KR970050298A - 박막 디바이스 프로세싱용의 오목형 포토레지스트 리프트-오브 프로필을 형성하는 방법 및 그에 의해 제조된 박막 디바이스 - Google Patents

박막 디바이스 프로세싱용의 오목형 포토레지스트 리프트-오브 프로필을 형성하는 방법 및 그에 의해 제조된 박막 디바이스 Download PDF

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Abstract

자기 저항('MR)판독 헤드 뿐만 아니라 그에 의해 제조된 디바이스에 사용하기 위한, 영구 자선(PM)막 같은, 자체-정렬 스퍼터된 막과 결합하여 특정 용도의 박막 디바이스 프로세싱에 대한 리-엔트런트 포토 레지스트 리프트-오프 프로필(re-entrant photoresist lift-off profile)을 형성하는 방버. 포토레지스트가 적합한 기판 위에 있는 박막층 상에서 종래의 방법으로 패턴 형성되며 이어서 포토레지스트가 적합한 현상제에 노출되어서 그 결과 거의 수직인 사이드월을 갖는 포토레지스트 영역이 생긴다. 따라서 전자빔, 또는 다른 적합한 에너지 소스가 충분한 일군의 전자들을 포토레지스트 내로 잘 제어된 깊이까지 가속시킴으로써 포지티브 톤 레지스트 이미지의 상단 부분을 크로스-링크되도록(또는 비교적 비용해성이 되도록)하기 위해 사용된다. 이어서 제2전자빔이 포토레지스트의 낮은 부분이 현상제 내에서 비교적 용해성이 되도록 하기 위해 전포토레지스트에 걸쳐서 분포된다. 이어서 레지스트는 포토레지스트의 낮은 부분 내의 언더컷을 실현하기 위해 소정의 시간 동안 현상된다.

Description

박막 디바이스 프로세싱용의 오목형 포토레지스트 리프트-오프 프로필을 형성하는 방법 및 그에 의해 제조된 박막 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 방법을 사용하여 실현될 수 있는 오목형 포토레지스트 프로핑의 상대적 디멘젼의 도면,
제5A-제5C도는 본 발명의 방법을 사용하며, MR 센서의 활성 영역을 결정하고 세로 바이어스를 제공하는 정렬 PM박막을 제공하기 위해 사용될 수 있는 다양한 오목형 포토레지스트 프로필의 도면.

Claims (16)

  1. 표면 특징을 한정하기 위해서 기판을 포토리쏘그래픽 처리하는 것과 관련하여 상기 기판 상에 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프(lift-off)를 촉진시키는 방법에 있어서, 패턴된 영역을 한정하기 위해서 상기 기판의 주표면 상에 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 상기 기판의 말단에 있는 상기 포토레지스트의 제1부분을 크로스-링크(cross-linking)시키는 단계; 상기 기판에 인접해 있는 상기 포토레지스트의 제2부분을 용해(solubilizing)시키는 단계; 및 상기 패턴된 영역의 주변을 감싸고 있는 상기 포토레지스트 내에 언더컷(undercut)을 생성하기 위해 상기 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프 촉진방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표면 특징을 한정하기 위해 상기 기판의 상기 주표면과 상기 포토레지스트를 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프 촉진방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 포토레지스트를 스트립핑 제거(stripping away)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프 촉진방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 패터닝 단계는 포토레지스트층을 형서어하기 위해서 상기 포토레지스트로 상기 기판을 코팅하는 단계; 상기 패턴된 영역에 대응하는 상기 포토레지스트층 상에 마스크 패턴을 투사시키는 단계; 상기 마스크 패턴을 통해 상기 포토레지스트층을 에너지원에 노출시키는 단계; 및 상기 패턴된 영역을 감싸는 상기 포토레지스트층의 일부분들을 용해(dissolving)시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프 촉진방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 크로스-링크 단계는 상기 기판 및 상기 패턴된 영역을 약 25mTorr 또는 그 이하의 분위기에 배치시키는 단계; 및 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트의 상기 제1부분을 약 10kV의 전압에서 약 300/㎤ 의 전자원에 노출시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프 촉진방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 용해 단계는 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트의 상기 제1 및 제2부분을 약 0.25mTorr의 분위기 내에서 약 10kV의 전압에서 약 50/㎤ 의 전자원에 노출시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 패턴된 포토레지스트의 리프트-오프 촉진방법.
  7. 박막 디바이스에 있어서, 기판을 제공하는 단계; 포토레지스트층을 형성하기 위해 포토레지스트로 상기 기판의 주표면을 코팅하는 단계; 패턴된 영역에 대응하는 상기 포토레지스트층 상에 마스크 패턴을 투사시키는 단계; 상기 마스크 패턴을 통해 상기 포토레지스층을 에너지원에 노출시키는 단계; 상기 기판 상에 표면 특징을 한정하기 위해 상기 패턴된 영역을 감싸는 상기 포토레지스층의 일부분들을 용해시키는 단계; 상기 기판의 말단에 있는 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트의 제1부분을 크로스-링크시키는 단계 ; 상기 기판에 인접해 있는 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트의 제2부분을 용해시키는 단계; 상기 패턴된 영역의 주변을 감싸고 있는 상기 포토레지스트 내의 언더컷을 생성하기 위해 상기 포토레지스트를 현상하는 단계; 및 상기 표면 특징을 한정하기 위해 상기 기판의 상기 주표면과 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트를 에칭하는 단계를 포함하는 공정에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판의 상기 주표면과 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트를 덮고 있는 박막층을 피착시키는 단계를 더 포함하는 공정에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  9. 제8항에 있어서, 상기 패턴된 영역을 덮고 있는 상기 박막층과 상기 포토레지스트를 스트립핑 제거하는 단계를 더 포함하는 공정에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판의 상기 주표면은 피복(overlying)ㅡMRS구조를 더 포함하고, 상기 표면 특징은 MR영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 박막층은 PM층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  12. 오목형 프로필(re-entrant profile)을 갖는 적어도 하나의 포토레지스트 영역을 이용하여 박막 디바이스를 형성하는 방법에 있어서, 주표면을 갖는 기판 상에 포토레지스트 영역을 패터닝하는 단계; 현상제(developer)에 대해 비교적 비용해성인 제1부분 및 상기 현상제에 대해 비교적 용해성인 제2부분을 생성하기 위해 상기 포토레지스트 영역을 차등 처리하는 단계; 및 상기 포토레지스트의 상기 제2부분 내에 상기 오목형 프로필을 생성하기 위해 선정된 시간 동안 상기 현상제 내에서 상기 포토레지스트를 현상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 처리 단계는 상기 포토레지스트의 상기 제1부분을 현상제 내에서 비교적 비용해성이 되도록 하기 위해 상기 포토레지스트 영역의 상기 제1부분을 크로스-링크시키는 단계; 및 상기 포토레지스트의 상기 제2부분을 상기 현상제에 비교적 용해성이 되도록 하기 위해 상기 포토레지스트 영역의 상기 제2부분을 용해시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 크로스-링크 단계는 약 25mTorr 또는 그 이하의 분위기 내에 상기 기판 및 상기 포토레지스트 영역을 배치시키는 단계; 및 상기 패턴된 영역의 상기 포토레지스트의 상기 제1부분을 약10kV의 전압에서 약 300/㎤ 의 전자원에 노출시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스 형성 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 패터닝 단계는 포토레지스트층을 형성하기 위해 상기 포토레지스트로 상기 기판을 코팅하는 단계; 상기 패턴된 영역에 대응하는 상기 포토레지스트층 상에 마스크 패턴을 투사시키는 단계; 상기 마스크 패턴을 통해 상기 포토레지스트층을 에너지원에 노출시키는 단계; 및 상기 패턴된 영역을 감싸는 상기 포토레지스층을 일부분들을 용해시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스 형성 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 포토레지스트 영역을 차등 처리하는 상기 단계는 상기 포토레지스트 영역의 상기 제1부분 내에 제1전자 빔 도우즈를 가속시키는 단계; 및 제2전자 빔 도우즈에 상기 포토레지스트 영역의 상기 제1 및 제2부분들을 노출시키는 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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