KR970051243A - 반도체 메모리 장치의 로우디코더(row decoder) - Google Patents
반도체 메모리 장치의 로우디코더(row decoder) Download PDFInfo
- Publication number
- KR970051243A KR970051243A KR1019950057114A KR19950057114A KR970051243A KR 970051243 A KR970051243 A KR 970051243A KR 1019950057114 A KR1019950057114 A KR 1019950057114A KR 19950057114 A KR19950057114 A KR 19950057114A KR 970051243 A KR970051243 A KR 970051243A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- word line
- main word
- semiconductor memory
- decoder
- block
- Prior art date
Links
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치의 로우디코더에 관해 개시한다. 종래의 로우디코더에서 로우디코더에 연결된 워드라인이 불량일 경우, 리던던시워드라인을 연결하여 사용하게 되는데, 이 때 상기 불량워드라인을 인에이블 시킴으로 인한 지연시간이 발생한다. 그러나 본 발명에 따르면 불량 워드라인에 연결된 워드라인디코더에 퓨즈를 삽입하고 워드라인이 불량일 경우는 퓨즈를 절단하여 불량워드라인이 인에이블됨으로 발생하는 지연시간을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 주워드라인디코더의 회로도,
제6도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 메모리셀과 디코더들의 배치도.
Claims (2)
- 로우어드레스신호가 입력되는 제1모스트랜지스터와 블록을 선택하는 블록선택신호와 반대위상을 갖는 블록선택바신호가 입력되는 제2모스트랜지스터를 갖는 반도체 메모리 장치의 로우디코더에 있어서, 상기 제1모스트랜지스터와 제2모스트랜지스터 사이에 퓨즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 로우디코더.
- 주워드라인디코더가 메모리셀어레이 블록 위를 지나는 주워드라인을 구동하고, 주워드라인이 다시 보조 워드라인 구동기를 구동하여 보조워드라인이 인에이블되는 반도체 메모리 장치에서, 상기 주워드라인디코더는 상기 블록의 양 옆에 분산되어 배치되고, 상기 주워드라인이 하나씩 교대로 양 옆의 주워드라인디코더에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 로우디코더.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057114A KR970051243A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 로우디코더(row decoder) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057114A KR970051243A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 로우디코더(row decoder) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051243A true KR970051243A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057114A KR970051243A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 로우디코더(row decoder) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051243A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057114A patent/KR970051243A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016279A (ko) | 리던던시 효율이 향상되는 반도체 메모리 장치 | |
| KR960042765A (ko) | 반도체 메모리장치의 메모리 셀 테스트 제어회로 및 방법 | |
| KR960002796A (ko) | 반도체 소자의 컬럼 리던던시 장치 | |
| KR940010103A (ko) | 이중 워드라인 구조인 반도체 메모리 디바이스 | |
| KR860003603A (ko) | 반도체 메모리 | |
| US5742556A (en) | Redundancy scheme for semiconductor RAMS | |
| KR880011797A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR850004877A (ko) | 배선 지연이 적은 배선 및 데코우더를 가진 반도체 메모리 | |
| KR970024193A (ko) | 소형 칩 사이즈와 리던던시 액세스 타임을 갖는 반도체 메모리 디바이스(Semiconductor Memory Device Having Small Chip Size and Redundancy Access Time) | |
| KR880009373A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR880000966A (ko) | 메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리 장치 | |
| KR980004966A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR890015270A (ko) | 반도체메모리장치 | |
| JPH0421956B2 (ko) | ||
| KR850004856A (ko) | 프로그래머블 반도체 메모리장치 | |
| KR960005625A (ko) | 테스트타임이 단축되는 반도체메모리장치 및 이를 위한 컬럼선택트랜지스터 제어방법 | |
| KR970051243A (ko) | 반도체 메모리 장치의 로우디코더(row decoder) | |
| US5848019A (en) | Pass gate decoder for a multiport memory dEvice that uses a single ported memory cell array structure | |
| KR950019006A (ko) | 옵션 처리를 이용한 리페어 효율 증가 회로 | |
| KR970063262A (ko) | 펄스 워드 라인 방식을 위한 디코더를 구비한 단칩 메모리 시스템 | |
| KR960042762A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970051446A (ko) | 리던던시 로오 디코더 회로 | |
| KR940022859A (ko) | 디램소자 | |
| KR920018761A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970029884A (ko) | 로우 리던던시 회로를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |