연된 행어드레스 스트로우브 신호를 래치하여 제2행 어드레스 래치 발생하기 위한 제2행 어드레스 래치; 상기 행 어드레스 스트로우브 신호에 응답하여 인에이블되고 열 어드레스 스트로우브 신호에 응답하여 디스에이블되는 열 어드레스 래치 펄스를 발생하기 위한 열 어드레스 래채; 상기 제1행 어드레스 래치 펄스에 응답하여 행 어드레스들을 입력하여 버퍼하기 위한 행 어드레스 버퍼들 ; 상기 열 어드레스 래치펄스에 응답하여 열 어드레스들을 입력하여 버퍼하기 위한 열 어드레스 버퍼들 ; 및 상기 제2행 어드레스 래치펄스에 응답하여 상기 열 어드레스 센싱 동작에 관하여는 열 어드레스들을 입력하여 버퍼하기 위한 열 어드레스 버퍼들을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065873A KR970051264A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065873A KR970051264A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051264A true KR970051264A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66624280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065873A KR970051264A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 장치의 어드레스 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051264A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780595B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-11-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법 |
| US7616521B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-11-10 | Hynix Semiconductor, Inc. | Semiconductor memory device selectively enabling address buffer according to data output |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065873A patent/KR970051264A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780595B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-11-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법 |
| US7616521B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-11-10 | Hynix Semiconductor, Inc. | Semiconductor memory device selectively enabling address buffer according to data output |
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