ES2216107T3 - Procedimiento y aparato para la transferencia de un haz de iones. - Google Patents
Procedimiento y aparato para la transferencia de un haz de iones.Info
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Abstract
UN METODO Y APARATO PARA MANTENER UN HAZ DE IONES A LO LARGO DE UN CAMINO DE HAZ (14) DESDE UNA FUENTE DE IONES (12) A UNA ESTACION DE IMPLANTACION DE IONES (16) DONDE LAS PIEZAS DE TRABAJO ESTAN TRATADAS CON EL HAZ DE IONES. UN NEUTRALIZADOR DE HAZ (44) SE POSICIONA ASCENDENTEMENTE DESDE LA ESTACION DE IMPLANTACION DEL HAZ (16) E INYECTA ELECTRONES DE NEUTRALIZACION DENTRO DEL HAZ DE IONES. UN CAMPO MAGNETICO SE CREA ASCENDENTE DESDE LA POSICION DEL NEUTRALIZADOR DEL HAZ PARA INHIBIR EL MOVIMIENTO ASCENDENTE DE ELECTRONES DE NEUTRALIZACION. UNA TECNICA REVELADA PARA ESTABLECER EL CAMPO MAGNETICO PARA INHIBIR EL MOVIMIENTO DE ELECTRONES ESTA CON UN PRIMER Y SEGUNDO IMAN PERMANENTE ESPACIADOS (M1,M2).
Description
Procedimiento y aparato para la transferencia de
un haz de iones.
La presente invención se refiere a un
procedimiento y un aparato para mejorar la transmisión de un haz de
iones en un implantador de iones mientras se mantiene la uniformidad
de la dosis de la implantación de iones dentro de unos límites
aceptables a través de la superficie de un objetivo implantado.
En un implantador de iones de alta corriente, el
haz de iones se propaga desde la fuente de iones hasta la pieza que
se trabaja a través de un plasma del haz. En un plasma de este tipo,
la carga positiva del espacio producida por los iones está
compensada por la carga negativa del espacio producida por los
electrones en órbita a través y alrededor del haz de iones. Estos
electrones son casi estacionarios y no se desplazan a lo largo de la
dirección de la propagación del haz de iones.
Si estos electrones son eliminados del espacio
del haz, la carga descompensada del espacio producida por los iones
generará campos eléctricos en una dirección radial al centro del
haz. Bajo el efecto de tales campos, los iones se desviarán
alejándose del centro del haz causando que el haz diverja y aumente
en sección transversal, hasta que ya no se ajuste en el interior de
la envoltura física disponible. Esta circunstancia generalmente es
referida como "amplificación del haz".
El objetivo del haz o la pieza de trabajo, a
menudo, es una pastilla de silicio eléctricamente aislante a partir
de la cual se fabrica un circuito integrado CMOS. Cuando el haz de
iones positivamente cargado choca con la pastilla de silicio, la
pastilla adquiere una carga positiva neta. La adquisición de esta
carga creará un campo eléctrico en la zona de la pastilla la cual
atraerá los electrones de neutralización del plasma del haz dando
como resultado la amplificación del haz.
Un segundo resultado de una carga positiva de los
circuitos integrados CMOS es el posible daño al circuito. Cuando se
crea una carga positiva neta en el circuito, se desarrollan grandes
campos eléctricos en la superficie de la pastilla los cuales pueden
dañar las uniones y los puertos del dispositivo cuando están siendo
creados.
Para evitar el daño causado por un haz de iones
que tienen una carga positiva neta los implantadores de la técnica
anterior han utilizado una "ducha de electrones" o "marea de
electrones". Un dispositivo de este tipo está colocado justo
aguas arriba del objetivo y proporciona una corriente de electrones
igual a la corriente positiva del haz de iones de forma que el haz
de iones resultante tiene una carga neta cero.
Mientras las duchas de electrones para
implantadores de iones han sido utilizadas con algo de éxito en los
implantadores de la técnica anterior su utilización tiene algunos
inconvenientes. Las duchas de electrones pueden no proporcionar
suficiente corriente de electrones a la corriente de iones
completamente neutralizada. Cuando ocurre esto el haz se amplificará
parcialmente y puede causar una falta de uniformidad en la dosis del
implante inaceptable. La experiencia con los implantadores de la
técnica anterior sugiere que incluso aunque el haz de iones no esté
totalmente neutralizado, si la longitud de la amplificación del haz
se puede limitar, se reducen los efectos negativos de la uniformidad
del haz.
A fin de limitar los efectos de una amplificación
parcial causada por un haz no neutralizado, una "abertura
polarizada" está generalmente colocada aguas arriba (en la
dirección de la fuente de iones) desde la ducha de electrones. Esta
abertura es un anillo metálico negativamente cargado que rodea al
haz. Esta abertura causa un potencial negativo en el centro del haz
que evita que los electrones desde ambos lados (aguas arriba o aguas
abajo) se propaguen a través del anillo. Este fenómeno se ilustra en
la figura 2, la cual ilustra un anillo de supresión de electrones
representativo de la técnica anterior colocado aguas arriba de una
ducha de electrones.
En la representación de la figura 2 el anillo R
está colocado entre dos elementos conductores conectados a masa C1,
C2. El anillo R se mantiene a un potencial eléctrico de 2,5
kilovoltios por debajo de masa y de ese modo desvía los electrones
alejándolos del plano del anillo R como se ve mediante el movimiento
de electrones en la figura 2.
Desgraciadamente, el mismo campo eléctrico que
evita que los electrones se propaguen a través del anillo polarizado
R también empobrece de electrones dentro de una distancia de
aproximadamente un diámetro del anillo, del anillo polarizado R.
Dentro de esta distancia del anillo R, la carga positiva del espacio
de iones está totalmente descompensada y ocurrirá la amplificación
del haz. Los problemas causados por esta amplificación del haz son
más pronunciados para los haces de implantación de iones de baja
energía.
Realizaciones preferidas de la presente invención
impiden la contra corriente de electrones de neutralización, pero, a
pesar de la utilización de un electrodo negativamente polarizado, no
empobrece una zona del haz de iones de todos los electrones.
De acuerdo con realizaciones preferidas de la
invención un haz de iones es dirigido a lo largo de una trayectoria
de desplazamiento del haz desde una fuente hasta una estación de
implantación en donde piezas de trabajo objetivo están colocadas
para el tratamiento con el haz de iones. Los electrones de
neutralización son inyectados dentro del haz de iones en una
localización de neutralización antes de que el haz de iones entre en
contacto con las piezas de trabajo objetivo. Un campo magnético se
crea aguas arriba de la localización de neutralización para inhibir
la contra corriente de electrones de neutralización.
La creación del campo magnético se lleva a cabo
más preferiblemente colocando imanes permanentes en lados opuestos
del haz de iones en localizaciones justo antes de que el haz alcance
el neutralizador del haz. Los imanes crean un campo magnético en la
zona a través de la cual pasa el haz de iones. Este campo magnético
causa que los electrones se desplacen de una parte a otra a lo largo
de trayectorias en espiral, pero no los repele alejándolos de sus
posiciones en el interior del haz de iones. Los electrones que se
desplazan alejándose de la zona del neutralizador del haz retroceden
al haz de iones, sin embargo, son repelidos por el campo magnético
creado por el imán permanente.
La pérdida de electrones en la zona del imán se
inhibe adicionalmente proporcionando un campo magnético en el que
las líneas del campo magnético altamente concentrado están fuera de
la zona del espacio del haz de iones.
La figura 1 es una vista desde arriba,
parcialmente en sección, que muestra un implantador de iones que
incluye una fuente de iones, una estructura de formación y
conformación del haz y una cámara de implantación.
La figura 2 es una vista en sección a mayor
escala de una zona de un electrodo de supresión de la técnica
anterior colocado aguas arriba desde un neutralizador del haz de
iones en un implantador de iones.
La figura 3 es una vista en sección a mayor
escala de una zona de un implantador de haz de iones en el que se
crea un campo magnético para inhibir la contra corriente desde un
neutralizador del haz de iones.
La figura 4 es una vista en perspectiva de una
zona de una trayectoria de desplazamiento del haz de iones en la
vecindad de un imán permanente.
La figura 5 es una vista en sección a mayor
escala de una zona de un implantador de haz de iones en la que un
campo magnético para inhibir la contra corriente de electrones tiene
unas líneas del campo magnético que están concentradas fuera de la
trayectoria de desplazamiento del haz de iones.
La figura 6 es un gráfico del rendimiento de una
transmisión como una función de la energía del haz de iones para dos
controles opuestos de la contra corriente de electrones, uno de los
controles de contra corriente es una técnica anterior y el segundo
es una técnica practicada de acuerdo con una realización preferida
de la invención.
La figura 7 es una vista en sección de un
repeledor magnético de electrones construido de acuerdo con una
realización preferida de la presente invención.
La figura 8 es una vista del repeledor magnético
de electrones como se ve desde el plano 8-8 de la
figura 7. Y
La figura 9 es una vista del repeledor magnético
como se ve desde el plano 9-9 de la figura 8.
Volviendo ahora a los dibujos, la figura 1
describe un implantador de iones, representado globalmente en 10, el
cual incluye una fuente de iones 12 para emitir iones que forman un
haz de iones 14 que atraviesa la trayectoria del haz hasta una
estación de implantación 16. La electrónica de control no
representada supervisa y controla la dosificación de iones recibida
por las pastillas dentro de la cámara de proceso 17 en la estación
de implantación 16.
La fuente de iones 12 incluye una cámara de
plasma 18 dentro de la cual los materiales fuente son inyectados
para la ionización. Los materiales fuente pueden incluir un gas
ionizable o material fuente vaporizado. Se aplica energía a los
materiales fuente para generar iones positivamente cargados en la
cámara de plasma 18. Los iones positivamente cargados salen del
interior de la cámara de plasma a través de una rendija en arco
elíptico en una placa de cubierta 20 sobrepuesta a un lado abierto
de la cámara de plasma 18.
Los iones en la cámara de plasma 18 son extraídos
a través de la rendija en arco elíptico en la placa de cubierta 20
de la cámara de plasma y se aceleran hacia un electroimán de
análisis de masa 22 mediante un conjunto de electrodos adyacentes a
la placa de cubierta 20 de la cámara de plasma. El electroimán de
análisis de masa 22 está sostenido en el interior de un alojamiento
del electroimán 32. La intensidad del campo magnético está
controlada por la electrónica de control del implantador de iones.
El campo del electroimán se controla ajustando la corriente a través
de los devanados del campo del electroimán. El electroimán de
análisis de masa 22 causa que los iones que se desplazan a lo largo
del haz de iones 14 se desplacen en una trayectoria curvada de forma
que sólo los iones que tengan una masa atómica apropiada alcancen la
estación de implantación de iones 16.
Antes de alcanzar la cámara de implantación el
haz de iones 14 es adicionalmente conformado, evaluado y acelerado
debido a la caída de potencial desde la alta tensión del alojamiento
del electroimán de análisis de masa 32 hasta la cámara de
implantación conectada a masa. La trayectoria de desplazamiento de
la línea del haz desde la fuente hasta la cámara 17 se mantiene a
una presión reducida mediante bombas de vacío P1, P2 separadas a lo
largo de la línea del haz.
Aguas abajo desde el electroimán 22 el
implantador de iones incluye un conjunto cuádruple 40, una jaula de
Faraday 42 articulada y un neutralizador del haz de iones 44. El
conjunto cuádruple 40 incluye un conjunto de electroimanes
orientados alrededor del haz de iones 14 los cuales son
selectivamente activados por la electrónica de control (no
representada) para ajustar la altura del haz de iones 14. El
conjunto cuádruple 40 está sostenido en el interior del alojamiento
del implantador 50. Acoplado a un extremo del conjunto cuádruple 40
frente al electroimán 22 hay una placa de pantalla del haz de iones
52. La placa funciona conjuntamente con el electroimán de análisis
de masa 22 para eliminar las especies de iones indeseables del haz
de iones 14.
La jaula de Faraday 42 está colocada entre el
conjunto cuádruple 40 y el aparato neutralizador del haz de iones
44. La jaula de Faraday está articuladamente acoplada en el
alojamiento 50 de forma que puede ser girada en posición para formar
intersección con el haz de iones 14 para medir las características
del haz y, cuando las medidas sean satisfactorias, oscilar fuera de
la línea del haz de forma que no interfiera con la implantación de
la pastilla en la cámara de implantación 17.
Un neutralizador del haz de iones de la técnica
anterior 44, comúnmente referido como una ducha de electrones, se
describe en la patente americana US Nº 5,164,599 de Benveniste,
publicada el 17 de noviembre de 1992 y cedida al titular de la
presente invención. La patente Nº 5,164,599 se incorpora aquí en su
integridad como referencia.
Los iones extraídos de la cámara de plasma 18
están cargados positivamente. Si la carga positiva en los iones no
se neutraliza antes de la implantación de las pastillas, las
pastillas impurificadas presentarán una carga positiva neta. Como se
ha descrito antes y en la patente Nº 5,164,599 de Benveniste, una
carga positiva de este tipo en una pastilla tiene características
indeseables.
Un neutralizador de haz de iones de la técnica
anterior de describe en la patente de Estados Unidos Nº
5,633,506.
Directamente aguas arriba del neutralizador 44
hay un repeledor magnético 110. Los componentes del repeledor 110 se
representan esquemáticamente en la figura 3. El repeledor 110
incluye imanes permanentes M1, M2 para inhibir la contra corriente
de electrones desde el neutralizador. Los imanes M1, M2 remplazan la
abertura del anillo polarizado R descrita antes en relación con la
figura 2.
El neutralizador 44 descrito en la figura 1
limita una zona interior cilíndrica abierta por un extremo lo
suficientemente grande como para permitir que el haz pase libremente
mientras los electrones de neutralización son inyectados en el
interior del haz de iones. El neutralizador 44 y el repeledor 110 se
representan en la figura 1 formados como una unidad integral y están
sostenidos por una base común 52 fijada al alojamiento 50.
Sostenido de forma giratoria en el interior de la
cámara de implantación 17 hay un soporte para la pastilla en forma
de disco (no representado). Las pastillas tratadas por el haz se
colocan cerca del borde periférico del soporte de la pastilla y el
soporte es girado por un motor (no representado) a una velocidad de
aproximadamente 1200 r/min. El haz de iones 14 choca con las
pastillas y trata las pastillas a medida que giran en una
trayectoria circular. Múltiples pastillas están sostenidas alrededor
del borde del soporte de la pastilla y son cargadas y descargadas a
través de un fiador de carga para permitir que la línea del haz se
mantenga a presión sub-atmosférica durante la carga
y la descarga.
La estación de implantación 16 está articulada
con respecto al alojamiento 50 y está unida al mismo mediante
fuelles flexibles 92. La capacidad de articulación de la estación de
implantación 16 permite ajustes en el ángulo de incidencia del haz
de iones 14 cuando el haz impacta con las pastillas en el interior
de la cámara de implantación.
La figura 3 ilustra esquemáticamente el
funcionamiento del repeledor magnético 110. Los dos imanes
permanentes M1, M2 están separados en lados opuestos del haz de
iones 14. Una cara del polo norte 122 del primer imán M1 está
encarada al haz de iones 14 en un lado del haz y una cara del polo
sur 124 del segundo imán M2 está encarada al haz de iones en el lado
opuesto del haz de iones. Las líneas de campo entre los dos imanes
se ilustran en la descripción de la figura 3. Los electrones que se
desplazan a través del haz de iones desde ubicaciones tanto aguas
arriba como aguas abajo del repeledor magnético 110 experimentan una
fuerza cuando se desplazan dentro del campo magnético entre los
imanes M1, M2.
Una ventaja importante de una realización de la
invención se ilustra mediante la descripción de la figura 3. Los
electrones ya colocados entre los dos imanes M1, M2 no son barridos
de sus posiciones en el interior del haz de iones. Los electrones
negativamente cargados en el interior del campo magnético no
experimentan una fuerza a menos que se estén desplazando. Si
experimentan una fuerza debido al desplazamiento aleatorio en el
interior del haz de iones tienden a desplazarse a lo largo de
trayectorias en espiral 130 de una parte a otra a través del haz de
iones 14. Estos electrones continúan ayudando a neutralizar el haz
en lugar de ser barridos del haz debido a la presencia de los campos
eléctricos establecidos mediante un electrodo de supresión o un
anillo R de la técnica anterior (figura 2).
Las figuras 4 y 5 ilustran una realización
alternativa de un repeledor magnético provisto de una estructura de
definición del campo que limita los dos imanes de barra alargadas
M1, M2. Las barras alargadas 142, 144 construidas a partir de un
material ferromagnético causan que las líneas del campo magnético se
concentren en el lado del haz de iones 14. La presencia de las
barras magnéticas permite que las líneas del campo crucen del polo
sur al norte pero limita la zona en la cual ocurren las líneas de
campo altamente concentradas.
Las figuras 7 a 9 ilustran una estructura
alternativa y actualmente preferida para montar un repeledor 140 que
está separado del neutralizador 44. Una base de metal 150 sostenida
por el alojamiento 50 del implantador incluye una superficie
encarada hacia dentro 152 que se apoya en el alojamiento 50
alrededor de un orificio de acceso en el alojamiento 50.
La base 150 está fijada al alojamiento del
implantador 50 por medio de conectadores roscados 154 que se acoplan
en orificios apropiadamente colocados en el alojamiento 50. Una
junta elastomérica 160 se ajusta en el interior de una ranura 162
(figura 8) en la base y cierra herméticamente el interior del
implantador para permitir que el implantador 10 sea bombeado a
presiones sub-atmosféricas. Para quitar el repeledor
140 se aflojan los conectadores 154 y la base se eleva alejándola
del alojamiento del implantador 50. Una pantalla de plomo 162 se
superpone a la base 150 y apantalla la zona del repeledor 140 de
radiaciones ionizantes en la zona del implantador.
Una escuadra 170 fijada a la base 150 está unida
mediante un bastidor de soporte 172. El bastidor de soporte 172
tiene cuatro lados y como se ve en la figura 9 es globalmente
rectangular en planta. Cuatro paredes laterales de unión
173-176 rodean el haz de iones 14 y sostienen
directamente el repeledor 140.
El repeledor 140 incluye dos imanes M1, M2 y dos
pantallas de grafito 180, 182, sostenidas por el bastidor 172. Las
pantallas de grafito 180, 182 evitan que el haz de iones 14 entre en
contacto directamente con los imanes M1, M2. Los imanes M1, M2
establecen un campo bipolar globalmente uniforme en una zona entre
los imanes. Las líneas magnéticas de fuerza creadas por este campo
se ilustran en la descripción de la figura 9 del repeledor 140.
Cada uno de los imanes como el imán M1 en la
figura 7 está fabricado de dos barras magnéticas apoyadas 190, 192,
las cuales se pueden ver en la vista en transparencia de la figura
7. Los imanes 190, 192 están alineados extremo con extremo con el
polo sur de un imán apoyado en el polo norte del imán adyacente. El
repeledor preferiblemente utiliza cuatro imanes idénticos
construidos a partir de cobalto samario y provistos de una
intensidad del campo de la superficie de por lo menos 0,25T (2500
gauss). En un implantador típico el haz de iones está conformado
para que tenga aproximadamente 1,78 cm (0,7 pulgadas) de ancho en la
ubicación en la que el haz pasa a través del neutralizador 44. Para
permitir un paso libre del haz de iones a través del repeledor
magnético 140 los dos imanes M1, M2 están separados aproximadamente
7,11 cm (2,8 pulgadas).
La figura 6 es un gráfico de una transmisión de
un haz de iones como un porcentaje del haz el cual deja el
electroimán de análisis de masa 22. Este rendimiento se traza
gráficamente como una función de la energía del haz en keV. Se
describen dos conjuntos diferentes de datos. Los puntos de datos
para un implantador de iones de la técnica anterior que utiliza un
electrodo de supresión o anillo R polarizado a un potencial negativo
se trazan con "x" en el gráfico. Los puntos de datos en el
gráfico designados con "o" son para un implantador de iones
provisto de un repeledor magnético tal como el repeledor 140
representado en las figuras 7-9. El rendimiento de
la transmisión se ve que ha mejorado desde aproximadamente el 60%
para el implantador de la técnica anterior hasta un rendimiento
superior al 80% para el implantador que utiliza un repeledor
magnético 140.
Claims (14)
1. Procedimiento para dirigir un haz de iones
(14) desde una fuente de iones (12) hasta una estación de
tratamiento (16) para un tratamiento con haz de iones de una pieza
de trabajo controlando el movimiento de los electrones de
neutralización en el interior del haz de iones, dicho procedimiento
comprendiendo los pasos de:
a) dirigir un haz de iones a lo largo de una
trayectoria de desplazamiento del haz (14) desde una fuente (12)
hasta una estación de implantación (16) en la que piezas de trabajo
objetivo están colocadas para el tratamiento con el haz de
iones;
b) inyectar electrones de neutralización dentro
del haz de iones en una ubicación de neutralización (44) antes de
que el haz de iones entre en contacto con las piezas de trabajo;
y
c) crear un campo magnético para impedir el
desplazamiento aguas arriba de los electrones de neutralización
alejándose de la localización de neutralización (44) mediante la
colocación de un electrodo de supresión magnética (110, 140) en un
punto cerca del haz de iones antes de que los iones alcancen la
ubicación de neutralización.
2. El procedimiento de la reivindicación 1 en el
que el paso de crear el campo magnético se lleva a cabo montando
imanes permanentes primero y segundo (M1, M2) en posiciones
separadas en lados opuestos de la trayectoria de desplazamiento del
haz de iones.
3. El procedimiento de la reivindicación 1 en el
que el paso de crear el campo magnético se lleva a cabo
estableciendo un campo bipolar que forma intersección con la
trayectoria de desplazamiento del haz de iones.
4. Implantador de iones (10) para el tratamiento
de piezas de trabajo mediante bombardeo de iones de la pieza de
trabajo en una ubicación de implantación de iones (16)
comprendiendo:
a) una fuente de iones (12) para emitir
iones;
b) una estructura que define el haz de iones (22,
40, 52) para crear un haz de iones (14) a partir de iones emitidos
desde la fuente de iones y que incluye una estructura que limita una
zona interior a presión sub-atmosférica del
implantador de iones atravesada por el haz de iones;
c) una estación de implantación (16) para colocar
una o más piezas de trabajo en una posición para el tratamiento por
haz mediante el haz de iones (14);
d) un neutralizador del haz de iones (44) para
inyectar electrones de neutralización dentro de una zona de
neutralización del haz de iones aguas arriba de la estación de
implantación,
caracterizado por
e) medios magnéticos (110, 140) colocados aguas
arriba del neutralizador del haz de iones (44) para impedir el
movimiento de los electrones de neutralización alejándose de la zona
de neutralización del haz de iones estableciendo un campo magnético
que forma intersección con el haz de iones (14) en una zona aguas
arriba del neutralizador del haz de iones (44).
5. El implantador de iones de la reivindicación 4
en el que los medios magnéticos comprenden imanes primero y segundo
(M1, M2) separados en lados opuestos del haz de iones (14) para
crear un campo magnético en una zona entre los imanes primero y
segundo (M1, M2) para influir en el movimiento de los electrones
alejados del neutralizador del haz de iones (44).
6. El implantador de iones de la reivindicación 5
en el que los imanes primero y segundo (M1, M2) son imanes
permanentes provistos de caras de los polos encaradas hacia dentro
para establecer un campo bipolar entre dichas caras de los
polos.
7. El implantador de iones de la reivindicación 5
adicionalmente comprendiendo elementos primero y segundo para
ajustar los campos ferromagnéticos (142, 144) sostenidos en la
proximidad de los imanes primero y segundo (M1, M2) para ajustar la
concentración del campo magnético en una zona entre los imanes
primero y segundo.
8. El implantador de iones de la reivindicación 6
en el que los imanes primero y segundo son imanes en barra
alargada.
9. El implantador de iones de la reivindicación 8
adicionalmente comprendiendo material ferromagnético (142, 144)
colocado cerca de los imanes en barra alargada para causar que las
líneas del campo magnético se concentren a lo largo de una zona
ocupada por el haz de iones.
10. El implantador de iones de la reivindicación
9 en el que el material ferromagnético comprende barras
ferromagnéticas (142, 144) colocadas en ambos lados de cada uno de
los imanes de barra.
11. El implantador de iones de la reivindicación
4 en el que los medios magnéticos (110, 140) comprenden:
a) imanes permanentes alargados primero y segundo
(M1, M2) orientados con respecto a una trayectoria de desplazamiento
del haz de iones (14) para permitir que los iones en un haz de iones
pasen entre dichos imanes permanentes alargados primero y segundo y
para crear un campo magnético que repele electrones en una región
del campo magnético entre dichos imanes permanentes alargados;
b) medios de pantalla de gafito (180, 182) para
el apantallado de los imanes del contacto directo con iones en el
haz de iones definiendo una ventana de entrada a través de la cual
pasa el haz de iones para entrar en la zona del campo magnético
entre los imanes permanentes alargados; y
c) una estructura de soporte (150, 170) para
sostener los imanes permanentes alargados primero y segundo (M1, M2)
y los medios de pantalla de grafito (180) en relación con el haz de
iones para impedir el flujo de electrones a lo largo del haz de
iones.
12. El implantador de iones de la reivindicación
11 en el que los medios de pantalla de grafito comprenden pantallas
de grafito primera y segunda (180, 182) unidas a la estructura de
soporte que separa los imanes permanentes alargados primero y
segundo (M1, M2) de la trayectoria del haz de iones (14).
13. El implantador de iones de la reivindicación
12 adicionalmente comprendiendo material ferromagnético (142, 144)
colocado cerca de los imanes permanentes para causar que las líneas
del campo magnético se concentren a lo largo de una zona ocupada por
el haz de iones.
14. El implantador de iones de la reivindicación
13 en el que el material ferromagnético (142, 144) colocado cerca de
los imanes comprende barras ferromagnéticas colocadas a ambos lados
de cada uno de los imanes de barra.
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