CN105659164B - 根据光刻胶厚度使用处理器改变写入射束的输送剂量的图案产生器及相关方法 - Google Patents
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Abstract
揭示根据光刻胶厚度使用处理器改变写入射束的输送剂量的多射束图案产生器及相关方法。图案产生器可在具有光刻胶的基板上写入图案，光刻胶对写入射束敏感。当写入射束在写入像素位置写入图案的至少一部分时，可于各写入周期写入图案。图案产生器的射束致动器可将写入射束独立地引导至写入像素，以于每个写入周期期间输送各像素剂量。可根据一或更多方式利用以下之一或多者而根据不同写入像素位置的光刻胶厚度调整输送的像素剂量：致动器驻留时间、发射的脉冲宽度、发射的脉冲频率和发射的脉冲强度。如此，可为具有变化的光刻胶厚度的基板提供额外的尺寸控制。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及用于微光刻(microlithography)图案化的设备和方法，更特定而言涉及用于将施加有光刻胶膜的大基板微光刻图案化的设备和方法。
背景技术
大面积基板常用于支撑电子装置中使用的电气特征结构。在一些情况下，制造用于有源矩阵显示器(比如电脑、触摸面板装置、个人数字助理(PDA)、手机、电视屏幕及类似装置)的平面面板时，会使用大面积基板。通常，平面面板可包含夹设在两板之间而形成像素的液晶材料层。当使用期间电源功率被施加于液晶材料时，可精确控制像素位置上通过液晶材料的光量，从而能够产生图像。
在一些情况下，微光刻技术用于产生电气特征结构，电气特征结构被并入为形成像素的液晶材料层的一部分。根据此技术，利用轨道或涂布机系统，于基板表面形成辐射敏感光刻胶层，以在基板的至少一个表面上产生一般为亚毫米厚的光刻胶。在晶片微光刻中，往往可通过使基板按近乎五千(5,000)转/分钟自转长达一(1)分钟来在整个基板上分配光刻胶，而在圆形基板上达成小于十(10)纳米的均匀光刻胶厚度。然而在大矩形基板的情形中，在整个基板上均匀地实现相同光刻胶厚度更加困难。事实上，在一些情况下，用于平板显示器制造的基板大小是晶片微光刻中使用的基板的十六(16)倍，且非圆形，这使得难以有效旋涂光刻胶。基板各处的光刻胶厚度均匀度变化造成形成于基板上的光刻胶中的图案特征的特征结构尺寸变化。不论基板用于支撑平板显示器制造还是用于其他电子基产品，特征结构尺寸不均匀都将不利地影响由图案特征构形成的电子装置性能。
为此，对更便宜、更大及更高性能的电子装置的需求不断扩大。为满足对此类电子装置的需求，需要具有更小且更均匀的特征结构的较大基板。需要新方式来更精确地在大基板上形成更小且更均匀的图案。
发明内容
本文揭示的实施方式包括根据光刻胶厚度使用处理器改变写入射束的输送剂量(dose)的多射束图案产生器及相关方法。图案产生器可在具有光刻胶的基板上写入图案，所述光刻胶对写入射束敏感。当写入射束在写入像素位置写入图案的至少一部分时，可于各写入周期写入图案。图案产生器的射束致动器可将写入射束独立地引导至写入像素，以于每个写入周期期间输送各像素剂量。可根据一或更多方式利用以下之一或更多而根据不同写入像素位置处的光刻胶厚度来调整输送的像素剂量：致动器驻留时间(dwell time)、发射的脉冲宽度(pulse duration)、发射的脉冲频率和发射的脉冲强度。如此，为具有变化的光刻胶厚度的基板提供额外尺寸控制。
在一实施方式中，揭示多射束图案产生器。图案产生器可包括台架，所述台架被配置以在多个写入周期的各写入周期期间将基板支撑在多个写入周期区位置。图案产生器亦可包括写入射束致动器，用以将多个写入射束的每个写入射束独立地引导至写入像素位置，写入像素位置设在基板的光刻胶上。图案产生器亦可包括计算机处理器，用以根据各写入像素位置处的光刻胶厚度调整为各写入像素位置输送的像素剂量。如此，可在具有光刻胶厚度变化的基板上达到更精确的图案特征结构关键尺寸控制。
在另一实施方式中，揭示用多射束图案产生器写入图案的方法。所述方法包括在多个写入周期的各写入周期期间，利用台架将基板支撑在多个写入周期区位置中。所述方法亦可包括利用计算机处理器指示写入射束致动器将多个写入射束独立地引导至写入像素位置，所述写入像素位置设在基板的光刻胶上。所述方法亦可包括根据在基板的一部分处的光刻胶厚度调整输送到写入像素位置的写入像素剂量。如此，使得用基板上的图案形成的电子装置可具有更可预测的性能特性。
本发明的其他特征和优点将详述于后，一部分特征和优点对本领域技术人员来说在参阅以下描述后将是显而易见的，或者在实践包括后面的详细说明、权利要求书和附图中所述的实施方式后将会认识到。
应理解以上概要说明和下述详细说明均描述本发明实施方式，及拟提供概观或架构以对本发明的本质和特性有所了解。所含附图提供进一步了解，故被并入及构成说明书的一部分。附图描绘各种实施方式，并与说明书一起来解释揭示的构思的原理和操作。
附图说明
为了能详细了解本揭示案的实施方式的上述特征，可通过参考实施方式获得以上简要概述的本揭示案的实施方式的更特定描述，一些实施方式图示在附图中。然而应注意附图仅示出本揭示案的典型实施方式，故不宜视为对本揭示案的范围的限制，因为本揭示案的实施方式可允许其他等效的实施方式。
图1A是示例性基板的俯视透视图，基板包括具有变化的光刻胶厚度的光刻胶，变化的光刻胶厚度由标称、高和低值表示；
图1B是写入射束辐射剂量对所得图案特征结构尺寸的曲线图，该图图示较高写入射束剂量与增大的光刻胶厚度相关联，以产生相同的所得图案特征结构尺寸；
图2是示例性多射束图案产生器的俯视透视示意图，该多射束图案产生器包括写入射束致动器的一个实施方式，该写入射束致动器将多个写入射束独立地引导至光刻胶中的写入像素位置，其中在写入周期期间，可根据各写入像素位置的光刻胶厚度分别确定输送到写入像素位置上的写入射束剂量；
图3是图2的写入射束致动器的一个实施方式的俯视透视示意图，该图图示空间光调变器(spatial light modulator；SLM)的镜子(mirror)的作用位置(active position)和不作用位置(inactive position)，以将多个写入射束的每个写入射束单独地引导至写入像素位置；
图4A至图4C是在写入周期期间在写入像素位置上的写入射束的累积剂量的图，该图图示分别关于标称光刻胶厚度、增大的光刻胶厚度和减小的光刻胶厚度确定镜子在写入周期期间将写入射束引导至写入像素位置的驻留时间；
图5A至图5C是图3的SLM的镜子的俯视透视示意图，写入图案特征结构分别与图4A至图4C的各驻留时间和图2的写入周期区位置一致；
图6A至图6D是示出调变SLM的示例性镜子的角位置(angular positon)以关于光刻胶厚度偏差进行调整的列线图，其中列线图分别图示在数个写入周期中的镜子角位置、发射到镜子的剂量、从SLM反射到光刻胶的剂量和在写入像素位置处的光刻胶厚度；
图7A是通过根据光刻胶厚度确定驻留时间，利用图2的多射束图案产生器在基板上写入图案而精确写入图案的示例性工艺流程图；
图7B是用图2的多射束图案产生器在光刻胶上写入图案的示例性替代工艺流程图，其中并入光刻胶厚度偏差与曝光后工艺偏差的数字剂量修正图被用于调整输送于写入像素的剂量；
图7C是示例性度量(metrology)基板的俯视图，该图图示叠加在具有度量图案的基板位置上的均匀像素剂量，所述度量图案包括使用曝光于均匀像素剂量的光刻胶中的写入像素写入的均匀特征结构尺寸；
图7D是图7C的度量基板的俯视图，该图图示叠加至各基板位置上的度量特征结构的线宽测量值；
图7E是数字剂量修正图，该图建立标称剂量与各基板位置之间的关系；
图7F是另一示例性度量基板的俯视图，该图图示度量图案的度量特征结构的线宽测量值，所述度量图案叠加至各基板位置上并使用图7E的剂量修正图写入，其中线宽测量值是由显影的光刻胶及选择性蚀刻的基板所产生的特征结构的线宽测量值；
图8是图2的多射束图案产生器的示例性实施方式的俯视透视图；
图9是示例性多射束图案产生器的另一实施方式的俯视透视示意图，该图图示写入射束致动器的不同的实施方式；
图10A至图10D是与调变由SLM的示例性镜子接收的光脉冲宽度以关于光刻胶厚度偏差进行调整相关联的列线图，其中列线图分别图示在数个写入周期的镜子角位置、发射到镜子的剂量、从SLM反射到光刻胶的剂量和在写入像素位置处的光刻胶厚度；
图11A至图11D是与调变由SLM的示例性镜子接收的光脉冲强度(或发射剂量)以关于光刻胶厚度偏差进行调整相关联的列线图，其中列线图分别图示在数个写入周期的镜子角位置、发射到镜子的剂量、从SLM反射到光刻胶的剂量和在写入像素位置处的光刻胶厚度；
图12A至图12D是与调变由SLM的示例性镜子接收的发射剂量的频率以关于光刻胶厚度偏差进行调整相关联的列线图，其中列线图分别图示在数个写入周期的镜子角位置、发射到镜子的剂量、从SLM反射到光刻胶的剂量和在写入像素位置处的光刻胶厚度；
图13A至图13F是SLM的局部示意图，在示例性基板上写入第一特征结构和第二特征结构时SLM被置于六(6)个各写入周期区位置，以做为图2的写入射束致动器的不同操作实施方式的一部分，该图图示可关闭SLM的部分镜子，以根据光刻胶厚度调变输送剂量；
图14A至图14E分别是输送到图13A至图13E的第一特征结构的累积剂量示意图；及
图15A至图15E分别是输送到图13A至图13E的第二特征结构的累积剂量示意图。
为助于理解，尽可能以相同的标号表示各图中共用的相同元件。应理解一个实施方式的元件和特征结构可有益地并入其他实施方式而无需进一步详述。
具体实施方式
现将详述各种实施方式，部分实施方式的实例被图示于附图中。事实上，本发明的构思可以许多不同形式体现，故不应解释成限定本发明；反之，这些实施方式被提供以使本揭示案符合适用的法律要求。将尽可能以相同的标号表示相仿的部件或零件。
本文揭示的实施方式包括根据光刻胶厚度使用处理器改变写入射束的输送剂量的多射束图案产生器及相关方法。图案产生器可在具有光刻胶的基板上写入图案，所述光刻胶对写入射束敏感。当写入射束在写入像素位置处写入图案的至少一部分时，可于各写入周期中写入图案。图案产生器的射束致动器可将写入射束独立地引导至写入像素，以于每个写入周期期间输送各像素剂量。可根据一或更多方式利用以下之一或更多而根据在不同写入像素位置处的光刻胶厚度来调整输送的像素剂量：致动器驻留时间、发射脉冲宽度、发射脉冲频率和发射脉冲强度。如此，可为具有变化的光刻胶厚度的基板提供额外的尺寸控制。
就此，图1A是示例性基板10的俯视透视图。基板10例如可包含石英且可用作平板显示器的部分。基板10亦可包括长L至少2.4米、宽W至少2.1米的矩形第一表面12。如此，基板10的第一表面12可支撑图案24，此将配合图5A论述于后，图案24具有与电子电路相关联的尺寸特征结构。
图案24可通过在附接至第一表面12的光刻胶14(亦称作“阻层(resist)”)中写入图案24而形成。光刻胶14对辐射敏感且可为正性光刻胶或负性光刻胶，此意指在图案24被写入光刻胶14后，曝光至辐射的光刻胶14的各部分将分别可溶于或不可溶于施加至光刻胶14的光刻胶显影剂。光刻胶14的化学组成将决定光刻胶14为正性光刻胶或负性光刻胶。例如，光刻胶14可包括重氮萘醌、酚醛树脂(phenol formaldehyde resin)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(甲基戊二亚酰胺)和SU-8的至少之一。如此，可在基板10的第一表面12上形成图案，以形成电子电路。
光刻胶14的另一特征为厚度。光刻胶14可具有外表面18，外表面18背对基板10的第一表面12。厚度TH0是光刻胶14在光刻胶14的外表面18与基板10的第一表面12之间的标称厚度。标称厚度TH0的范围例如可为从二十(20)纳米至二(2)微米。光刻胶14的厚度可随光刻胶14的部分在x方向与y方向中的位置而异，如标示为厚度TH1、TH2。光刻胶14的厚度TH1、TH2会是决定形成于光刻胶14内的图案24的特征结构尺寸的要素。
就此，图1B是写入射束辐射剂量对所得图案特征结构尺寸的曲线图。曲线图含有三条线20A-20C，用以表示使用正性光刻胶时，分别关于光刻胶厚度TH2、光刻胶厚度TH1和标称厚度TH0形成各种图案特征结构尺寸所需的辐射量。就正性光刻胶类型而言，较大光刻胶厚度需要额外剂量来写入图案24的特征结构。例如，为了在光刻胶14中形成具有线宽LW的图案特征结构，以线20B表示的光刻胶厚度TH1将需要辐射剂量D2，而以线20A表示的光刻胶厚度TH2将需要辐射剂量D1。因标称光刻胶厚度TH0可介于光刻胶14的厚度TH1、TH2之间，故标称剂量D0可具有介于辐射剂量D1、D2之间的值。用负性光刻胶形成的图案尺寸亦取决于光刻胶厚度。提供光刻胶14在光刻胶14的x位置与y位置处的厚度的数据可与光刻胶14的类型一起用来调整在光刻胶14中写入图案24时的辐射剂量曝光量。如此，可实现更好地控制图案24的尺寸。
图2是示例性多射束图案产生器22的俯视透视示意图，多射束图案产生器22使用多个写入射束25(1)-25(N)在贴附至基板10的光刻胶14中写入图案24。图案产生器22包括台架26和写入机构27。写入机构27可包括至少一个光源28A、28B、写入射束致动器30、计算机处理器32和光学装置34。现将依序说明多射束图案产生器22的这些部件的每个部件的细节。
台架26可支撑基板10及相对于写入射束致动器30移动基板10。台架26可包括至少一个支撑表面36，用以在z方向支撑基板10。台架26可按速度VXY沿x方向及/或y方向移动，以提供基板10与写入射束致动器30之间的移动，以使得图案24的部分可在至少一个写入周期WC期间由写入射束25(1)-25(N1)写入。于写入周期WC1、WC2、WCN2中写入的图案24的部分分别表示为WCZL1、WCZL2、WCZLN2。每个写入周期WC1、WC2、WCN2可按至少十五(15)千赫的速度写入。台架26的路径例如可呈蛇形(serpentine shape)，以将图案24完全写入光刻胶14中。台架26亦可包括电动电机(未图示)以提供移动。如此，可在写入图案24时定位基板10。
继续参照图2，台架26亦可包括定位装置38，用以测定写入期间台架26和基板10的位置。在一个实施方式中，定位装置38可包含干涉仪40，干涉仪40包括激光器42以发射激光束44，激光束44由光学部件46A、46B、46C引导至台架26的邻边48A、48B。来自定位装置38的数据可提供给计算机处理器32，所述数据关于台架26在x方向及/或y方向中的位置变化。
为确保可相对台架26确定基板10的位置，定位装置38亦可包括对准相机50。对准相机50可包括光学传感器，例如电荷耦合装置，以读取基板10上的至少一个对准记号52而标示(register)基板10到台架26和写入射束致动器30。对准相机50可耦接至计算机处理器32，以协助测定基板10上的图案24。为此，一旦可经由对准相机50标示基板10，便可测定基板10相对于台架26的位置。
其次，图案产生器22包括光源28A、28B。在图2所示的实施方式中，光源28A、28B可包含至少一个激光器，所述激光器朝写入射束致动器30发射光54。光源28A、28B可被配置为发射波长符合光刻胶14的使用的光54。例如，波长可小于或等于四百零五(405)纳米。如此，写入射束致动器30可被供给辐射能，以将辐射能作为写入射束25(1)-25(n1)引导至光刻胶14上的写入像素位置WPL(此将参照图5A至图5C说明于后)。
继续参照图2，现将论述写入射束致动器30。在一个实施方式中，写入射束致动器30可以是空间光调变器56(“SLM”)。SLM 56包含镜子58(1)-58(N1)，这些镜子各自由来自计算机处理器32的信号控制。SLM 56例如可为由美国德州Dallas的Texas Instruments公司制造的DLP9500型数字镜装置。SLM 56可具有例如排成1920列和1080行的多个镜子58(1)-58(N1)。如此，光54可被镜子58(1)-58(N1)反射到光刻胶14。
就此，图3是SLM 56的俯视透视示意图，该图图示SLM的镜子58(1)-58(N1)的作用位置60A和不作用位置60B，以在写入周期WC期间，将写入射束25(1)-25(N1)的每个写入射束各个地引导至写入像素位置达各驻留时间。SLM 56的镜子58(1)-58(N1)的每个镜子可被配置为能单独地从各自的不作用位置60B启动(或数字控制)至各自的作用位置60A，而将光54的各部分反射到基板10。镜子58(1)-58(N1)的每个镜子在处于作用位置60A时可将光54的一部分反射到基板10，而在处于不作用位置60B时则将少于此反射部分的百分之五(5％)反射到基板10。光54的辐射能会淀积(deposite)在图案24上的写入周期区位置WCZL1-WCZLN2的不同写入周期区位置中。注意如图2所示，写入周期区位置WCZL1-WCZLN2可重叠。如此，可由多个写入周期确定图案24的特征结构，以减少定位误差，因为在任何单一写入周期输送到基板10的辐射能与在其他写入周期WC输送以形成图案24的辐射能被平均化。
返回参照图2及图3，图案产生器22亦包括计算机处理器32。计算机处理器32可指示镜子58(1)-58(N1)在每个写入周期中处于作用位置60A或不作用位置60B。计算机处理器32亦可确定镜子58(1)-58(N1)的每个镜子的驻留时间及/或后述实施方式的像素剂量信息，例如从接收自定位装置38的位置数据、接收自储存装置62的光刻胶厚度TH信息、和接收自储存装置62的图案信息。亦可依据下游处理(比如光刻胶显影或基板蚀刻)后取得的图案化特征结构尺寸(即线宽)确定驻留时间。
为此，在一个实施方式中，计算机处理器32可使用接收自定位装置38的位置数据确定在写入周期的各写入周期期间写入射束25(1)-25(N1)的各写入射束的每个写入射束在光刻胶14上的各预期入射位置(“写入像素位置WPL1-WPLN1”)。计算机处理器32可依据各写入射束25(1)-25(N1)的每个写入射束的写入像素位置WPL1-WPLN1是否被设置于将要写入光刻胶14中的图案24的特征结构64内(参见图5A至图5C)来确定镜子58(1)-58(N1)的各个镜子是否要被驱动至作用位置60A。计算机处理器32亦可依据储存于储存装置62中的信息确定各预期入射位置处的光刻胶厚度TH(1)-TH(N1)。计算机处理器32亦可通过获取储存装置62中的剂量修正图或与例如如查找表格式的图1B一致的信息，来确定与各入射位置处的各光刻胶厚度相关联的各写入射束辐射剂量。计算机处理器32可根据例如线性关系将各写入射束辐射剂量转换成驻留时间(或激光脉冲功率或更多/更少镜子启动(发射))。如此，计算机处理器32可根据各写入像素位置处的光刻胶厚度调整用于各写入像素位置的像素剂量。因此，为具有变化的光刻胶厚度的基板提供特征结构尺寸的额外控制。
图4A至图4C提供根据光刻胶14的厚度从标称值调整驻留时间的附加实例。特定而言，图4A至图4C是在写入周期期间在写入像素位置上的写入射束的累积剂量的曲线图。就此，分别就标称光刻胶厚度、增大的光刻胶厚度和减小的光刻胶厚度图示驻留时间调整。将结合图5A至图5C说明图4A至图4C，图5A至图5C是图3的SLM 56的镜子58(1)-58(N1)的俯视透视示意图，在图2所示的写入周期区位置WCZL1-WCZLN2中利用分别与图4A至图4C一致的驻留时间调整写入示例性图案特征结构64(1)、64(2)、64(N2)。
图4A及图5A中图示与输送辐射能到具有标称光刻胶厚度TH0的写入像素位置WPLX1(参见图1A)相关的标称剂量D0(图1B)。在此描述的情况中，图案24的特征结构64(1)于写入周期WC1期间可在第一写入周期区位置WCZL1(参见图2及图5A)中。利用镜子58(1)-58(N1)中的被启动的镜子将来自光源28A、28B的光54反射到光刻胶14中的第一写入周期区位置WCZL1，可形成写入射束25(1)-25(N1)。特征结构64(1)的角部处的写入像素位置WPLX1可与镜子58(x1)和标称光刻胶厚度TH0相关联。注意镜子58(1)-58(N)的部分66(1)可用于形成写入射束25(B1)-25(B2)，以写入特征结构64(1)的角部。如图4A所示，示出处于启动位置60A的镜子58(x1)输送累积剂量D0至各写入位置WPLX1所需的驻留时间DTX1。驻留时间DTX1的范围例如可为从零(0)至一百(100)微秒。计算机处理器32可指示镜子58(x1)在写入周期WC1期间处于启动位置60A达驻留时间DTX1。如此，可精确控制写入特征结构64(1)。在一些情况下，SLM 56的镜子可根据具有固定频率的钟速(clock rate)操作，以使得镜子处于启动位置的时间段固定。在这些情况下，可改变辐射脉冲可被发送到镜子的时间段，如随后其他实施方式中描述的。
对照图4A及图5A，图4B及图5B与光刻胶厚度TH1局部情况相关，其中光刻胶14的厚度TH1大于标称光刻胶厚度TH0。在此图示与输送辐射能至具有光刻胶厚度TH1的写入像素位置WPLX2(参见图1A及图5B)相关联的剂量D2(图1B)。在此描述的情况中，图案24的特征结构64(2)于写入周期WC2期间可在第二写入周期区位置WCZL2(参见图2及图5B)内。同样地，通过利用镜子58(1)-58(N1)中的启动的镜子将来自光源28A、28B的光54反射到光刻胶14中的第二写入周期区位置WCZL2，可形成写入射束25(1)-25(N1)。特征结构64(2)的角部处的写入像素位置WPLX2可与镜子58(X2)和光刻胶厚度TH1相关联。镜子58(1)-58(N1)的一部分66(2)可用于形成写入射束25(B1)-25(B2)，以写入特征结构64(2)的角部。如图4B所示，图示处于启动位置60A的镜子58(X2)输送剂量D1至各写入位置WPLX2所需的驻留时间DTX2。计算机处理器32可指示镜子58(X2)在写入周期WC2期间处于启动位置60A。如此，可以特定尺寸写入特征结构64(2)。
进一步对照之下，图4C及图5C与光刻胶厚度TH2情况相关。在此图示与输送辐射能至具有光刻胶厚度TH2的写入像素位置WPLXN(参见图1A)相关联的剂量D1(图1B)。在此描述的情况中，图案24的特征结构64(N2)于写入周期WCN2期间可在写入周期区位置WCZLN2(参见图2及图5C)内。同样地，通过利用镜子58(1)-58(N1)中的启动的镜子将来自光源28A、28B的光54反射到光刻胶14中的写入周期区位置WCZLN2，可形成写入射束25(1)-25(N1)。特征结构64(N2)的角部处的写入像素位置WPLXN可与镜子58(xN)和光刻胶厚度TH2相关联。注意镜子58(1)-58(N1)的一部分66(N3)可用于形成写入射束25(B1)-25(B2)，以写入特征结构64(N4)角部。如图4C所示，图示处于启动位置60A的镜子58(xN)输送剂量D1至各写入位置WPLXN所需的驻留时间DTXN。计算机处理器32可指示镜子58(xN)在写入周期WCN2期间处于启动位置60A。如此，可以特定尺寸写入特征结构64(N4)。
当在不同写入周期WC1-WCN2写入图案24时，可关于由示例性镜子58(X2)(参见图3)控制的单一写入射束25(X2)的表现描述写入射束致动器30的操作。就此，图6A至图6D是示出由图2的计算机处理器32控制的镜子58(X2)的操作实施方式的列线图。和以上就此实施方式论述的一致，在写入周期WC1-WCN2期间，光54可如图6B所示的那样均匀发射到SLM 56的镜子58(X2)。当SLM 56相对于基板10移动时(图2)，由于计算机处理器32指示镜子58(X2)处于启动位置60A(“开”位置)或处于不作用位置60B(“关”位置)，故写入射束25(X2)可写入光刻胶14中的不同写入像素位置。在图6A所示的一个情况中，图案24可要求镜子58(X2)于写入时段WC1、WC2、WC5、WC6和WCN2中使各写入像素位置的光刻胶14曝光。图案24亦可要求镜子58(X2)于写入周期WC3、WC4和WC7中不使光刻胶14曝光。如此，镜子58(X2)可促成图案14的写入。所得特征结构尺寸可随在写入像素处的光刻胶厚度而异。
通过根据光刻胶14的厚度调整写入周期WC1-WCN2期间由镜子58(X2)输送的总剂量，可最小化由阻层厚度变化引起的线宽均匀度误差。图6D图示基板10上的光刻胶14于不同写入像素的厚度，所述写入像素与每个写入周期WC1-WCN2期间的镜子58(X2)有关。在一情况中，光刻胶14的厚度TH0可与写入周期WC1-WC4相关联，大于TH0的厚度TH1可与写入周期WC5-WC7相关联，小于TH0的厚度TH2可与写入周期WCN2相关联。如此，光刻胶14的厚度可用于调整输送到每个写入像素的总剂量，以达成更佳的线宽均匀度。
总剂量与线宽的关系先前已关于图1B及图4A至图4C进行论述。就此，如图6C所示，在写入周期WC1与WC2期间，镜子58(X2)可移动到启动位置60A达驻留时间T，以在光刻胶上产生驻留时间T的写入像素剂量。驻留时间T可与形成具有光刻胶厚度TH0的特征结构尺寸相关联。相比之下，在写入周期WC5与WC6期间，镜子58(X2)可移动到启动位置60A达驻留时间T+ΔT1。驻留时间T+ΔT1可大于驻留时间T。驻留时间T+ΔT1可与光刻胶14的厚度TH1相关联(图6D)。如此，可由镜子58(X2)在写入周期WC5、WC6期间形成的图案的特征结构尺寸类似于在写入周期WC1、WC2期间形成的特征结构。
当光刻胶厚度更薄时，亦可调整输送到光刻胶14的剂量，以于写入周期达成相同的特征结构尺寸。例如，在写入周期WCN2中，镜子58(X2)可移动到启动位置60A达驻留时间T-ΔT2。驻留时间T-ΔT2可小于驻留时间T。驻留时间T+ΔT1可与光刻胶14的厚度TH2相关联(图6D)。如此，写入像素剂量可被输送到光刻胶14以写入图案24，同时补偿更薄的光刻胶厚度偏差。
注意到如图6C所示，在写入周期WC3、WC4和WC7期间，因镜子处于不作用位置60B，故无写入像素剂量可经由镜子58(X2)输送到光刻胶14。因此不需补偿光刻胶厚度。既已描述计算机处理器32的操作，现则提供图案产生器22的其他特征结构。返回参照图2，图案产生器22亦可包括光学装置34。光学装置34可包括减缩比(reduction ratio)以减小光刻胶14的写入像素位置处的写入射束25(1)-25(N1)的尺寸。减缩比可在从1：1至5：1的范围内。就此，光学装置34可于台架26与写入射束致动器30之间包括至少一个透镜，透镜包括至少一个凸面及/或凹面。光学装置34可就光54的各种波长包含高穿透性材料(例如石英)，以使写入射束25(1)-25(N1)聚焦在光刻胶14上。在一个实施方式中，当镜子25(1)-25(N1)中不同的镜子处于作用位置60A时，使写入射束25(1)-25(N1)的相邻射束的中心彼此隔开的有效节距(pitch)可为二十五(25)微米或更小。而且，镜子58(1)-58(N1)可沿着平行或实质平行的轨迹朝光刻胶14反射写入射束25(1)-25(N1)。就光学装置34的减缩比为5：1而言，当写入射束25(1)-25(N1)朝光刻胶14通过光学装置34时，在光刻胶14处的有效节距可为五(5)微米或更小。在一个情况中，SLM可包括十(10)微米的镜子尺寸，该镜子尺寸与光刻胶中二(2)微米的像素尺寸相关联，并足以产生约四(4)微米的特征结构尺寸，包括线与空间。如此，可用更精确的控制在光刻胶14上产生比无光学装置34的情况高的分辨率图像。
既已论述了图案产生器22的实施方式的部件，图7A现则图示使用图案产生器22通过将写入射束25(1)-25(N1)中的每个写入射束引导至光刻胶14达驻留时间DT来写入图案24的示例性工艺100的流程图，其中根据光刻胶14的局部厚度调整驻留时间DT。将使用上述术语与信息说明图7A所示的工艺100。
工艺100可包括在储存装置62处接收光刻胶厚度数据及提供所述数据至计算机处理器32(图7A的操作102A)。光刻胶14的厚度TH数据可例如是基于光刻胶14中的x、y位置座标的查找表格式。如此，可取得厚度数据，以用于确定写入射束25(1)-25(N1)中的每个写入射束在光刻胶14的写入像素位置WPL1-WPLN1的各写入像素位置上的驻留时间。
工艺100可包括在至少一个写入周期WC1-WCN2期间，利用台架26将基板10支撑在至少一个写入周期区位置WCZL1-WCZLN2(图7A的操作102B)。台架26及/或写入机构27可彼此相对移动，以相对于写入射束25(1)-25(N1)设置写入周期区位置WCZL1-WCZLN2的每个写入周期区位置。如此，可相对于用于写入的写入射束25(1)-25(N1)方便地定位图案24。
工艺100可包括使用计算机处理器32根据光刻胶14在各写入像素位置WPL1-WPLN1处的局部厚度TH来确定各写入射束25(1)-25(N1)的驻留时间DT1-DTN1(图7A的操作102C)。注意可在关于写入周期WC1-WCN2的不同时间调整写入射束25(1)-25(N1)的驻留时间DT1-DTN1。在一个实施方式中，可实时确定驻留时间DT1-DTN1。在另一实施方式中，可在开始时间到结束时间所界定的时间段内确定给定写入周期WC1-WCN2的驻留时间DT1-DTN1。所述开始时间可以是紧接在给定写入周期前的写入周期的开端。所述结束时间可以是给定写入周期的结束端。如此，可及时提供驻留时间DT1-DTN1至写入射束致动器30。
工艺100亦可包括利用写入射束致动器30将写入射束25(1)-25(N1)的每个写入射束独立地引导至设置在基板10的光刻胶14上的写入像素位置WPL1-WPLN1达各驻留时间DT1-DTN1(图7A的操作102D)。用写入射束致动器30独立地引导写入射束25(1)-25(N1)的每个写入射束可包含同时独立地引导至少一千(1000)个写入射束。独立地引导可包含独立地引导SLM 56的镜子58(1)-58(N1)的每个镜子。独立地引导可包含在写入周期WC1-WCN2期间，当计算机处理器32确定写入射束25(1)-25(N1)的各写入射束的中心轴可入射到光刻胶14中的图案24的特征结构64(1)-64(N2)之一者内时，使SLM 56的镜子58(1)-58(N1)的各镜子启动至作用位置60A。独立地引导可包括在写入周期WC1-WCN2的单个写入周期期间，使用计算机处理器32提供包含至少三个不同值的各驻留时间DT1-DTN1至SLM 56的镜子25(1)-25(N1)的三个镜子。如此，可精确地写入图案24而具有较小的尺寸误差，所述尺寸误差因光刻胶14的厚度变化而导致。
工艺100亦可包括确定是否完成写入图案24(图7A的操作102E)。若完成写入，则工艺100可准备处理下一基板10(图6的操作102G)。否则，可开始写入周期WC1-WCN2的下一周期(图7A的操作102F)及再次重复进行操作102A-102E。如此，可通过图案产生器22完全写入图案24，且图案24可用与光刻胶14相容的光刻胶显影剂(未图示)处理。
图7B是用图2的多射束图案产生器22在光刻胶14上写入图案24的示例性替代工艺200的流程图，其中并入光刻胶14的厚度偏差与曝光后工艺偏差的剂量修正图202被用于调整图案产生器22输送于写入像素的剂量。将用上述术语与信息说明图7B所示的工艺200。
就此，工艺200可包括使用图案产生器22以均匀写入像素剂量将度量图案写入光刻胶14内(图7B的操作204A)。度量图案可包含均匀分布于度量基板10A各处的一组相同尺寸的度量特征结构205(1)-205(N3)。图7C是具有度量图案205(X)的示例性度量基板的俯视图，度量图案205(X)具有均匀尺寸(即5微米线宽形成十字)，该均匀尺寸是通过将光刻胶14中的写入像素曝光于示例性均匀剂量Q1而写入的，例如在此情况中，均匀剂量Q1可为三十(30)毫焦耳每平方厘米。为说明的目的，度量特征结构205(X)被绘示成光刻胶14中曝光的一组写入像素剂量Q1，每个写入像素剂量Q1包含30毫焦耳。
工艺200亦可包括使光刻胶显影及选择性蚀刻基板，以形成可被测量的度量特征结构205(1)-205(N3)(图7B的操作204B)。图7D是图7C的度量基板10A的俯视图，该图图示度量特征结构205(1)-205(N3)的示例性线宽测量值W1，度量特征结构叠加在度量基板10的各个位置上。如图7D所示，线宽测量值W1的范围可为从4.6微米至5.6微米。线宽测量值W1的范围可具有数个变化来源，包括光刻胶14的厚度偏差。如此，可产生与基板上的位置和像素剂量相关联的线宽测量值基准组。
工艺200亦可包括建立剂量修正图202(图7B的操作204C)。如图7E所示，剂量修正图202建立基板上的位置与要输送到这些位置的写入像素的标称剂量的关系，以达成标称线宽(参见图1B)。在剂量修正图202的其他实施方式中，也可用各个位置处的标称剂量的百分比值取代标称剂量值。如图7E所示，剂量修正图202可包括从24毫焦耳每平方厘米至34毫焦耳每平方厘米的标称剂量范围。剂量修正图202中的较低标称剂量可与图7D所示的大于5微米的线宽相关联。而且，剂量修正图202中的较高标称剂量可与图7D所示的小于5微米的线宽相关联。如此，计算机处理器32可使用剂量修正图202，依据基板上写入像素的位置来调整输送于写入像素的标称剂量。如此，可用计算机处理器32调整输送至写入像素的剂量，以补偿光刻胶厚度偏差。
如图7F所示，工艺200亦可包括基于剂量修正图202，用计算机处理器32调整输送到基板位置的像素剂量而写入另一度量基板10B(图7B的操作204D)。工艺200亦可包括使光刻胶显影及选择性蚀刻其他度量基板的基板，以产生度量特征结构205’(1)-205’(N3)，度量特征结构205’(1)-205’(N3)可被测量以测定线宽测量值(图7B的操作204E)。为此，图7F是其他示例性度量基板10B的俯视图，该图图示度量图案的度量特征结构的线宽测量值，所述度量图案被叠加在度量基板10B的各个位置上并已基于剂量修正图202以像素剂量写入。度量基板10B上测量的线宽范围为4.9微米至5.0微米。如此，图案产生器可使用剂量修正图202在基板上的光刻胶中写入图案，此经显影后可有改善的均匀度。
工艺200亦可包括确定测量的线宽W2是否可接受(图7B的操作204F)。确定可接受性的示例性标准可为线宽值或其他均匀度测量值范围，例如所有测量值皆在标称值的一百(100)纳米内。若可接受，则工艺200可包括准备处理下一基板(图7B的操作204G)，或若不可接受，则工艺可返回操作204A，以建立另一剂量修正图202。如此，通过调整剂量以补偿光刻胶厚度偏差，可控制线宽均匀度。
图8是图2的多射束图案产生器22的示例性实施方式的俯视透视图，该图图示相对于台架26装设的写入机构27。写入机构27可包括光源28A、28B、写入射束致动器30、计算机处理器32和光学装置34。如此，由台架26支撑的基板10可相对于写入机构27移动，以便在基板10上写入图案24时可同时针对光刻胶厚度变化进行调整。
图9是示例性多射束图案产生器22’的另一实施方式的俯视透视示意图。图案产生器22’可类似于图2的图案产生器22，故为清楚和简洁起见，将主要说明不同之处。写入射束致动器30’取代图2的写入射束致动器30。就此，写入射束致动器30’可包括发射写入射束25’(1)-25’(N1)的多个辐射源104(1)-104(N1)。辐射源104(1)-104(N1)可包含激光二极管或垂直腔表面发射激光器(“VCSEL”)，写入射束25’(1)-25’(N1)可包含从辐射源104(1)-104(N1)发射的激光束。计算机处理器32可根据光刻胶14的厚度确定写入射束25’(1)-25’(N1)在每个写入周期期间的驻留时间。如此，可以精确尺寸控制精确地写入图案24。
计算机处理器32的不同操作实施方式提供其他方式，以根据光刻胶14的厚度偏差调整写入剂量。之前关于图6A至图6D描述了第一操作实施方式。现将参照图10A至图15E说明其他实施方式。
现将参照图10A至图10D说明计算机处理器32的第二操作实施方式。此第二实施方式类似于图6A至图6D所示的实施方式，故为了清楚和简洁起见，将只说明不同之处。为此，图10A至图10D的第二实施方式可涉及计算机处理器32(图2)被配置为指示至少一个光源28A、28B发射光54，光54具有与SLM 56的镜子58(X2)的时钟周期同步的脉冲。在一个情况中，当光56的脉冲要被镜子58(X2)反射时，时钟周期能使镜子58(X2)移动到启动位置60A，以输送剂量至光刻胶14中的与图案24一致的写入像素。图10A图示镜子58(X2)在写入周期WC1、WC2、WC5、WC6和WCN2期间处于启动位置60A，及在写入周期WC3、WC4和WC7期间处于不作用位置60B。然而镜子58(X2)在给定写入周期期间可处于启动位置60A的时长可大于已与各给定写入周期同步的光56的脉冲宽度。如此，相对于镜子58(X2)处于启动位置60A的时长，光56的脉冲的宽度可用于调整写入周期期间输送到光刻胶的剂量。
在图10A至图10D所示的构思中，计算机处理器32(图2)可指示：a)在写入周期WC1和WC2中发射脉冲宽度T的光56至镜子58(X2)，b)在写入周期WC5和WC6中发射脉冲宽度T+ΔT1，及c)在写入周期WCN2期间发射脉冲宽度T-ΔT2。较高宽度T+ΔT1可与光刻胶厚度TH1相关联，光刻胶厚度TH1比光刻胶厚度TH0厚，较低宽度T-ΔT2可与光刻胶厚度TH2相关联，光刻胶厚度TH2比光刻胶厚度TH0薄。因脉冲宽度与镜子58(X2)的启动位置60A同步，故在这些写入周期WC1、WC2、WC5、WC6和WCN2期间，可于写入像素接收这些写入周期的每个写入周期期间光56的脉冲宽度。如此，通过改变发射到SLM 56的光56的脉冲宽度，可调整像素剂量。
注意在图10C中，在写入周期WC3、WC4和WC7期间，由于在此例中镜子58(X2)处于不作用位置60B(“关”)，故无写入像素剂量可经由镜子58(X2)输送到光刻胶14。因此可不需补偿光刻胶厚度。
现将参照图11A至图11D说明计算机处理器32的第三操作实施方式。此第三实施方式类似于图10A至图10D所示的实施方式，故为了清楚和简洁起见，将只说明不同之处。就此，图11A至图11D的第三实施方式可涉及计算机处理器32(图2)被配置为指示至少一个光源28A、28B发射光54，光56的脉冲与SLM 56的镜子58(X2)的时钟周期同步。然而替代光56的脉冲宽度，调整光56的脉冲强度来补偿光刻胶厚度偏差。
在图11B所示的一个情况中，在写入周期WC5、WC6期间，计算机处理器32指示光源发射脉冲强度增强的光56。例如，可从写入周期WC1、WC2中发射的标称量Q增加强度ΔQ1。如图11D所示，此增加的强度可补偿较厚阻层厚度TH1。在写入周期WCN2中，计算机处理器32可指示光56的脉冲强度从标称量Q降低强度ΔQ2，以补偿较薄阻层厚度TH2。如此，改变光56的脉冲强度可用于补偿光刻胶厚度偏差，以达成更佳的均匀度。
现将参照图12A至图12D说明计算机处理器32的第四操作实施方式。此第三实施方式类似于图10A至图10D所示的实施方式，故为了清楚和简洁起见，将只说明不同之处。就此，图12A至图12D的第四实施方式可涉及计算机处理器32发出指示以调整光56的脉冲频率，以补偿光刻胶厚度偏差。在此实施方式中，通过调整脉冲频率，光56的脉冲的每个脉冲的宽度可维持不变。如此，可根据脉冲频率，调整写入周期的每个写入周期的像素剂量。
在图12B所示的此实施方式的一个情况中，在写入周期WC5、WC6期间，计算机处理器32提供指示，使光56的脉冲频率从写入周期WC1至WC4中指示的每写入周期八(8)个脉冲的标称频率增为每写入周期十(10)个脉冲的频率。如图12D所示，较高频率补偿较厚阻层厚度TH1。在写入周期WCN2中，计算机处理器32指示光56的脉冲频率从标称的八(8)个脉冲减为每写入周期七(7)个脉冲，以补偿较薄阻层厚度TH2。如此，改变光56的脉冲频率可用于补偿光刻胶厚度偏差，并达成较高的均匀度。应理解亦可结合使用第三与第四实施方式。
亦揭示第五实施方式。就此，可关闭镜子58(1)-58(N1)的部分208，以调整输送到图案特征结构的累积剂量，进而补偿光刻胶厚度偏差。就此，图13A至图13F是SLM 56的示意图，SLM 56分别叠置在六(6)个写入周期区位置的基板10上。贴附至基板10的光刻胶区段14A可包括比贴附至基板10的光刻胶区段14B的厚度薄的厚度。故剂量调整可用于改进特征结构尺寸的均匀度。如图13A所示，待写入的图案的第一特征结构210A和第二特征结构210B可分别设在光刻胶区段14A、14B中。当镜子58(1)-58(N1)与基板10彼此相对移动时，施加累积像素剂量来写入第一特征结构210A和第二特征结构210B。图14A至图14E分别图示在图13A至图13E的写入周期中施加至第一特征结构210A的累积剂量。图15A至图15E分别图示在图13A至图13E的写入周期中施加至第二特征结构210B的累积剂量。如图13E所示，镜子58(1)-58(N1)的部分208可用于提供剂量至第一特征结构210A，但因部分208中的镜子是关闭的(处于不作用位置60B)，故无贡献至第一特征结构210A的剂量。如此，计算机处理器32可指示关闭不同部分的镜子，以根据光刻胶厚度调整像素剂量。此实施方式的优点可为可通过实行部分208的位置和尺寸而计及阻层厚度偏差，而精确调整像素剂量。
本领域技术人员在理解前述说明和附图教示的实施方式的优点后将能获得本文未阐述的许多修改例和其他实施方式。故应理解说明书和权利要求书并不限于所揭示的特定实施方式，修改例和其他实施方式拟包括在所附权利要求书的范围内。旨在使实施方式涵盖实施方式的修改和变化，只要这些实施方式落在所附权利要求书及其等同物的范围内。虽然本文采用特殊术语，但此仅做为通称说明、而无限定之意。
虽然以上内容针对本发明的实施方式，但在不背离本发明的基本范围的情况下，可设计出本发明的其他和进一步的实施方式，因此本发明的范围由后附权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种多射束图案产生器，包含：
台架，所述台架被配置为在多个写入周期的各写入周期期间将第一基板支撑在多个写入周期区位置中；
写入射束致动器，所述写入射束致动器被配置为将多个写入射束的每个写入射束独立地引导至多个写入像素位置，所述多个写入像素位置设置在设置于所述第一基板上的光刻胶的外表面上；及
计算机处理器，所述计算机处理器被配置为：
确定在所述写入像素位置的每个写入像素位置处的所述光刻胶的厚度，其中每个厚度是在使所述光刻胶曝光于所述多个写入射束之前在所述第一基板与所述光刻胶的所述外表面之间测量的，
在使第一度量基板在相应写入像素位置的每个写入像素位置处曝光于来自所述多个写入射束的均匀写入剂量后，确定所述第一度量基板上的所述相应写入像素位置处的曝光后工艺偏差，
在第二度量基板上的相应写入像素位置处施加多个修正剂量，其中所述多个修正剂量是基于为所述第一度量基板确定的所述曝光后工艺偏差而确定的，
确定施加至所述第二度量基板的所述多个修正剂量对于处理其他基板是可接受的，所述其他基板包括所述第一基板，及
根据在所述第一基板上的各所述写入像素位置之间的所述光刻胶的厚度的变化以及根据被施加至所述第二度量基板的所述多个修正剂量来调整从所述多个写入射束到所述第一基板上的各所述写入像素位置的输送写入剂量，其中所述计算机处理器被配置为在确定施加至所述第二度量基板的所述多个修正剂量对于处理包括所述第一基板的其他基板是可接受的之后调整所述输送写入剂量。
2.如权利要求1所述的多射束图案产生器，其中所述写入射束致动器包含空间光调变器(SLM)，所述空间光调变器包含多个镜子。
3.如权利要求2所述的多射束图案产生器，进一步包含光源，其中所述SLM的这些镜子被配置为在所述多个写入周期的各写入周期期间，彼此独立地数字受控而从不作用位置到作用位置达各驻留时间，以将从所述光源发射的光反射到所述光刻胶上。
4.如权利要求1所述的多射束图案产生器，进一步包含储存装置，其中所述计算机处理器被配置为依据从所述储存装置接取的所述光刻胶的厚度的数据而调整所述输送写入剂量。
5.如权利要求1所述的多射束图案产生器，其中所述计算机处理器被配置为通过指示用于所述写入射束致动器的辐射源发射辐射脉冲来调整所述输送写入剂量，所述辐射脉冲的脉冲宽度根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度而被调整。
6.如权利要求1所述的多射束图案产生器，其中所述计算机处理器被配置为通过指示用于所述写入射束致动器的辐射源发射辐射脉冲来调整所述输送写入剂量，所述辐射脉冲的脉冲频率根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度而被调整。
7.如权利要求1所述的多射束图案产生器，其中所述计算机处理器被配置为通过根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度指示所述写入射束致动器关闭所述写入射束的一部分而根据所述第一基板的一部分处的所述光刻胶的厚度来调整所述输送写入剂量。
8.如权利要求1所述的多射束图案产生器，其中所述计算机处理器被配置为根据剂量修正图调整所述输送写入剂量。
9.如权利要求1所述的多射束图案产生器，其中所述计算机处理器被配置为通过指示用于所述写入射束致动器的辐射源发射辐射脉冲来调整所述输送写入剂量，所述辐射脉冲的强度根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度而被调整。
10.一种用多射束图案产生器写入图案的方法，所述方法包含：
在多个写入周期的各个写入周期期间利用台架将第一基板支撑在多个写入周期区位置中；
利用计算机处理器指示写入射束致动器，以将多个写入射束独立地引导至多个写入像素位置，所述多个写入像素位置设置在设置于所述第一基板上的光刻胶的外表面上；
确定在所述写入像素位置的每个写入像素位置处的所述光刻胶的厚度，其中每个厚度是在使所述光刻胶曝光于所述多个写入射束之前在所述第一基板与所述光刻胶的所述外表面之间测量的；
在使第一度量基板在相应写入像素位置的每个写入像素位置处曝光于来自所述多个写入射束的均匀写入剂量后，确定所述第一度量基板上的所述相应写入像素位置处的曝光后工艺偏差；
在第二度量基板上的相应写入像素位置处施加多个修正剂量，其中所述多个修正剂量是基于为所述第一度量基板确定的所述曝光后工艺偏差而确定的；
确定施加至所述第二度量基板的所述多个修正剂量对于处理其他基板是可接受的，所述其他基板包括所述第一基板；及
根据在所述第一基板上的各所述写入像素位置之间的所述光刻胶的厚度的变化以及根据被施加至所述第二度量基板的所述多个修正剂量来调整从所述多个写入射束输送到所述第一基板上的各所述写入像素位置的写入像素剂量，其中调整所述写入像素剂量的步骤发生在确定施加至所述第二度量基板的所述多个修正剂量对于处理包括所述第一基板的其他基板是可接受的之后。
11.如权利要求10所述的方法，其中调整所述写入像素剂量的步骤包含：指示用于所述写入射束致动器的辐射源发射辐射脉冲，所述辐射脉冲的脉冲宽度根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度而被调整。
12.如权利要求10所述的方法，其中调整所述写入像素剂量的步骤包含：指示用于所述写入射束致动器的辐射源发射辐射脉冲，所述辐射脉冲的脉冲频率根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度而被调整。
13.如权利要求10所述的方法，其中调整所述写入像素剂量的步骤包含：在所述多个写入周期的至少一个写入周期期间，根据所述光刻胶的厚度指示所述写入射束致动器关闭所述写入射束的一部分。
14.如权利要求10所述的方法，其中调整所述写入像素剂量的步骤包含：基于对所述多个写入周期区位置的各个写入周期区位置的识别，从剂量修正图接收写入像素剂量数据。
15.如权利要求10所述的方法，其中调整所述写入像素剂量的步骤包含：指示用于所述写入射束致动器的辐射源发射辐射脉冲，所述辐射脉冲的强度根据在各所述写入像素位置处的所述光刻胶的厚度而被调整。
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