KR970048549A - 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인(Burn-in) 테스트 방법 - Google Patents
반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인(Burn-in) 테스트 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970048549A KR970048549A KR1019950057222A KR19950057222A KR970048549A KR 970048549 A KR970048549 A KR 970048549A KR 1019950057222 A KR1019950057222 A KR 1019950057222A KR 19950057222 A KR19950057222 A KR 19950057222A KR 970048549 A KR970048549 A KR 970048549A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- word line
- burn
- line driver
- wafer
- sub word
- Prior art date
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
서브 워드라인 드라이버를 사용하는 메모리 장치에서의 웨이퍼 "Burn-in" 테스트 방법에 개시된다. 본 발명은 다수개의 메모리 셀 어레이와 다수개의 비트라인과 비트라인 바를 구비하며, 셀 데이터를 독출하기 위한 워드라인을 활성화시키기 위하여 nMOS만으로 이루어진 서브 워드라인 드라이버를 구비하고 있는 반도체 메모리 장치에 있어서, 웨이퍼 상태에서의 "Burn-in" 동작이 상기 워드라인 드라이버의 전원을 통해 노말 (Normal) 동작시와 동일한 전류경로를 통하여 다수개의 워드라인을 활성화시킴으로써 웨이퍼 Burn-in을 수행한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 웨이 퍼Burn-in 장치의 구성도이다,
제3도는 본 발명을 구현하기 위한 관련 회로도이다.
Claims (4)
- 다수개의 메모리 셀 어레이와 다수개의 비트라인과 비트라인바를 구비아며, 셀 테이터를 독출하기 위한 워드라인을 활성화시키기 위하여 nMOS만으로 이루어진 서브 워드라인 드라이버를 구비하고 있는 반도체 메모리 장치에 있어서, 웨이퍼 상태에서의 "Burn-in" 동작이 상기 서브 워드라인 드라이버의 전원을 통해 노말(Normal) 동작시와 동일한 전류경로를 통하여 다수개의 워드라인을 활성화시킴으로써 웨이퍼 Burn-in 을 수행함을 특징으로 하는 웨이퍼 Burn-in 테스트 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노멀 동작시에는 디코드된 로우어드레스에 의해 생성된 신호가 상기 nMOS만으로 구성된 서브 워드라인 드라이버의 부스팅 입력으로 들어가고, 서브 워드라인 드라이버의 전원을 블록신호를 생성된 전원에 의해 워드라인을 활성화시키며, 웨이퍼 Burn-in 동작은 칩 패드 (PAD)의 신호에 의해 생성된 신호가 서브 워드라인 드라이버의 전원으로 사용되어 상기 워드라인 활성화 경로를 거치는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 Burn-in 테스트 방법.
- 다수개의 메모리 셀 어레이와 다수개의 비트라인과 비트라인바를 구비하며, 셀 데이터를 독출하기 위한 워드라인을 활성화시키기 위하여 nMOS만으로 이루어진 서브 워드라인 드라이버를 구비하고 있는 반도체 메모리 장치에 있어서, 웨이퍼 상태로의 "Burn-in" 동작은 제1수단을 통하여 워드라인을 홀수, 및 짝수번째로 나누어 활성화시킬수 있으며,노말(Normal) 동작시와 동일한 전류경로를 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 Burn-in 테스트 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1수단은 상기 웨이퍼 Burn-in 시 사용되는 패드로서, "로우"신호 인가시 워드라인의 짝수 또는 홀수를 결정해 주며, 상기 서브 워드라인 드라이버의 입력으로 쓰이는 지연신호를 내부적으로 만들어 주는 회로를 구비함을 특징으로 하는 웨이퍼 Burn-in 테스트 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057222A KR970048549A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인(Burn-in) 테스트 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057222A KR970048549A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인(Burn-in) 테스트 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048549A true KR970048549A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057222A KR970048549A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인(Burn-in) 테스트 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048549A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370173B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 집적 회로 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057222A patent/KR970048549A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370173B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 집적 회로 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970051455A (ko) | 리던던트셀 테스트 제어회로를 구비하는 반도체 메모리장치 | |
| KR920008768A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR970051182A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR900005444A (ko) | 속기 기능을 지닌 반도체 메모리 장치 | |
| KR950006850A (ko) | 선택기 회로 | |
| KR960042765A (ko) | 반도체 메모리장치의 메모리 셀 테스트 제어회로 및 방법 | |
| KR940002865A (ko) | 반도체 메모리 장치의 번-인 인에이블 회로 및 번-인 테스트 방법 | |
| KR870009395A (ko) | 불휘발성 메모리 회로 | |
| KR950015399A (ko) | 비트 단위 데이타의 입력 및 출력용 반도체 메모리 장치 | |
| KR930020447A (ko) | 반도체 메모리 장치의 비트라인 프리차아지방식 | |
| KR930005025A (ko) | 저전력용 블럭 선택 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 | |
| KR880009373A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970023454A (ko) | 불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로 | |
| KR910020731A (ko) | 반도체장치 및 그 번인방법 | |
| KR970051456A (ko) | Dq 채널 수를 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치 | |
| KR940007873A (ko) | 반도체 메모리장치의 플레시 라이트 회로 | |
| KR960005625A (ko) | 테스트타임이 단축되는 반도체메모리장치 및 이를 위한 컬럼선택트랜지스터 제어방법 | |
| KR970049243A (ko) | 반도체 메모리 디바이스의 구분방법 | |
| KR970048549A (ko) | 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인(Burn-in) 테스트 방법 | |
| KR950019006A (ko) | 옵션 처리를 이용한 리페어 효율 증가 회로 | |
| KR880014569A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970060223A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제어 방법 | |
| KR960025750A (ko) | 플래쉬 메모리장치 | |
| KR0144255B1 (ko) | 디램의 컬럼 스타트 제어회로 | |
| KR940702304A (ko) | 반도체 기억장치 및 반도체 기억장치의 데이터 읽어내는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |