JP6500009B2 - 調節可能な質量分析アパーチャ - Google Patents
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Description
本発明は、2013年3月15日に出願した、米国特許仮出願番号第61/800,855号の権利を主張し、これは、すべての図、表、または図面を含むその全体が本明細書における引用により本明細書中に取り込まれている。
Claims (34)
- イオン源と、質量分析器と、質量分析アパーチャ(MRA)とを備えたイオン注入システムであって、
前記イオン源は、ビームラインに沿って伝播する複数のイオンを有するイオンビームを発生するように構成され、
前記質量分析器は、第1の質量対電荷比を有するイオンが第2の質量対電荷比を有するイオンよりも大きく曲げられるように、前記イオンビーム内の前記イオンの各々の軌道を曲げる磁場を生成するように構成され、前記第2の質量対電荷比が前記第1の質量対電荷比とは異なり、前記イオンの各々の前記軌道が対応する面内にあり、
前記MRAは、開口を有し、
前記イオンビーム中の前記イオンの第1の部分は、前記イオンビームが前記MRAに近づくときに前記開口を通過し、かつ前記イオンビームが前記MRAを出た後では前記イオンビーム中にあるように、前記MRAが配置され、前記イオンビームが前記MRAを出た後では前記イオンの第2の部分が前記イオンビーム中にないように、前記MRAは、前記イオンビームが前記MRAに近づくときに前記イオンビーム中の前記イオンの前記第2の部分の動きを変え、
前記開口の端部の少なくとも一部分が、フィンを組み込み、前記フィンが前表面および後表面を有し、前記前表面に対する垂線は、前記イオンビームが前記MRAに近づくときに前記イオンビームに向かう成分を有し、前記後表面に対する垂線は、前記イオンビームが前記MRAを出るときに前記イオンビームに向かう成分を有し、前記フィンが、ビームパスの方向に平行である垂線を有する前記前表面の上の先端部分を有し、
前記前表面が、前記先端部分から離れるにつれて前記開口の中心軸から離れる方向に湾曲して、
(i)前記先端部分に隣接する前記前表面の外側凸セクションと、前記前表面の前記凸セクションに隣接する前記前表面の外側凹セクションと、を形成するか、
(ii)前記先端部分に隣接する前記前表面の外側凹セクションを形成する、イオン注入システム。 - 前記外側凸セクションに衝突するイオンが、前記イオンビームの外へ偏向される、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記前表面が、前記先端部分から離れるにつれて前記開口の中心軸に近づく方向に湾曲して、前記先端部分に隣接する前記前表面の内側凸セクションを形成する、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記内側凸セクションに衝突するイオンが、前記イオンビームの外に偏向される、請求項3に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの少なくとも一部分は、前記フィンの第1のセグメントが前記フィンの第2のセグメントのものとは異なる電荷および/または異なる磁気極性を有するようにセグメント化される、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記第1のセグメントは、前記外側凹セクションがイオンの前記第2の部分の前記イオンを引き付けるような電荷を有する、請求項5に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンが、前記全体の開口の周りの前記端部から延びる、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記開口の幅が調節可能であり、前記幅が、前記面内にある方向に測定され、前記開口の前記幅を調節することが、どのイオンが前記イオンの前記第1の部分内にあるかを変える、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記MRAが、
4つの側面であって、少なくとも1つの側面が、直線的に移動可能であり、前記少なくとも1つの直線的に移動可能な側面のうちの1つまたは複数を直線的に移動させることが、高さおよび/または前記幅を調節する、4つの側面を備える、請求項8に記載のイオン注入システム。 - 前記少なくとも1つの側面のうちの前記4つの側面の各々は、前記高さが測定される前記方向に平行な方向に直線的に移動可能であり、前記高さが測定される前記方向に平行な方向に直線的に移動可能であり、
開口サイズ動作範囲内の任意の開口サイズは、前記幅が測定される前記方向に平行な前記方向におよび/または前記高さが測定され前記開口の前記高さを調節する前記方向に平行な前記方向に前記4つの側面のうちの少なくとも2つを直線的に移動させることによって実現され得る、請求項9に記載のイオン注入システム。 - 前記開口の高さが調節可能であり、前記高さが前記面に垂直な方向に測定され、前記開口の前記高さを調節することは、どのイオンが前記イオンの前記第1の部分であるかを変える、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記開口の幅が調節可能であり、前記幅が、前記面内にある方向に測定され、前記開口の前記幅を調節することが、どのイオンが前記イオンの前記第1の部分内にあるかを変える、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記開口の高さが調節可能であり、前記高さが前記面に垂直な方向に測定され、前記開口の前記高さを調節することは、どのイオンが前記イオンの前記第1の部分であるかを変え、
前記MRAが、
4つの側面であって、少なくとも1つの側面が、直線的に移動可能であり、前記少なくとも1つの直線的に移動可能な側面のうちの1つまたは複数を直線的に移動させることが、前記高さおよび/または前記幅を調節する、4つの側面を備える、請求項12に記載のイオン注入システム。 - 前記少なくとも1つの側面のうちの第1の側面は、前記幅が測定される前記方向に平行な方向に直線的に移動可能であり、前記幅が測定される前記方向に平行な前記方向に前記第1の側面を直線的に移動させることが、前記開口の前記幅を調節する、請求項13に記載のイオン注入システム。
- 前記少なくとも1つの側面のうちの第1の側面は、前記高さが測定される前記方向に平行な方向に直線的に移動可能であり、
前記高さが測定される前記方向に平行な前記方向に前記第1の側面を直線的に移動させることが、前記開口の前記高さを調節する、請求項13に記載のイオン注入システム。 - 前記少なくとも1つの側面のうちの前記4つの側面の各々は、前記高さが測定される前記方向に平行な方向に直線的に移動可能であり、前記高さが測定される前記方向に平行な方向に直線的に移動可能である、請求項13に記載のイオン注入システム。
- 開口サイズ動作範囲内の任意の開口サイズは、前記幅が測定される前記方向に平行な前記方向におよび/または前記高さが測定され前記開口の前記高さを調節する前記方向に平行な前記方向に前記4つの側面のうちの少なくとも2つを直線的に移動させることによって実現され得る、請求項13に記載のイオン注入システム。
- ある開口サイズに関して、前記あるサイズのための開口位置動作範囲内の任意の開口位置は、前記幅が測定される前記方向に平行な前記方向におよび/または前記高さが測定され前記開口の前記高さを調節する前記方向に平行な前記方向に前記4つの側面のうちの少なくとも2つを直線的に移動させることによって実現され得る、請求項16に記載のイオン注入システム。
- ある開口サイズに関して、前記あるサイズのための開口位置動作範囲内の任意の開口位置は、前記幅が測定される前記方向に平行な前記方向におよび/または前記高さが測定され前記開口の前記高さを調節する前記方向に平行な前記方向に前記4つの側面のうちの少なくとも2つを直線的に移動させることによって実現され得る、請求項17に記載のイオン注入システム。
- 前記4つの側面の各々が、対応する端部の長さに沿って対応するフィンを有し、
その少なくとも1つのフィンは、前記開口の端部の少なくとも一部分が組み込む前記フィンである、請求項13に記載のイオン注入システム。 - 前記開口のパス位置が調節可能であり、前記パス位置がビームパスに沿った方向に測定され、
前記開口の前記パス位置を調節することが、どのイオンが前記イオンの前記第1の部分内にあるかを変える、請求項11に記載のイオン注入システム。 - 前記開口のパス位置が調節可能であり、前記パス位置がビームパスに沿った方向に測定され、
前記開口の前記パス位置を調節することが、どのイオンが前記イオンの前記第1の部分であるかを変える、請求項12に記載のイオン注入システム。 - 前記複数のイオンが、同位元素を含む、請求項11に記載のイオン注入システム。
- 前記MRAが、前記開口に隣接する端部を有し、前記端部がフェイス表面および側部表面を有し、前記フェイス表面に対する垂線が、ビームパスと平行であり、前記側部表面に対する垂線が、前記ビームパスに対して垂直であり、前記フェイス表面に隣接する前記MRAの少なくとも一部分は、前記フェイス表面に隣接する前記MRAの前記少なくとも一部分の第1のセグメントが、前記MRAの前記少なくとも一部分の第2のセグメントとは異なる電荷および/または異なる磁気極性を有するようにセグメント化され、
前記開口に隣接する端部の少なくとも一部分が、前記フィンを組み込み、
前記フィンの少なくとも一部分が、前記フェイス表面に隣接する前記MRAの前記少なくとも一部分の前記第1のセグメントが前記フィンの第1のセグメントとなるように、セグメント化され、
前記フィンの前記第1のセグメントが、前記フィンの第2のセグメントのものとは異なる電荷および/または異なる磁気極性を有する、請求項1に記載のイオン注入システム。 - 前記第1のセグメントは、前記第1のセグメントが複数のイオンの前記第2の部分のイオンを引き付けるような電荷を有する、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの前記第1のセグメントは、前記前表面の前記外側凹セクションが前記複数のイオンの前記第2の部分のイオンを引き付けるような電荷を有する、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの前記第2のセグメントが、前記複数のイオンの前記第2の部分のイオンのうちのイオンを反発するような電荷を有する、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記前表面が、前記前表面の上の前記先端部分から離れるにつれて前記開口の中心軸から離れる方向に遠くへ湾曲して、前記前表面の前記先端部分と前記前表面の前記外側凹セクションとの間に、前記前表面の前記外側凹セクションに隣接する前記先端部分に隣接する前記前表面の外側凸セクションを形成する、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記イオンビームが前記MRAに近づくときに前記質量分析器から出力された前記イオンビーム中の前記複数のイオンのうちのイオンであって、前記前表面の前記外側凸セクションに衝突するイオンが、前記イオンビームの外へ偏向される、請求項28に記載のイオン注入システム。
- 前記イオンビームが前記MRAに近づくときに前記質量分析器から出力された前記イオンビーム中の前記複数のイオンのうちのイオンであって、前記前表面の内側凸セクションに衝突するイオンが、前記イオンビームの外へ偏向される、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの前記第1のセグメントが、前記フィンの前記第2のセグメントのものとは異なる磁気極性を有する、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの前記第1のセグメントが、前記フィンの前記第2のセグメントのものとは異なる電荷を有する、請求項24に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの第3のセグメントが、中性電荷を有する、請求項32に記載のイオン注入システム。
- 前記フィンの前記第1のセグメントが、正電荷を有し、前記フィンの前記第2のセグメントが、負電荷を有する、請求項32に記載のイオン注入システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361800855P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/800,855 | 2013-03-15 | ||
PCT/US2014/030744 WO2014145898A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-03-17 | Adjustable mass resolving aperture |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016520951A JP2016520951A (ja) | 2016-07-14 |
JP2016520951A5 JP2016520951A5 (ja) | 2017-06-01 |
JP6500009B2 true JP6500009B2 (ja) | 2019-04-10 |
Family
ID=51521619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016503455A Active JP6500009B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-17 | 調節可能な質量分析アパーチャ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9401260B2 (ja) |
EP (1) | EP2973663B1 (ja) |
JP (1) | JP6500009B2 (ja) |
KR (1) | KR20150130557A (ja) |
CN (1) | CN105247660B (ja) |
HK (1) | HK1220287A1 (ja) |
WO (1) | WO2014145898A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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NL109951C (ja) | 1959-05-28 | |||
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-
2014
- 2014-03-17 JP JP2016503455A patent/JP6500009B2/ja active Active
- 2014-03-17 US US14/217,064 patent/US9401260B2/en active Active
- 2014-03-17 CN CN201480027405.2A patent/CN105247660B/zh active Active
- 2014-03-17 KR KR1020157029879A patent/KR20150130557A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-03-17 EP EP14764536.0A patent/EP2973663B1/en active Active
- 2014-03-17 WO PCT/US2014/030744 patent/WO2014145898A2/en active Application Filing
-
2016
- 2016-04-22 US US15/136,524 patent/US10083815B2/en active Active
- 2016-04-22 US US15/136,503 patent/US9496120B2/en active Active
- 2016-07-12 HK HK16108163.6A patent/HK1220287A1/zh unknown
-
2018
- 2018-09-25 US US16/141,083 patent/US20190172679A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014145898A3 (en) | 2015-02-26 |
WO2014145898A2 (en) | 2014-09-18 |
HK1220287A1 (zh) | 2017-04-28 |
US10083815B2 (en) | 2018-09-25 |
EP2973663B1 (en) | 2018-04-18 |
EP2973663A4 (en) | 2016-10-05 |
US20140261173A1 (en) | 2014-09-18 |
EP2973663A2 (en) | 2016-01-20 |
US20160240350A1 (en) | 2016-08-18 |
US20160240349A1 (en) | 2016-08-18 |
CN105247660A (zh) | 2016-01-13 |
US9496120B2 (en) | 2016-11-15 |
US9401260B2 (en) | 2016-07-26 |
JP2016520951A (ja) | 2016-07-14 |
US20190172679A1 (en) | 2019-06-06 |
CN105247660B (zh) | 2018-06-12 |
KR20150130557A (ko) | 2015-11-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180130 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |