KR970060383A - 이온빔 주입기 및 이온빔 지향방법 - Google Patents

이온빔 주입기 및 이온빔 지향방법 Download PDF

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Abstract

소스로부터의 가공물을 이온빔으로 가공하는 이온주입 스테이션(16)까지의 빔 경로를 따라 이온빔을 유지하는 방법 및 장치, 빔 중립화기(44)는 빔 주입 스테이션(16)으로부터 상류에 위치되고 중립화한 전자를 이온빔으로 주입한다. 자기장이 중립화한 전자의 상류 이동을 방지하는 빔 중립화기 위치로부터 상류에 형성한다. 전자이동을 방지하는 자기장을 세트업하는 개시된 기술은 이격된 제1 및 2영역자석(M1, M2)에 있다.

Description

이온빔 주입기 및 이온빔 지향방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명에 따라 구성된 양호한 자기전자 반사전극의 단면도.

Claims (14)

  1. 이온빔내에서 중립화한 전자의 이동을 제어해서 가공물의 이온빔 가동을 하기 위해 이온소스(12)로부터 가공 스테이션(16)까지 이온빔(14)을 지향하는 방법에 있어서, a) 이온소스(12)로부터 목표 가공물을 이온빔 가공을 하기 위치시킨 주입스테이션(16)까지의 빔 이동경로(14)를 따라 이온빔을 지향시키는 단계와; b) 이온빔을 목표 가공물에 접촉하기전에 중립화한 위치(44)에서 중립화한 위치(44)에서 중립화한 전자를 이온빔으로 주입하는 단계와; c) 이온을 중립화한 위치에 도달시키기전에 이온빔 다음의 점에 자기압축전극(110, 140)을 위치시킴으로써 중립화한 전자의 상류이동을 중립화한 위치(44)로부터 방해하는 자기장을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 지향방법.
  2. 제1항에 있어서, 자기장을 형성하는 단계가 이온빔 이동경로의 반대측상의 멀리 이격된 위치에 제1 및 2영구자석(M1, M2)을 설치해서 수행되는 것을 특징으로 하는 이온빔 지향방법.
  3. 제1항에 있어서, 자기장을 형성하는 단계가 이온빔 이동경로를 교차하는 이중극 필드를 세트업시켜서 수행되는 것을 특징으로 하는 이온빔 지향방법.
  4. 이온주입장치(16)에서 가공물을 가공물의 이온 충격에 의해 가공하는 이온주입기(10)에 있어서, a) 이온을 방출하는 이온소스(12)와; b) 이온소스로부터 방출된 이온으로부터 이온빔(14)을 형성하는 구조물(22, 40, 52)을 규정하고 이온빔에 의해 횡단된 이온주입기의 비워진 내부 영역을 바운드(bound)하는 구조물을 포함하는 이온빔과; c) 이온빔(14)에 의한 빔 가공용 위치에 하나 이상의 가공물을 위치시키는 주입 스테이션(16)과; d) 주입 스테이션으로부터의 이온빔 상류의 중립화한 영역으로 중립화한 전자를 주입하는 이온빔 중립화기(44)와; e) 이온빔 중립화기(44)로부터의 영역상류에서 이온빔(14)을 교차하는 자기장을 세트업시킴으로써 이온빔의 중립화한 영역으로부터 중립화한 전자의 이동을 방해하는 이온빔 중립화기(44)로부터 상류에 위치된 자석수단(110, 140)을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  5. 제4항에 있어서, 자석수단은 이온빔 중립화기(44)로부터 전자이동에 영향을 주는 제1 및 2자석(M1, M2) 간의 영역에서 자기장을 형성하는 이온빔(14)의 반대측에 이격된 제1 및 2자석(M1, M2)을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  6. 제5항에 있어서, 제1 및 2자석(M1, M2)이 극(pole)표면간에 이중극 필드를 세트업하는 내부방향으로 직면하는 극 표면을 갖는 영구자석인 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  7. 제5항에 있어서, 제1 및 2자석간의 영역에서 자기장 중심을 조절하기 위해 제1 및 2자석(M1, M2)에 매우 근접하게 지지된 제1 및 2강자성 필드 조절부재(142, 144)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 2영구자석이 바(bar)자석인 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  9. 제8항에 있어서, 자기장 라인으로 하여금 이온빔에 의해 점유된 영역을 따라 중심으로 되도록 하기 위해 기다란 바 자석 다음에 위치된 강자성 재료(142, 144)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 강자성 재료는 바 자석 각각의 양측에 위치된 강자성 바(142, 144)를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  11. 제4항의 이온빔 반사 전극에 있어서, 자석수단(110, 140)은, a) 이온빔의 이온을 제1 및 2기다란 영구자석간에 통과시키도록 하기 위해 이온빔 이동경로(14)에 대해 지향되고 상기 기다란 영구자석간의 자기장 영역에서 자기장을 물리치는 전자를 형성하는 제1 및 2기다란 영구자석(M1, M2)과; b) 이온빔을 기다란 영구자석 간의 자기장 영역에 들어가도록 통과시키기 위한 입구 원도우를 규정함으로써 직접적인 접촉으로부터의 자석을 이온빔의 이온으로써 차폐하는 흑연 차폐수단(180, 182); c) 이온빔을 따라 전자 흐름을 방해하기 위해 이온빔에 관련해서 제1 및 2기다란 영구자석(M1, M2) 및 흑연 차폐수단(180)을 지지하는 지지구조물(150, 170)을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 반사전극.
  12. 제11항에 있어서, 흑연 차폐수단이 이온빔경로(14)로부터 제1 및 2기다란 영구자석(M1, M2)을 분리하는 지지구조물에 연결된 제1 및 2흑연 차폐부(180, 182)를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 반사전극.
  13. 제12항에 있어서, 자기장 라인으로 하여금 이온빔에 의해 점유된 영역을 따라 중심으로 되도록 하기 위해 영구자석 다음에 위치된 강자성 재료(142, 144)를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 반사전극.
  14. 제13항에 있어서, 자석 다음에 위치된 강자성 재료(142, 144)가 바자석 각각의 양측에 위치된 강자성 바를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온빔 반사전극.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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