KR970023702A - 이온주입기에서 이온비임을 형성하는 방법 및 장치 - Google Patents

이온주입기에서 이온비임을 형성하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970023702A
KR970023702A KR1019960046180A KR19960046180A KR970023702A KR 970023702 A KR970023702 A KR 970023702A KR 1019960046180 A KR1019960046180 A KR 1019960046180A KR 19960046180 A KR19960046180 A KR 19960046180A KR 970023702 A KR970023702 A KR 970023702A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic field
ion beam
pole
coils
region
Prior art date
Application number
KR1019960046180A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100295627B1 (ko
Inventor
모리스 벤베니스테 백터
Original Assignee
프랑크 엠 사죠백
이턴 코오포레이숀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프랑크 엠 사죠백, 이턴 코오포레이숀 filed Critical 프랑크 엠 사죠백
Publication of KR970023702A publication Critical patent/KR970023702A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100295627B1 publication Critical patent/KR100295627B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/10—Lenses
    • H01J2237/14—Lenses magnetic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

저에너지 이온주입기(10)는 이온(14)을 방출하는 이온소오스(12)와 이온이 이온소오스에서 주입실로 이동하는 이온비임 통로에 의해 이온 소오스로부터 공간을 둔 주입실(17)을 지닌다. 질량분해 자석은 이온소오스와 주입실 사이의 비임통로를 따라 위치하여 제어된 아치 모양의 통로를 통해 이온을 편향시키셔 이온비임으로부터 이온을 여과시키고 나머지 이온을 이온주입실에 들어가게 한다. 자석은 강자성처리도된 다중자극편(110, 112)를 포함하고 이온편향영역(120)의 부분과 접한 안쪽으로 마주한 극표면(114, 116)을 지닌다. 하나 이상의 전류운반 코일(122, 123)은 쌍극자자계(B0)를 극편 주변의 편향 영역에서 설정한다. 부가적인 코일(130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137)은 편향영역에 4극장(Q1,Q2,Q3,Q4)를 설정하는데 도움이 된다.
제어기(100)는 자계를 극편 주위에 편향영역에 발생시키기 위해 하나 이상의 전류 운반코일을 통해 상기 자석 제어전류의 하나 이상의 코일에 전기적으로 접속되어 있다.

Description

이온주입기에서 이온비임을 형성하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 이온소오스, 비임형성, 성형구조 및 주입실을 포함하는 이온비임 주입기를 도시한 측면도.

Claims (33)

  1. (가) 이온비임을 자계영역(120)을 통해 이동시키는 단계와; (나) 하나 이상의 쌍극자장 발생코일(122, 123)을 통전시켜서 쌍극자자계(B0)를 자계영역에 발생시키는 단계와, (다) 하나 이상의 4극장 발생코일(130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137)을 통전시켜서 4극 자계(Q1, Q2, Q3, Q4)를 발생시키게 하는 단계와 ; (라) 하나 이상의 쌍극자장 발생코일과 하나 이상의 4극장 발생코일의 통전을 제어하여 이온비임이 전계 영역을 통해 이동할 때 이온비임으로 부터 입자를 여과시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  2. 제 I 항에 있어서, 이동단계 (가)는 자계영역을 이동하는 투자 비임 가이드(26)를 통해 이온비임을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 통전단계 (b)는 (i)이 자계영역을 이등분하는 평면의 제1측에 위치한 제 1 쌍극자장 발생코일(122)를 통전시키는 단계와; (ii)제1측에 대향하는 이등분 평면의 제2측에 위치한 제2쌍극자장 발생코일(123)을 통전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, (i)자계영역을 이등분하는 평면(25)의 제1측에 위치한 제1한쌍의 4극장 발생코일(130, 131)을 통전시키는 단계와; (ii)제1측에 대향하는 이등분 평면이 제2측에 위치한 제2한쌍의 4극장 발생코일(136, 137)을 통전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 쌍극자장 발생코일과 하나 이상의 4극장발생 코일을 통해 냉매를 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 분해판(40)의 구멍을 통해 여과된 이온비임을 통과시켜서 여과된 이온비임으로 목표물을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 이동단계 (가)는 자계영역의 두개 이상의 순차영역(A, B, C)을 통해 이온비임을 이동시키는 단계를 포함하고 통전단계 (다) 는 (i)제1세트의 하나 이상의 4극장(130, 131, 136, 137) 발생코일을 통전시켜서 4극 자계를 자계영역의 영역중 하나 (A)에 발생시키는 단계와; (ii) 제2세트의 하나 이상의 4극장 발생코일(132, 133)을 통전시켜서 4극 자계를 자계영역의 영역중 나머지 하나(13)에 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 제어단계 (라)는 제1세트의 하나 이상의 4극장 발생코일의 통전과 제2세트의 하나 이상의 4극장 발생코일의 통전을 선택적으로 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 통전단계 (C)는 제3세트의 하나 이상의 4극장 발생코일(134, 135)을 통전하여 자계영역의 나머지 영역(C)에 4극 자계를 발생시키는 단계를 포함하고 제어 단계(라)는 제3세트의 하나 이상의 4극장 발생코일의 통전을 선택적으로 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  10. 제1항에 있어서 이온소오스(12)로부터 이온을 방출시키는 이온비임을 형성하기 위해 이온소오스에서 이온을 가속시키는 단계와 ; 제 1및 제2아치모양으로 연장한 극편(110, 112)을 이온비임의 아치모양의 이동통로의 당측에 위치시켜서 안폭으로 마주한 표면(114, 116)이 자계 중앙 평면(125)의 대향측에 위치시키는 단계와 ; 아치모양으로 연장한 극편을 따라 하나 이상의 쌍극자장 발생코일을 위치시켜서 상기 제1및 제2아치모양으로 연장한 극편으로부터 나머지 상기 제 1 및 제 2아치 모양으로 연장한 극편물 발생시키는 단계와 ; 제1 및 제2 아치모양 극편 및 자계영역의 안쪽으로 마주한 표면 사이에 다수의 하나 이상의 4극장 발생코일을 위치시키는 단계를 포함하고 ; 제어단계 (라)는 하나 이상의 쌍극자장 발생코일과 4극장 발생코일과 4극장 발생코일은 선택적으로 통전시켜서 제어된 4극 자계를 극편 사이의 영역에 제공하는 단계를 포함하고 ; 자계영역의 자계는 이온비임으로 부터의 대전비에 대한 고유질량외의 질량을 지닌 이온을 선택적으로 여과하기 위해 소오스를 탈출하는 이온비임이 이온을 차단하는 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 각각의 제1및 제2극편은 다중아치형극 세그먼트(110A, 110B, 110C)에 배열되어 있고 ; 극편의 각각의 극 세그먼트는 하나 이상의 4극장 발생코일중 하나를 지지하여 극 세그먼트의 면을 따라 전류를 설정하고 ; 통전단계 (다)는 대향극 새그먼트에 부착된 4극장 발생코일을 통전시켜서 제1 극편과 제2 극편 사이의 순차적으로 만나는 자계영역(A, B, C)를 통해 이동하는 이온은을 초점을 맞추거나 초점을 맞추지 않는 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 제어단계 (라)는 제1및 제2 쌍의 극편에 부착된 4극장 발생코일의 통전을 제어하여 제 1쌍의 자극편 새그먼트에 의해 경계하는 제 1 자계 영역 내의 특정 평면쪽으로 이온을 촛점 맞추고 이온이 제 1자계 영역 다음에 들어오는 제 2쌍의 자극편에 의해 경계지어진 제 2자극영역내의 특정 평면으로 부터 이온을 디포커스(defocus)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 방법.
  13. 가) 이온비임이 이동하는 자계영역(120)을 형성하는 구조(26, 110, 112)와; (나) 자계영역에 대해 구조와 배열되어 이온비임이 자계영역을 통해 이동할때 이온비임으로 부터 입자를 여과하기 위해 자계영역에서 쌍극자자계(130)와 4극 자계(Q1, Q2, Q3, Q4)모드를 발생시키는 다수의 전도코일(122, 123, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137) ; (다) 다수의 전도코일을 통전시켜서 쌍극자자계와 이 쌍극자 자계에 중첩된 4극 자계를 발생시키는 제어기(100)를 구비한 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 이구조는 자계영역을 형성하기 위해 서로에 대해 배열된 두개의 자극편(110, 112)를 포함하는 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  15. 제 13항에 있어서, 자계영역을 이동시키도록 위치한 자기적으로 투과 가능한 가이드(26)을 포함하는 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 비임 가이드는 이온비임이 이동하는 저압영역을 유지하기 위해 포위된 용적과 경계지는 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  17. 제13항에 있어서, 다수의 전도코일은 자계영역을 이등분하는 평면(125)의 제1극에 위치한 제1쌍극자장 발생코일(122)과 이 제1층에 대향하는 이등분평면의 제2측에 위치한 제2쌍극자장 발생코일(123)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  18. 제13항에 있어서, 다수의 전도코일은 자계영역을 이등분하는 평면(125)의 제1측에 위치한 제1쌍의 4극장 발생코일(130, 131)과 제1측에 대향하는 이등분 평면의 제2측에 위치한 제2쌍의 4극장 발생코일(136, 137)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  19. 제13항에 있어서, 다수의 전도코일중 하나는 제 1방사상 새그먼트(214, 252)와 제 8방사상 새그먼트(216, 250)을 포함하고, 각각은 이온비임이 아치형 이동통로를 따라 연장한 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  20. 제13항에 있어서, 다수의 전도코일중 하나는 다수층(230)에 배열된 전도 튜빙을 포함하고, 각각의 층은 반경이 다른 다수의 아치형 새그먼트를 포함하는 것을 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  21. 제 13항에 있어서, 다수의 전도코일은 냉매를 전달하는 통로를 지닌 튜빙을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  22. 제13항에 있어서, 이온을 발생하여 이온비임 형성하는 이온소오스(12)와 여과된 이온비임이 통과하는 구멍을 지닌 분해판(40)과 여과된 이온비임으로 목표물을 처리하는 이온주입 장소(10)의 결합을 특징으로 하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 방법.
  23. 제 13항에 있어서, 다수의 전도코일로 배열된 구조는 이온비임이 이동하는 자계영역의 두개의 순차적영역(A, B, C)를 형성하고 다수의 전도코일은 4극 자계를 자계영역의 하나의 제1영역(A)에 발생시키기 위한 제1세트의 하나 이상의 4극장 발생코일(130, 131, 136, 137)과, 자계 영역의 또 다른 하나의 영역(B)에 4극 자계를 발생시키기 위한 제 2세트의 하나 이상의 4극장 발생코일(132, 133)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  24. 제23항에 있어서, 구조는 자계영역이 제1 영역을 형성하기 위해 제1세트의 하나 이상의 4극장 방생코일과 서로에 대해 배열된 한쌍의 자극편(110, 112)를 포함하는 것을 특징으로하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  25. 제23항에 있어서, 제어기는 제1세트의 하나 이상의 4극장 발생코일의 통전과 제 2세트의 하나 이상의 4극장 발생코일의 동전을 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  26. 제25항에 있어서, 다수의 전도코일은 자계영역의 또 다른 영역(C)에 4극 자계를 발생시키기 위한 제3세트의 하나 이상의 4극장 발생코일(134, 135)를 포함하고, 제어기는 제 3세트의 하나 이상의 4극장 발생코일의 통전 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  27. 제 13항에 있어서, 이온을 방출하여 이온비임을 형성하는 이온소오스(12)와 장치가 이온이 이온소오스로 부터 주입실까지 이동하는 이온비임 통로를 형성하도록 이온소오스에 대해 공간을 둔 관계로 설치된 주입실(17)에 결합하여; 구조와 다수의 전도코일이 이온소오스와 주입실 사이의 이온비임 통로를 따라 위치한 자석을 형성하여 아치모양의 통로를 통해 이온을 편향시켜 이온비임으로 부터 원하지 않는 입자를 여과시키고; 구조는 강자성체로 된 제 1및 제2자극편(110, 112)를 포함하고 상기 극편은 이온비임이 이동하는 자계영역에 의해 공간을 둔 안쪽으로 마주한 극표면(114, 116)을 지니고; 다수의 전도코일은(i) 자극편 주위에 위치하여 쌍극자 자계를 제 1 및 제2 자극편의 안쪽으로 마주한 극표면 사이의 자계영역에 발생시켜서 아치형 통로들 따라 자계영역을 통해 이온비임을 구성하는 대전된 입자를 굴절시키는 하나 이상의 쌍극자당 발생코일(122, 123)과, (ii)이온비임이 추종하는 아치형 통로를 따라 연장한 전기 전류를 제공하여 극편 사이의 자계 영역의 쌍극자자계에 4극 자계를 중첩시키는 하나 이상의 자제 4극자계를 중첩시키는 하나 이상의 4극자계를 중첩시키는 하나이상의 4극장 발생코일(130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137)를 구비하는 것을 특징으로 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
  28. 제27항에 있어서, 하나 이상의 4극장 발생코일은 자극편에 부착되어 있고 자석극편 및 자계영역의 안쪽으로 마주한 극표면 사이에 위치한 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  29. 제27항에 있어서, 안쪽으로 마주한 극표면은 평면이고 자석의 자계 중앙 평면의 대항측에 공간은 두고; 두개 이상의 쌍극자장 발생코일(122, 123)은 폐쇄된 자계영역을 형성하기 위해 자계 중앙 평면의 대향측에 서로 접한 것을 특징으로 하는 이온비임(14) 으로부터 입자를 여과하는 장치.
  30. 제27항에 있어서, 제1 및 제2자극편은 다중 극편 새그먼트(110A, 110B, 110C)로 새그먼트 되어 있고 하나 이상의 4극장 발생코일은 극편 새그머트와 접한 영역에 4극 자계를 설정하는 특정 자극편 새그먼트에 부착된 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  31. 제30항에 있어서, 두개 이상의 쌍극장 발생코일은 자석을 통해 이온비임 이동통로의 아치모양의 길이의 측을 따라 연장한 안장 모양의 코일을 형성하고 이동통로로 부터 구브러져 이온이 자석에 뜬어가는 출입구와 탈출 개구부(150, 152)를 형성하는 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  32. 제27항에 있어서, 두개 이상의 쌍극자 발생코일은 자석을 통해 이온비임 이동통로의 아치 모양의 길이 측을 따라 연장한 아치 모양의 코일부근 형성하고, 2개 코일의 아치 모양이 부분(214, 216)은 자계 영역을 이등분하는 비임 중앙 평면을 따라 서로 접한 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로 부터 입자를 여과하는 장치.
  33. 제27항에 있어서, 제1 및 제2자극편은 자석의 방사상 내부항의 협부로 부터 자석의 방사상 외부 상의 광부로 폭이 넓어지는 다중 극편 새그먼트(110A, 110B, 110C)로 새그먼트된 것을 특징으로 하는 이온비임(14)으로부터 입자를 여과하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960046180A 1995-10-19 1996-10-16 이온주입기에서 이온비임을 형성하는 방법 및 장치 KR100295627B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US545,135 1995-10-19
US08/545,135 US5554857A (en) 1995-10-19 1995-10-19 Method and apparatus for ion beam formation in an ion implanter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023702A true KR970023702A (ko) 1997-05-30
KR100295627B1 KR100295627B1 (ko) 2001-10-24

Family

ID=24175020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960046180A KR100295627B1 (ko) 1995-10-19 1996-10-16 이온주입기에서 이온비임을 형성하는 방법 및 장치

Country Status (9)

Country Link
US (2) US5554857A (ko)
EP (1) EP0769798B1 (ko)
JP (1) JP3721462B2 (ko)
KR (1) KR100295627B1 (ko)
CN (1) CN1101593C (ko)
CA (1) CA2184629A1 (ko)
DE (1) DE69611024T2 (ko)
SG (1) SG44054A1 (ko)
TW (1) TW367518B (ko)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9503305D0 (en) * 1995-02-20 1995-04-12 Univ Nanyang Filtered cathodic arc source
US5554857A (en) * 1995-10-19 1996-09-10 Eaton Corporation Method and apparatus for ion beam formation in an ion implanter
US5780863A (en) * 1997-04-29 1998-07-14 Eaton Corporation Accelerator-decelerator electrostatic lens for variably focusing and mass resolving an ion beam in an ion implanter
JP3376857B2 (ja) * 1997-05-07 2003-02-10 日新電機株式会社 イオン注入装置
JP3449198B2 (ja) * 1997-10-22 2003-09-22 日新電機株式会社 イオン注入装置
US6207963B1 (en) 1998-12-23 2001-03-27 Axcelis Technologies, Inc. Ion beam implantation using conical magnetic scanning
US6403967B1 (en) 1999-10-15 2002-06-11 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Magnet system for an ion beam implantation system using high perveance beams
US6541781B1 (en) 2000-07-25 2003-04-01 Axcelis Technologies, Inc. Waveguide for microwave excitation of plasma in an ion beam guide
US6703628B2 (en) 2000-07-25 2004-03-09 Axceliss Technologies, Inc Method and system for ion beam containment in an ion beam guide
US6414329B1 (en) 2000-07-25 2002-07-02 Axcelis Technologies, Inc. Method and system for microwave excitation of plasma in an ion beam guide
US6583429B2 (en) 2001-08-23 2003-06-24 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for improved ion bunching in an ion implantation system
US6635890B2 (en) 2001-08-23 2003-10-21 Axcelis Technologies, Inc. Slit double gap buncher and method for improved ion bunching in an ion implantation system
AU2002321806A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-23 Inolase 2002 Ltd. Method and apparatus for improving safety during exposure to a monochromatic light source
US20040227106A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Halling Alfred M. System and methods for ion beam containment using localized electrostatic fields in an ion beam passageway
US6770888B1 (en) * 2003-05-15 2004-08-03 Axcelis Technologies, Inc. High mass resolution magnet for ribbon beam ion implanters
US6891174B2 (en) * 2003-07-31 2005-05-10 Axcelis Technologies, Inc. Method and system for ion beam containment using photoelectrons in an ion beam guide
US20050061997A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Benveniste Victor M. Ion beam slit extraction with mass separation
US6870170B1 (en) * 2004-03-04 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Ion implant dose control
US7675050B2 (en) * 2006-06-12 2010-03-09 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for ion beam implantation using ribbon and spot beams
US7462843B2 (en) * 2004-05-18 2008-12-09 Advanced Ion Bean Technology Inc. Apparatus and methods for ion beam implantation
US7019314B1 (en) 2004-10-18 2006-03-28 Axcelis Technologies, Inc. Systems and methods for ion beam focusing
US7414249B2 (en) * 2004-11-30 2008-08-19 Purser Kenneth H Broad energy-range ribbon ion beam collimation using a variable-gradient dipole
US7488958B2 (en) * 2005-03-08 2009-02-10 Axcelis Technologies, Inc. High conductance ion source
JP4875400B2 (ja) * 2005-05-06 2012-02-15 アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インク リボンイオンビーム用高アスペクト比、高質量分解能アナライザマグネット及びシステム
KR100671158B1 (ko) * 2005-08-11 2007-01-17 동부일렉트로닉스 주식회사 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 이온 주입 장치
US7446326B2 (en) * 2005-08-31 2008-11-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for improving ion implanter productivity
WO2007146985A2 (en) * 2006-06-13 2007-12-21 Semequip, Inc. Magnetic analyzer apparatus and method for ion implantation
US8124946B2 (en) * 2008-06-25 2012-02-28 Axcelis Technologies Inc. Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems
DE102008062888B4 (de) * 2008-12-23 2010-12-16 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung mit Magnetanordnung
US7807986B1 (en) * 2009-05-27 2010-10-05 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Ion implanter and method for adjusting ion beam
CN101692369B (zh) * 2009-07-23 2012-05-16 胡新平 用于宽带离子束的质量分析磁铁
US8604443B2 (en) * 2009-11-13 2013-12-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for manipulating an ion beam
US8227773B2 (en) 2010-07-29 2012-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Versatile beam glitch detection system
CN102523673A (zh) * 2011-12-19 2012-06-27 北京大学 一种采用磁镜场约束的等离子体密封窗及其密封方法
US8723135B2 (en) * 2012-04-03 2014-05-13 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion beam bending magnet for a ribbon-shaped ion beam
JP6500009B2 (ja) 2013-03-15 2019-04-10 グレン レイン ファミリー リミテッド ライアビリティ リミテッド パートナーシップ 調節可能な質量分析アパーチャ
US9177708B2 (en) 2013-06-14 2015-11-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Annular cooling fluid passage for magnets
US9620327B2 (en) * 2014-12-26 2017-04-11 Axcelis Technologies, Inc. Combined multipole magnet and dipole scanning magnet
JP6098846B2 (ja) * 2015-06-16 2017-03-22 日新イオン機器株式会社 真空チャンバ及び質量分析電磁石
CN104979156B (zh) * 2015-07-14 2017-03-01 东莞帕萨电子装备有限公司 束流调节装置
US9793087B2 (en) * 2015-09-10 2017-10-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques and apparatus for manipulating an ion beam
CN109521461B (zh) * 2019-01-08 2023-10-27 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种用于控制中子自旋的翻转线圈
CN117080039B (zh) * 2023-09-05 2024-05-31 广东省新兴激光等离子体技术研究院 分析磁场装置及离子注入机
CN117080038B (zh) * 2023-09-05 2024-08-23 广东省新兴激光等离子体技术研究院 离子束分析磁铁结构及离子注入设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2932738A (en) * 1955-09-15 1960-04-12 Commissariat Energie Atomique Magnetic prisms for separating ionized particles
US3356976A (en) * 1965-11-10 1967-12-05 William B Sampson Quadrupole magnet
US5389793A (en) * 1983-08-15 1995-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
US5164599A (en) * 1991-07-19 1992-11-17 Eaton Corporation Ion beam neutralization means generating diffuse secondary emission electron shower
US5282899A (en) * 1992-06-10 1994-02-01 Ruxam, Inc. Apparatus for the production of a dissociated atomic particle flow
US5350926A (en) * 1993-03-11 1994-09-27 Diamond Semiconductor Group, Inc. Compact high current broad beam ion implanter
US5523652A (en) * 1994-09-26 1996-06-04 Eaton Corporation Microwave energized ion source for ion implantation
US5554857A (en) * 1995-10-19 1996-09-10 Eaton Corporation Method and apparatus for ion beam formation in an ion implanter

Also Published As

Publication number Publication date
SG44054A1 (en) 1997-11-14
TW367518B (en) 1999-08-21
JP3721462B2 (ja) 2005-11-30
US5736743A (en) 1998-04-07
EP0769798A1 (en) 1997-04-23
CN1160287A (zh) 1997-09-24
JPH09129173A (ja) 1997-05-16
DE69611024T2 (de) 2001-06-21
EP0769798B1 (en) 2000-11-22
CA2184629A1 (en) 1997-04-20
CN1101593C (zh) 2003-02-12
KR100295627B1 (ko) 2001-10-24
US5554857A (en) 1996-09-10
DE69611024D1 (de) 2000-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970023702A (ko) 이온주입기에서 이온비임을 형성하는 방법 및 장치
US6794661B2 (en) Ion implantation apparatus capable of increasing beam current
KR100479374B1 (ko) 원추 자기 주사를 사용하는 이온 빔 주입 장치 및 방법
KR100848959B1 (ko) 이온주입장치
KR970060383A (ko) 이온빔 주입기 및 이온빔 지향방법
WO2002093987A3 (en) Ion sorces
CN111741590A (zh) 偏转磁铁及具有其的偏转装置
US6974950B2 (en) Positive and negative ion beam merging system for neutral beam production
US7459692B2 (en) Electron confinement inside magnet of ion implanter
JPH11176599A (ja) 荷電粒子照射装置
US4891821A (en) Magnetic correcting fence for adjacent e-guns
JPS6213568A (ja) 電子ビ−ム−直線形蒸着装置
JP2700687B2 (ja) ウィグラー装置
JP3067784B2 (ja) 静電加速器
JP4296001B2 (ja) 円形加速器
JPH027503B2 (ko)
JPH0521197A (ja) 二極電磁石
JPH08117351A (ja) 粒子ビーム照射方法および粒子ビーム装置並びにそれを用いた医療装置
JP2965287B2 (ja) 挿入光源用ビームチャンバ
JPH0367200A (ja) 磁界型偏向器
JPH0660998A (ja) 収束型多極アンジュレータ
JPH04292844A (ja) 質量分析装置
JPS6089051A (ja) イオンビ−ム装置
JP2000057960A (ja) 負イオン源
JPH11271497A (ja) マルチポール電磁石

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110428

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee