KR970048991A - 포토마스크의 결함 수정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토마스크의 결함 수정 방법으로서, 포토마스크 기판상에 하프톤막에 의해 패턴이 형성되고, 상기 패턴 부분에 해당하는 영역내의 포토마스크 기판상에 상기 패턴의 일부분을 가리는 결함 부분이 있는 포토 마스크의 결함을 수정하기 위하여, 상기 결함 부분의 위에 투과율이 0%인 투과 방지층을 형성한다. 본 발명에 의하면, 하프톤막에 의한 포토마스크에서 결함 부분에 의한 상쇄 간섭 현상을 방지할 수 있다. 그리고, 포토마스크의 결함 부분을 수정한 후에도 인텐시티가 저하되는 현상 및 초점 심도가 작아지는 현상을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도 및 제8도는 본 발명에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (2)
- 포토마스크 기판상에 하프톤막에 의해 패턴이 형성되고, 상기 패턴 부분에 해당하는 영역내의 포토마스크 기판상에 상기 패턴의 일부분을 가리는 결함 부분이 있는 포토 마스크의 결함을 수정하기 위하여, 상기 결함 부분의 위에 투과율이 0%인 투과 방지층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 포토마스크의 결함 수정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투과 방지층은 카본(carbon)을 소스로 하는 가스를 상기 결함 부분 위에 중착함으로써 형성되는 것을 특징으로 포토마스크의 결함 수정 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950049680A KR970048991A (ko) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 포토마스크의 결함 수정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950049680A KR970048991A (ko) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 포토마스크의 결함 수정 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048991A true KR970048991A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66594722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950049680A KR970048991A (ko) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 포토마스크의 결함 수정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048991A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585057B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2006-07-25 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크의 결함 수정 방법_ |
| KR100675880B1 (ko) * | 2001-05-19 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
| US7264905B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-09-04 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
-
1995
- 1995-12-14 KR KR1019950049680A patent/KR970048991A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100585057B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2006-07-25 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크의 결함 수정 방법_ |
| KR100675880B1 (ko) * | 2001-05-19 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
| US7264905B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-09-04 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7582397B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-09-01 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7585599B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-09-08 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7771904B2 (en) | 2003-01-31 | 2010-08-10 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
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