ES2333782T3 - Metodos y aparato para impurificacion a partir de plasma e implantacion ionica en un sistema de tratamiento integrado. - Google Patents
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Abstract
Un aparato para tratar una oblea de semiconductor, que comprende: una cámara (74) de tratamiento; un módulo (110) de impurificación a partir de plasma que incluye una cámara (120) de impurificación a partir de plasma que es accesible desde la cámara (74) de tratamiento; un posicionador de oblea para situar en posición una oblea de semiconductor en dicha cámara de impurificación a partir de plasma en un modo de impurificación a partir de plasma, cuyo aparato comprende, además, un módulo (140) de implantación iónica en línea de haz para generar un haz de iones y dirigir el haz de iones a la cámara de tratamiento, y el posicionador de oblea está dispuesto, además, para situar en posición la oblea de semiconductor en la trayectoria del haz de iones en un modo de implantación en línea de haz, cuyo posicionador de oblea comprende una platina (76) para retener la oblea y un posicionador (78) de platina para situar en posición la platina (76), y en el que el módulo (110) de impurificación a partir de plasma comprende, además, un ánodo (170) posicionado dentro de la cámara de impurificación a partir de plasma y una fuente (132) de impulsos acoplada entre el ánodo (170) y la platina (76).
Description
Métodos y aparatos para impurificación a partir
de plasma e implantación iónica en un sistema de tratamiento
integrado.
Este invento se refiere al tratamiento de obleas
de semiconductores y, más particularmente, a métodos y a sistemas de
tratamiento integrados para impurificar una pieza de trabajo con
materiales de impureza en un intervalo de energías, incluyendo
energías muy bajas.
La implantación iónica se ha convertido en una
técnica estándar para introducir impurezas que alteren la
conductividad en obleas de semiconductores. Un material de impureza
deseado es ionizado en una fuente de iones, los iones son acelerados
para formar un haz de iones de energía predeterminada y el haz de
iones es dirigido a la superficie de la oblea. Los iones energéticos
del haz penetran en la masa del material semiconductor y se empotran
en la retícula cristalina del material semiconductor para formar una
región de conductividad deseada.
Los sistemas de implantación iónica incluyen,
usualmente, una fuente de iones para convertir un material sólido o
un gas en un haz de iones perfectamente definido. Se analiza la masa
del haz de iones para eliminar especies no deseadas, se acelera el
haz de iones hasta que alcance la energía deseada y se le dirige
sobre un plano de blanco. El haz puede distribuirse por el área del
blanco mediante barrido del haz, moviendo el blanco o merced a una
combinación de barrido del haz y desplazamiento del blanco. Ejemplos
de dispositivos de implantación iónica de la técnica anterior se
describen en la patente norteamericana núm. 4.276.477 expedida el 30
de Junio de 1981 a Enge; en la patente norteamericana núm. 4.283.631
expedida el 11 de Agosto de 1981 a Turner; en la patente
norteamericana núm. 4.899.059 expedida el 6 de Febrero de 1990 a
Freytsis y otros; en la patente norteamericana núm. 4.922.106
expedida el 1 de Mayo de 1990 a Berrian y otros; y en la patente
norteamericana núm. 5.350.926 expedida el 27 de Septiembre de 1994 a
White y otros.
Una tendencia bien conocida en la industria de
los semiconductores es la búsqueda de dispositivos más pequeños y
más rápidos. En particular, tanto las dimensiones laterales como las
profundidades características de los dispositivos semiconductores se
están reduciendo. Los dispositivos semiconductores del estado de la
técnica exigen profundidades de unión inferiores a 1.000 Angstroms
y, eventualmente, pueden requerir profundidades de unión del orden
de 200 Angstroms o menores.
La profundidad de implantación del material de
impurificación viene determinada, al menos en parte, por la energía
de los iones implantados en la oblea de semiconductor. Con energías
de implantación bajas se obtienen uniones más someras. Sin embargo,
los dispositivos de implantación iónica se diseñan, típicamente,
para un funcionamiento eficaz con energías de implantación
relativamente elevadas, por ejemplo en el intervalo de 20 keV a 400
keV y puede que no funcionen eficazmente con las energías requeridas
para una implantación en uniones someras. Con energías de
implantación bajas, tales como energías de 2 keV y menores, la
corriente entregada a la oblea es mucho menor que la deseada y, en
algunos casos, puede ser de, casi, cero. A consecuencia de ello, se
necesitan tiempos de implantación extremadamente largos para
conseguir una dosis especificada y el rendimiento se ve afectado
adversamente. Tal reducción del rendimiento incrementa los costes de
fabricación y no es aceptable para los fabricantes de dispositivos
semiconductores.
Se han estudiado sistemas de impurificación a
partir de plasma para formar uniones someras en obleas de
semiconductor. En un tipo de sistema de impurificación a partir de
plasma, se pone una oblea de semiconductor en una platina
conductora, que funciona como cátodo, situada en una cámara de
impurificación a partir de plasma. Se introduce en la cámara un gas
ionizable que contiene el material de impurificación deseado y se
aplica un impulso de voltaje entre la platina y un ánodo, provocando
la formación de un plasma de descarga en efluvios que tiene una
envoltura de plasma en la proximidad de la oblea. El impulso de
voltaje aplicado hace que iones del plasma atraviesen la envoltura
del plasma y sean implantados en la oblea. La profundidad de
implantación está relacionada con el voltaje aplicado entre la oblea
y el ánodo. Pueden conseguirse energías de implantación muy bajas.
Sistemas de impurificación a partir de plasma se describen, por
ejemplo, en la patente norteamericana núm. 5.354.381 expedida el 11
de Octubre de 1994 a Sheng; en la patente norteamericana núm.
6.020.592 expedida el 1 de Febrero de 2000 a Liebert y otros; y en
la patente norteamericana núm. 6.182.604 expedida el 6 de Febrero de
2001 a Goeckner y otros. La patente norteamericana núm. 6.020.592
describe un aparato para tratar una oblea de semiconductor, que
comprende una cámara de impurificación a partir de plasma; una
platina para retener una oblea; en el que la cámara de
impurificación a partir de plasma comprende, además, un ánodo
posicionado dentro de la cámara de impurificación a partir de
plasma y una fuente de impulsos acoplada entre el ánodo y la
platina.
En otros tipos de sistemas de plasma, conocidos
como sistemas de inmersión en plasma, se aplica un voltaje de RF
continuo entre la platina y el ánodo, generándose así un plasma
continuo. A intervalos, se aplica un impulso de alto voltaje entre
la platina y el ánodo, haciendo que iones positivos del plasma sean
acelerados hacia la oblea.
\newpage
La fabricación de los dispositivos
semiconductores de acuerdo con el estado de la técnica puede exigir
varios pasos de implantación a energías que van desde muy bajas a
relativamente altas. Los pasos de tratamiento con baja energía
pueden requerir tiempos de implantación prolongados en un
dispositivo de implantación iónica en línea de haz o hay que
incurrir en el gasto de un sistema de impurificación a partir de
plasma además del dispositivo de implantación iónica en línea de
haz. En consecuencia, existe la necesidad de métodos y sistemas de
tratamiento mejorados para implantar materiales de impurificación en
piezas de trabajo en un intervalo de energías, incluyendo energías
muy bajas.
El documento WO99/06110 describe un útil de
agrupamiento que tiene una cámara de implantación iónica por
inmersión en plasma que incluye una platina para retener una oblea y
un robot para mover una oblea hacia y desde la cámara de
implantación iónica por inmersión en plasma.
De acuerdo con un primer aspecto del presente
invento, se proporciona un aparato para tratar una oblea de
semiconductor, que comprende: una cámara de tratamiento; un módulo
de impurificación a partir de plasma que incluye una cámara de
impurificación a partir de plasma que es accesible desde la cámara
de tratamiento; un posicionador de oblea para situar en posición una
oblea de semiconductor en dicha cámara de impurificación a partir de
plasma en un modo de impurificación a partir de plasma, cuyo aparato
comprende, además, un módulo de implantación iónica en línea de haz
para generar un haz de iones y dirigir el haz de iones a la cámara
de tratamiento, y el posicionador de la oblea está dispuesto,
además, para situar en posición la oblea de semiconductor en la
trayectoria del haz de iones en un modo de implantación en línea de
haz, en el que el posicionador de la oblea comprende una platina
para retener la oblea y un posicionador de platina para situar la
platina en posición, y en el que el módulo de impurificación a
partir de plasma comprende, además, un ánodo posicionado dentro de
la cámara de impurificación a partir de plasma y una fuente de
impulsos acoplada entre el ánodo y la platina.
La cámara de impurificación a partir de plasma
puede estar situada dentro de la cámara de tratamiento y puede ser
desplazada entre una posición de impurificación a partir de plasma y
una posición retraída. Una primera bomba de vacío puede estar
acoplada a través de una primera lumbrera de bombeo con la cámara de
tratamiento, y una segunda bomba de vacío puede estar acoplada a
través de una segunda lumbrera de bombeo con la cámara de
impurificación a partir de plasma. La cámara de impurificación a
partir de plasma puede estar aislada de la cámara de tratamiento en
el modo de impurificación a partir de plasma.
La platina puede ser desplazada entre una
posición de implantación iónica en línea de haz, una posición de
impurificación a partir de plasma y una posición de transferencia de
la oblea. La cámara de impurificación a partir de plasma puede
incluir una abertura en comunicación con la cámara de tratamiento,
pudiendo ser desplazada la platina a aplicación en relación de
obturación con la abertura de la cámara de impurificación a partir
de plasma. La platina puede comprender un dispositivo electrostático
de fijación de la oblea. El posicionador de la platina puede
comprender medios para barrer mecánicamente la platina con respecto
al haz de iones en el modo de implantación en línea de haz.
El aparato puede comprender, además, un
controlador para seleccionar el modo de implantación en línea de haz
o el modo de impurificación a partir de plasma y para controlar al
posicionador de la oblea de acuerdo con el modo seleccionado. El
aparato puede comprender, asimismo, un manipulador de obleas para
cargar una oblea en la platina para su tratamiento y para retirar la
oblea de la platina después del tratamiento.
El módulo de impurificación a partir de plasma
incluye un ánodo posicionado dentro de la cámara de impurificación a
partir de plasma y una fuente de impulsos acoplada entre el ánodo y
la platina. En una realización, la platina está conectada a un
potencial de referencia y se aplican impulsos al ánodo mediante la
fuente de impulsos. En otra realización, el ánodo está conectado a
un potencial de referencia y se aplican impulsos a la platina
mediante la fuente de impulsos.
El módulo de impurificación de plasma puede
incluir, además, un electrodo hueco que rodea un espacio entre el
ánodo y la platina. En una realización, una fuente de impulsos para
el electrodo hueco está acoplada al electrodo hueco. En otra
realización, el electrodo hueco está acoplado eléctricamente al
ánodo.
El aparato puede comprender, además, un
posicionador de ánodo para controlar la separación entre el ánodo y
la platina. Puede estar previsto un posicionador de cámara para
mover la cámara de impurificación a partir de plasma entre una
posición de impurificación a partir de plasma y una posición
retraída.
En una realización, hay una bomba de vacío
acoplada a la cámara de tratamiento. El módulo de impurificación a
partir de plasma incluye una abertura de conductancia controlada
entre el volumen interior de la cámara de impurificación a partir de
plasma y la cámara de tratamiento, y una fuente de gas de
tratamiento acoplada a la cámara de impurificación a partir de
plasma. El volumen interior de la cámara de impurificación a partir
de plasma es bombeado por la bomba de vacío a través de la abertura
de conductancia controlada en el modo de impurificación a partir de
plasma. En otra realización, una fuente de gas de tratamiento y una
bomba de vacío están acopladas a la cámara de impurificación a
partir de plasma. El volumen interior de la cámara de impurificación
a partir de plasma es bombeado por la bomba de vacío en el modo de
impurificación a partir de plasma.
De acuerdo con un segundo aspecto del invento,
se proporciona un método para tratar una oblea de semiconductor, que
comprende los pasos de: situar una oblea de semiconductor en
posición en una cámara de tratamiento; proporcionar un módulo de
implantación iónica en línea de haz para generar un haz de iones y
dirigir el haz de iones a dicha cámara de tratamiento, y un
posicionador de oblea que comprende una platina para retener dicha
oblea y un posicionador de platina para situar en posición dicha
platina, tratar la oblea en dicha cámara de tratamiento mediante
implantación iónica en un modo de implantación en línea de haz, en
el que el posicionador de la oblea sitúa a la oblea en el trayecto
del haz de iones; y proporcionar un módulo de impurificación a
partir de plasma que incluye una cámara de impurificación a partir
de plasma que es accesible desde dicha cámara de tratamiento, un
ánodo posicionado dentro de la cámara de impurificación a partir de
plasma, y una fuente de impulsos acoplada entre dicho ánodo y la
citada platina; tratar la oblea en dicha cámara de impurificación a
partir de plasma mediante impurificación a partir de plasma en un
modo de impurificación a partir de plasma, en el que el posicionador
de la oblea sitúa la oblea en posición en la cámara de
impurificación a partir de plasma.
Para una mejor comprensión del presente invento,
se hace referencia a los dibujos adjuntos, que se incorporan a este
documento a modo de referencia, y en los que:
la fig. 1A es una vista esquemática desde arriba
de un dispositivo de implantación iónica en línea de haz, adecuado
para la puesta en práctica del presente invento;
la fig. 1B es una vista esquemática desde arriba
del dispositivo de implantación iónica en línea de haz de la fig.
1A, que muestra los componentes de la línea de haz;
la fig. 2 es una vista lateral en sección
transversal, esquemática, de un sistema de tratamiento de acuerdo
con una realización del invento, mostrado en el modo de implantación
iónica en línea de haz;
la fig. 3 es una vista lateral en sección
transversal, esquemática, del sistema de tratamiento de la fig. 2,
mostrado en el modo de impurificación a partir de plasma;
la fig. 4 es un diagrama de bloques esquemático
del sistema de tratamiento de las figs. 2 y 3;
la fig. 5 es un diagrama de bloques esquemático
de una primera realización del módulo de impurificación a partir de
plasma, representado con la platina encerrada herméticamente en la
cámara de impurificación a partir de plasma;
la fig. 6 es un diagrama de bloques esquemático
de la primera realización del módulo de impurificación a partir de
plasma, representado con la platina retirada de la cámara de
impurificación a partir de plasma; y
la fig. 7 es un diagrama de bloques esquemático
de una segunda realización del módulo de impurificación a partir de
plasma, representado con la platina encerrada herméticamente en la
cámara de impurificación a partir de
plasma.
plasma.
En las figs. 1A y 1B se ilustra un diagrama de
bloques de una realización de un dispositivo de implantación iónica
en línea de haz adecuado para la puesta en práctica del invento. Una
fuente de iones 10 genera iones y proporciona un haz 12 de iones.
Como es conocido en la técnica, la fuente de iones 10 puede incluir
una cámara iónica y una caja de gas que contenga un gas a ionizar.
El gas es suministrado a la cámara iónica, donde es ionizado. Los
iones así formados son extraídos de la cámara iónica para formar el
haz 12 de iones. El haz 12 de iones tiene una sección transversal
alargada y forma de cinta, teniendo la dimensión larga de la sección
transversal del haz, de preferencia, una orientación horizontal. Una
fuente de alimentación 14 está conectada a un electrodo de
extracción de la fuente 10 de iones y proporciona un voltaje que
puede ser regulable, por ejemplo desde unos 0,2 a unos 80 keV. Así,
los iones procedentes de la fuente 10 de iones son acelerados a
energías de entre unos 0,2 y unos 80 keV por el voltaje procedente
de la fuente de alimentación 14. La construcción y el funcionamiento
de las fuentes de iones son bien conocidos para los expertos en la
técnica.
El haz 12 de iones atraviesa un electrodo de
supresión 20 y un electrodo de tierra 22 hasta un analizador 30 de
masa. El analizador 30 de masa incluye un imán de resolución 32 y un
electrodo de enmascaramiento 34 con una abertura de resolución 36.
El imán analizador 32 desvía los iones del haz de iones 12 de tal
forma que los iones de una especie iónica deseada pasen por la
abertura de resolución 36 y los de especies iónicas no deseadas no
pasen por la abertura de resolución 36 sino que sean bloqueados por
el electrodo de enmascaramiento 34. En una realización preferida, el
imán de resolución 32 desvía los iones de una especie deseada en
90º.
Los iones de la especie deseada pasan a través
de la abertura de resolución 36 a una primera etapa 50 de
deceleración posicionada aguas abajo del analizador de masa 30. La
etapa de deceleración 50 puede incluir un electrodo 52 de aguas
arriba, un electrodo 54 de supresión y un electrodo 56 de aguas
abajo. Los iones del haz de iones son decelerados por la etapa de
deceleración 50 y, luego, pasan por un imán 60 corrector de ángulo.
El imán 60 corrector de ángulo desvía los iones y convierte el haz
de iones de un haz de iones divergente en un haz 62 en forma de
cinta que tiene trayectorias de iones sustancialmente paralelas. En
una realización preferida, el imán 60 corrector de ángulo desvía los
iones de la especie deseada en 70º. El dispositivo de implantación
iónica puede incluir una segunda etapa de deceleración 80
posicionada aguas abajo del imán 60 corrector de ángulo.
Un puesto final 70, o puesto de tratamiento,
soporta una o más obleas de semiconductor, tales como la oblea 72,
en una cámara de tratamiento 74 de tal forma que los iones de la
especie deseada son implantados en la oblea de semiconductor. La
cámara de tratamiento 74 está encerrada en una vasija de vacío 75.
El puesto final 70 puede incluir una platina electrostática 76
refrigerada y un posicionador 78 de platina (fig. 4) para realizar
un barrido mecánico de la oblea 72 en perpendicular a la dimensión
larga del haz de iones 62 en forma de cinta, con el fin de
distribuir los iones sobre la superficie de la oblea 72.
El puesto final 70, como se muestra en la fig.
1A, puede incluir un dispositivo automático 82 manipulador de obleas
para introducir las obleas en el dispositivo de implantación de
iones y para retirar las obleas tras la implantación. El manipulador
82 de obleas representado en la fig. 1A incluye robots 90 y 92 para
las obleas, un orientador 94 de las obleas y esclusas de carga 100 y
102. Uno de los robots para las obleas retira una oblea de un
estuche u otro portador de obleas en una de las esclusas de carga y
transfiere la oblea a la platina 76. La oblea puede ser orientada en
el orientador 94 de las obleas. A continuación del tratamiento, la
oblea es retirada de la platina 76 y es devuelta, por uno de los
robots para las obleas, a su estuche u otro portador de obleas.
El puesto final 70 puede incluir, también, un
sistema medidor de dosis, un cañón de avalancha de plasma o un cañón
de avalancha de electrones y otros componentes conocidos. Se
comprenderá que toda la trayectoria recorrida por el haz de iones es
evacuada durante la implantación iónica.
De acuerdo con un aspecto del invento, un módulo
de impurificación a partir de plasma se combina con un módulo de
implantación iónica en línea de haz para formar un sistema de
tratamiento integrado. El sistema de tratamiento integrado puede ser
utilizado para tratar obleas mediante implantación iónica en línea
de haz, por impurificación a partir de plasma, o por ambos métodos,
dependiendo de la nota de implantación requerida para las obleas.
Las obleas en una cámara de tratamiento única, pueden tener acceso a
un módulo de implantación iónica en línea de haz y a un módulo de
impurificación a partir de plasma. El sistema de tratamiento
integrado puede incluir cualquier módulo de implantación iónica en
línea de haz y cualquier módulo de impurificación a partir de
plasma. Los expertos en la técnica conocen una diversidad de
diferentes arquitecturas de dispositivos de implantación iónica en
línea de haz. En lo que sigue, se describen varias arquitecturas de
impurificación a partir de plasma.
El módulo de implantación iónica en línea de haz
puede incluir la totalidad o parte de un dispositivo de implantación
iónica en línea de haz. En una realización, que se describe en lo
que sigue, un módulo de impurificación a partir de plasma está
incorporado en el puesto final de un dispositivo de implantación
iónica en línea de haz. En otra realización, el puesto final de un
dispositivo de implantación iónica en línea de haz es reemplazado
por una cámara de tratamiento. La cámara de tratamiento está
conectada a un módulo de implantación iónica en línea de haz y
contiene un módulo de impurificación a partir de plasma o está
conectada a él.
En una realización mostrada en las figs.
2-4, un módulo 110 de impurificación a partir de
plasma está incorporado en la cámara de tratamiento 74, con uno o
más componentes del módulo 110 de impurificación a partir de plasma
situados dentro de la vasija de vacío 75 y uno o más componentes del
módulo 110 de impurificación a partir de plasma situados fuera de la
vasija de vacío 75, como se muestra en la fig. 4. El módulo 110 de
impurificación a partir de plasma incluye una cámara 120 de
impurificación a partir de plasma, una fuente 124 de gas de
tratamiento, una bomba de vacío 126, un posicionador 128 de cámara,
un posicionador 130 de ánodo conectado a un ánodo situado en la
cámara 120 de impurificación a partir de plasma y una fuente de
impulsos 132 conectada entre la platina 76 y el ánodo de la cámara
120 de impurificación a partir de plasma. La fuente 124 de gas de
tratamiento y la bomba de vacío 126 están conectadas mediante
conductos de gas a la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma, y un posicionador 128 de cámara está conectado mecánicamente
a la cámara 120 de impurificación a partir de plasma. Realizaciones
adicionales del módulo 110 de impurificación a partir de plasma se
describen en lo que sigue.
Un módulo 140 de implantación iónica en línea de
haz suministra el haz de iones 62 en forma de cinta a la cámara de
tratamiento 74. Haciendo referencia a las figs. 1A y 1B, los
componentes del módulo 140 de implantación iónica en línea de haz
pueden incluir la fuente de iones 10, el analizador de masa 30, la
etapa de deceleración 50, el imán 60 corrector de ángulo y una
segunda etapa de deceleración 80. El módulo 140 de implantación
iónica en línea de haz puede emplear cualquier arquitectura de
módulo de implantación iónica en línea de haz.
Componentes adicionales del sistema de
tratamiento integrado incluyen la vasija de vacío 75, la platina 76,
el posicionador 78 de platina y el manipulador 82 de obleas. En una
realización preferida, la platina 76 puede ser un dispositivo de
fijación de oblea electrostático como se describe, por ejemplo, en
la patente norteamericana núm. 5.452.177 expedida el 19 de
Septiembre de 1995 a Frutiger. Una bomba de vacío 142 controla la
presión en el interior de la cámara de tratamiento 74. En la
realización de las figs. 2 y 3, la bomba de vacío 142 comprende una
bomba criogénica. Pueden utilizarse bombas de vacío adicionales
tales como una bomba turbomolecular 144, para conseguir una
capacidad de bombeo de vacío incrementada. Una copa de Faraday 148
puede estar posicionada en alineación con el haz de iones 62 en
forma de cinta con fines de medición de uniformidad y de dosis. Un
controlador 150 del sistema controla los elementos del sistema de
tratamiento integrado. El controlador del sistema puede comprender
un ordenador programado para fines generales que incluya, por
ejemplo, microprocesador, memoria, interconexiones con los
componentes del sistema de tratamiento integrado y dispositivos
periféricos tales como un teclado y un terminal de presentación
visual.
La platina 76 que retiene a la oblea 72 puede
posicionarse para interceptar el haz de iones 62 en forma de cinta
en un modo de implantación iónica en línea de haz, como se muestra
en la fig. 2, o puede posicionarse en la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma en un modo de impurificación a
partir de plasma, como se muestra en la fig. 3. El sistema
constituye, así, un sistema de tratamiento integrado capaz de
realizar la implantación iónica en línea de haz y la impurificación
a partir de plasma. El controlador 150 del sistema controla el modo
de funcionamiento en respuesta a entradas que definen los parámetros
de cada implantación.
Haciendo referencia a las figs. 2 y 3, la cámara
120 de impurificación a partir de plasma define un volumen cerrado
160 en el modo de impurificación a partir de plasma. En el modo de
impurificación a partir de plasma representado en la fig. 3, la
platina 76 está posicionada en una abertura 158 en la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma y un halo 162 de platina encierra
la platina 76 en la cámara 120 de impurificación a partir de plasma.
La platina 76 sitúa así a la oblea 72 en posición en la cámara 120
de impurificación a partir de plasma. La platina 76 soporta la oblea
72 y proporciona una conexión eléctrica con la oblea 72. Un ánodo
170 está posicionado dentro de la cámara 120 de impurificación a
partir de plasma en relación de separado con respecto a la platina
76, que funciona como cátodo. El ánodo 170 puede ser desplazado
mediante el posicionador 130 de ánodo (fig. 4) en dirección
perpendicular a la superficie de la platina 76. La región situada
entre la platina 76 y el ánodo 170 puede estar rodeada por un
electrodo hueco 172 como se describe en la patente norteamericana
núm. 6.182.604, expedida el 6 de Febrero de 2001 a Goeckner y otros,
que se incorpora a esta memoria como referencia. Un anillo 174 de
blinfaje que contiene un perceptor de haz de Faraday puede rodear a
la platina 76, como se describe en la patente norteamericana núm.
6.020.592 expedida el 1 de Febrero de 2000 a Liebert y otros, que se
incorpora a esta memoria como referencia. El volumen cerrado 160 de
la cámara 120 de impurificación a partir de plasma puede conectarse
mediante una conducción de gas coaxial 180 con la fuente 124 de gas
de tratamiento (fig. 4). Además, el volumen cerrado 160 puede
conectarse a través de una lumbrera 182 de bombeo estrangulada con
la bomba de vacío 126 (fig. 4). De preferencia, la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma es movible mediante el
posicionador 128 de cámara (fig. 4) entre una posición de
impurificación a partir de plasma, representada en la fig. 3, y una
posición retraída ilustrada en la fig. 2. La cámara 120 de
impurificación a partir de plasma se mueve hacia arriba desde la
posición de impurificación a partir de plasma a la posición
retraída.
El posicionador 78 de la platina (fig. 4) sitúa
la platina 76 en posición de acuerdo con el modo de funcionamiento
del sistema de tratamiento. En el modo de implantación en línea de
haz, mostrado en la fig. 2, la platina 76 y la oblea 72 se orientan
verticalmente en la trayectoria del haz 62 de iones en forma de
cinta y la platina 76 es barrida mecánicamente hacia arriba y hacia
abajo mediante el posicionador 78 de platina para distribuir el haz
62 de iones en forma de cinta sobre la superficie de la oblea 72. El
posicionador 78 de platina puede incluir un dispositivo inclinador
190 para inclinar la oblea 72 en un ángulo deseado con respecto al
haz 62 de iones en forma de cinta. Preferiblemente, la platina 76 es
movida bajo el haz 62 de iones en forma de cinta durante parte del
barrido mecánico para permitir que la copa de Faraday 148 vigile la
corriente del haz de iones.
En el modo de impurificación a partir de plasma,
la platina 76 y la oblea 72 pueden orientarse horizontalmente. La
platina 76 y la oblea 72 son movidas hacia arriba, a la abertura 158
de la cámara 120 de tratamiento con plasma, y el halo 162 de platina
es aplicado en relación de obturación a la cámara 120 de tratamiento
con plasma. Así, la platina 76 y la oblea 72 son encerradas
herméticamente en la cámara 120 de impurificación a partir de plasma
como se muestra en la fig. 3. Durante la impurificación a partir de
plasma, la platina 76 y la oblea 72 puede permanecer
estacionarias.
En un modo de intercambio de oblea, la platina
76 y la oblea 72 se orientan horizontalmente y son hechas bajar por
debajo de la trayectoria del haz 62 de iones en forma de cinta. La
oblea 72 es retirada de la platina 72 por uno de los robots 90, 92
(fig. 1A) de manipulación de la oblea y se coloca una nueva oblea en
la platina 76 para su tratamiento. Las técnicas de manipulación de
obleas son bien conocidas por los expertos en la técnica y no se
describen con mayor detalle en este documento.
En funcionamiento, el controlador 150 del
sistema puede recibir una nota de implantación que especifique los
parámetros para impurificar una tanda de obleas. La nota de
implantación puede especificar, por ejemplo, una especie de
impurificación, una energía y una dosis a aplicar a las obleas. El
controlador 150 del sistema puede seleccionar un modo de
funcionamiento basándose en la nota de implantación. Por ejemplo,
energías de implantación mayores de 2 keV pueden utilizar el modo de
implantación en línea de haz y energías de menos de 2 keV pueden
utilizar el modo de impurificación a partir de plasma.
Cuando el controlador 150 del sistema elige el
modo de implantación en línea de haz, se carga una oblea de la tanda
sobre la platina 76 mediante el manipulador 82 de obleas y se hace
girar la platina 76 a la posición vertical, como se muestra en la
fig. 2. El módulo 140 de implantación iónica en línea de haz es
regulado para proporcionar los parámetros de implantación deseados y
para generar el haz 62 de iones en forma de cinta. El posicionador
78 de la platina barre mecánicamente la platina 76 y la oblea 72
verticalmente con el haz 62 de iones en forma de cinta, típicamente
múltiples veces, hasta que se consiguen una dosis y una uniformidad
de la dosis deseadas. La dosis y la uniformidad de la dosis pueden
vigilarse mediante la copa de Faraday 148. Durante el modo de
implantación en línea de haz, la cámara 120 de impurificación a
partir de plasma permanece en la posición retraída representada en
la fig. 2 con el fin de dejar sitio para que se realice el barrido
mecánico y los componentes del módulo 122 de impurificación a partir
de plasma están inactivos. Una vez terminado el tratamiento, puede
retirarse la oblea 72 de la cámara 74 de tratamiento mediante el
manipulador 82 de obleas.
Cuando el controlador 150 del sistema selecciona
el modo de impurificación a partir de plasma, se inactiva el módulo
140 de implantación iónica en línea de haz y se hace bajar la cámara
120 de impurificación a partir de plasma mediante el posicionador
128 de cámara hasta la posición de impurificación a partir de plasma
representada en la fig. 3. Una vez cargada una oblea sobre al
platina 76 mediante el manipulador 82 de obleas, la platina 76 y la
oblea 72 se hacen subir a la abertura 150 de la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma y se encierran herméticamente en
la cámara 120 de impurificación a partir de plasma. Se activan la
fuente 124 de gas de tratamiento y la bomba 126 de vacío para
proporcionar un gas de tratamiento a la presión deseada en la
cámara 120 de impurificación a partir de plasma. Se activa la fuente
132 de impulsos dando lugar a la formación de un plasma entre la
platina 76 y el ánodo 170 y a la aceleración de iones hacia la oblea
72. Para energías de implantación muy bajas, puede utilizarse el
electrodo hueco 172, como se describe en lo que sigue. La dosis
aplicada puede ser vigilada mediante el perceptor de haz de Faraday
del anillo de blindaje 174. Cuando se alcanza la dosis deseada, se
desactivan la fuente 132 de impulsos y la fuente 124 de gas de
tratamiento, y la bomba de vacío 126 bombea la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma hasta un nivel de vacío deseado.
Se hacen bajar entonces la platina 76 y la oblea 72 desde la cámara
120 de impurificación a partir de plasma y puede retirarse la oblea
72 mediante el manipulador 82 de obleas. La bomba de vacío 142 puede
bombear el gas residual que escape a la cámara de tratamiento 74
cuando se hace bajar la platina 76 desde la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma. Si se desea, la oblea 72 puede
ser tratada mediante impurificación a partir de plasma e
implantación iónica en línea de haz sin retirar la oblea 72 de la
cámara de tratamiento 74.
Se comprenderá que la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma define un entorno de tratamiento
en el volumen hermético 160 que puede ser muy diferente del entorno
de tratamiento definido en el interior de la cámara de tratamiento
74. En particular, la cámara de tratamiento 74 es mantenida
preferiblemente a un vacío elevado, por ejemplo 20 microTorr durante
la implantación iónica en línea de haz. La presión en la cámara 120
de impurificación a partir de plasma durante el funcionamiento en el
modo de impurificación a partir de plasma puede estar comprendida en
el intervalo de entre 1 miliTorr y 500 miliTorr, aproximadamente.
Puede utilizarse, por ejemplo, un gas de tratamiento tal como
BF_{3}, N_{2}, Ar, PH_{3}, AsH_{3} o B_{2}H_{6}.
En la realización de las figs. 2 y 3, la cámara
120 de impurificación a partir de plasma está situada dentro de la
cámara de tratamiento 74 y puede ser desplazada entre una posición
de impurificación a partir de plasma y una posición retraída. En
otras realizaciones, la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma puede fijarse en posición si el posicionador 78 de platina
proporciona un margen de desplazamiento de la platina suficiente
para permitir el barrido mecánico y el acceso a la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma. Además, la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma puede situarse total o
parcialmente fuera de la cámara de tratamiento 74, de tal modo que
se pueda acceder a la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma desde la cámara de tratamiento 74. Por ejemplo, puede
accederse a la cámara 120 de tratamiento con plasma desde la cámara
de tratamiento 74 a través de una válvula de compuerta.
En las figs. 5 y 6 se muestran diagramas
esquemáticos de bloques de una primera realización del módulo 110 de
impurificación a partir de plasma. Un diagrama esquemático de
bloques de una segunda realización del módulo 110 de impurificación
a partir de plasma se representa en la fig. 7. Elementos similares
de las figs. 1-7 tienen los mismos números de
referencia. En las figs. 5-7, se muestran la vasija
de vacío 75 y la bomba de vacío 142 porque estos elementos están
implicados en el funcionamiento del módulo de impurificación a
partir de plasma. Los otros componentes del sistema de tratamiento
integrado se omiten en las figs. 5-7.
En la fig. 5, la platina 76 está herméticamente
encerrada en la cámara 120 de impurificación a partir de plasma en
el modo de impurificación a partir de plasma. En la configuración de
la fig. 5, la cámara 120 de impurificación a partir de plasma está
aislada de la cámara de tratamiento 74 y pueden mantenerse distintos
ambientes en la cámara 120 de impurificación a partir de plasma y en
la cámara de tratamiento 74. En la fig. 6, la platina 76 es hecha
bajar desde la abertura 158 de la cámara 120 de impurificación a
partir de plasma. Así, la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma y la cámara de tratamiento 74 tienen un entorno común. Esta
configuración es aplicable al modo de implantación iónica en línea
de haz y al modo de intercambio de obleas.
Como se muestra en las figs. 5 y 6, la cámara
120 de impurificación a partir de plasma está situada dentro de la
vasija de vacío 75. La cámara 120 de impurificación a partir de
plasma está conectada a la bomba de vacío 126, y la vasija de vacío
75 está conectada a la bomba de vacío 142. La bomba de vacío 142
bombea tanto la cámara de tratamiento 74 como la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma cuando se hace bajar la platina 76
desde la abertura 158 en la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma, como se muestra en la fig. 6. Así, en la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma reina una presión relativamente
baja en el momento en que la platina 76 es encerrada herméticamente
en la cámara 120 de impurificación a partir de plasma. Una vez que
la cámara 120 de impurificación a partir de plasma está
herméticamente cerrada, se bombea la cámara 120 de impurificación a
partir de plasma mediante la bomba de vacío 126. Esta disposición
permite que la bomba de vacío 126 tenga una capacidad de bombeo
relativamente pequeña, mientras que la bomba de vacío 142 tiene una
capacidad de bombeo mayor, suficiente para bombear la vasija de
vacío 75. Así, en la realización de las figs. 5 y 6, la bomba de
vacío 142 puede ser considerada como una bomba de vacío principal y
la bomba de vacío 126 puede ser considerada como la bomba de vacío
secundaria.
La bomba de vacío 142 evacua la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma hasta un nivel de presión deseado
con la platina 76 en la posición bajada mostrada en la fig. 6. Se
encierra entonces la platina 76 herméticamente en la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma, como se muestra en la fig. 5. La
fuente 124 de gas de tratamiento introduce un gas de tratamiento en
la cámara 120 de impurificación a partir de plasma y la bomba de
vacío 126 proporciona un bombeo suficiente para mantener una presión
deseada del gas de tratamiento en el interior de la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma. Dado que no se necesita que la
bomba de vacío 126 bombee la cámara 120 de impurificación a partir
de plasma desde la presión atmosférica hasta la presión de
tratamiento, puede estrangularse la lumbrera que conecta la cámara
120 de impurificación a partir de plasma con la bomba de vacío 126,
y la bomba de vacío 126 puede tener una capacidad de bombeo
relativamente pequeña. Una vez terminado el tratamiento, se
desconecta la fuente 124 de gas de tratamiento y la bomba de vacío
126 bombea el gas de tratamiento restante de la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma. Luego, se hace bajar la platina
76 y la bomba de vacío 142 proporciona más bombeo de vacío de la
cámara 120 de impurificación a partir de plasma.
Como se muestra además en las figs. 5 y 6, la
platina 76 y las paredes de la cámara 120 de impurificación a partir
de plasma pueden estar conectadas a un potencial de referencia, tal
como tierra, y la fuente de impulsos 132 puede proporcionar una
serie de impulsos al ánodo 170. El ánodo 170 está eléctricamente
aislado de la cámara 120 de de impurificación a partir de plasma por
un aislador 176 y está eléctricamente aislado de la vasija de vacío
75 por un aislador 178. El electrodo hueco 172 está conectado por un
conmutador 184 a la fuente de impulsos 132 o a una fuente 190 de
impulsos para el electrodo hueco, como se describe más adelante.
En el caso típico en que han de implantarse
iones positivos en la oblea 72, se aplican impulsos positivos al
ánodo 170. En el caso de que el voltaje correspondiente a la energía
de implantación requerida sea suficiente para iniciar una descarga
de plasma entre el ánodo 170 y la oblea 72, puede utilizarse la
fuente 132 de impulsos para iniciar una descarga de plasma y
acelerar los iones desde el plasma a la oblea 72. Los impulsos
positivos aceleran a los iones positivos a través de la envoltura de
plasma y a la oblea 72. En el caso en que hayan de implantarse iones
negativos en la oblea 72, la fuente 132 de impulsos aplica un
impulso negativo al ánodo 170. Cuando se utiliza la fuente 132 de
impulsos para iniciar una descarga de plasma entre el ánodo 170 y la
oblea 72, el electrodo hueco 172 es conectado a la fuente 132 de
impulsos poniendo el conmutador 184 en la posición 1 representada en
las figs. 5 y 6. En esta configuración, el plasma es rodeado,
sustancialmente, excepto en la oblea 72, por el ánodo 170 polarizado
positivamente y el electrodo hueco 172, y los iones cargados
positivamente del plasma son acelerados hacia la
oblea 72.
oblea 72.
En el caso en que se requiera una energía de
implantación muy baja y la correspondiente amplitud de los impulsos
aplicados por la fuente 132 de impulsos no sea suficiente para
iniciar una descarga de plasma entre el ánodo 170 y la oblea 72, se
pone el conmutador 184 en la posición 2, y el electrodo hueco 172 es
conectado a la fuente 190 de impulsos para el electrodo hueco. En la
realización de las figs. 5 y 6, se aplica un impulso negativo al
electrodo hueco 172 cuando han de implantarse iones positivos en la
oblea 72. El impulso negativo aplicado al electrodo hueco 172, en
combinación con el impulso positivo aplicado al ánodo 170, es
suficiente para iniciar una descarga de plasma entre el ánodo 170 y
la oblea 72, y un impulso de amplitud relativamente pequeña,
aplicado al ánodo 170, consigue una energía de implantación muy
baja. Por ejemplo, cuando han de implantarse en la oblea 72 iones
positivos de carga única con energías de 500 eV, el conmutador 184
se pone en la posición 2, la fuente 132 de impulsos es programada
para generar impulsos positivos de 500 V y la fuente 190 de impulsos
para el electrodo hueco es programada para generar impulsos
negativos de 1000 V. Las fuentes de impulsos 132 y 190 se
sincronizan para generar impulsos que se solapan en el tiempo. El
resultado de esto es que se aplican impulsos de 1.500 V entre el
ánodo 170 y el electrodo hueco 172, lo que es suficiente para
iniciar una descarga de plasma. Los iones positivos de la descarga
de plasma son acelerados a 500 eV por los impulsos aplicados entre
el ánodo 170 y la oblea 72.
El módulo de impurificación a partir de plasma
representado en las figs. 5 y 6, en el que la oblea 72 y el plasma
76 están puestos a tierra, tiene varias ventajas. Como la oblea está
puesta a tierra, se simplifican la medición de la polarización y la
dosis. La oblea 76 está rodeada, sustancialmente, por el ánodo 170 y
el electrodo hueco 172 y la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma está conectada a través de una lumbrera de bombeo
estrangulada con la bomba de vacío 126. Como resultado, la
contaminación de la oblea 76 provocada por la pulverización catódica
de las paredes de la cámara y los componentes de bombeo de vacío, es
limitada. Además, el área de recogida de iones es limitada,
reduciéndose por tanto la carga impuesta sobre las fuentes de
impulsos 132 y 190. Para reducir más la contaminación provocada por
la pulverización catódica, el electrodo hueco 172 y otros elementos
expuestos pueden recubrirse con un material no contaminante, tal
como silicio en el caso de una oblea de silicio. La lumbrera de
bombeo estrangulada reduce la tendencia de los iones del plasma a
entrar en la lumbrera de bombeo y a depositarse sobre los
componentes de bombeo de vacío.
En la fig. 7 se representa un diagrama
esquemático de bloques de la segunda realización del módulo 110 de
impurificación a partir de plasma. La realización de la fig. 7
difiere de la realización de las figs. 5 y 6 con respecto a la
puesta a tierra y las conexiones eléctricas con la fuente 132 de
impulsos y la fuente 190 de impulsos para el electrodo hueco. En
particular, el ánodo 170 está conectado a un potencial de
referencia, tal como tierra, y el cátodo (platina 76) recibe
impulsos negativos para la implantación de iones positivos. El
electrodo hueco 170 es conectado mediante el conmutador 184 a la
platina 76 o a la fuente 190 de impulsos para el electrodo hueco,
dependiendo de la energía de implantación requerida. En la
realización de la fig. 7, el halo 162 de platina es de un material
eléctricamente aislante para permitir el aislamiento eléctrico entre
la platina 76 y la cámara 120 de impurificación a partir de
plasma.
La realización de la fig. 7 difiere, también, de
la realización de las figs. 5 y 6 con respecto a la disposición de
bombeo de vacío. En particular, la cámara 120 de impurificación a
partir de plasma está provista de una abertura 194 de conductancia
controlada y se elimina la bomba de vacío 126 (figs. 5 y 6). La
abertura 194 de conductancia controlada proporciona un flujo de gas
controlado entre el volumen interno de la cámara 120 de
impurificación a partir de plasma y la cámara de tratamiento 74.
Así, la cámara 120 de impurificación a partir de plasma es bombeada
para hacer el vacío en ella mediante un flujo de gas controlado a
través de la abertura 194 a la bomba de vacío 142 cuando la platina
76 está herméticamente encerrada en la cámara 120 de impurificación
a partir de plasma. La abertura 194 de conductancia controlada puede
incluir una o más aberturas con características de flujo de gas
conocidas. En una realización, las aberturas que forman la abertura
194 evitan una línea de visión directa entre el volumen interno de
la cámara 120 de impurificación a partir de plasma y la cámara de
tratamiento 74, para permitir el flujo de gas mientras se inhibe el
paso de plasma. Por ejemplo, la abertura 194 puede estar incorporada
en la práctica como un conducto de gas con un codo. En las otras
realizaciones, la abertura 194 puede ser fija, puede estar abierta o
cerrada o puede tener una conductancia de gas regulable. Se
comprenderá que la disposición de bombeo de vacío de la fig. 7 puede
utilizarse en la realización de las figs. 5 y 6. Además, la
disposición de bombeo de vacío de las figs. 5 y 6 puede utilizarse
en la realización de la fig. 7.
Los sistemas de impurificación a partir de
plasma representados en las figs. 5-7 y descritos en
lo que antecede, pueden utilizarse en el sistema de tratamiento
integrado ilustrado en las figs. 2-4 y descrito
anteriormente. Además, las realizaciones de las figs.
5-7 pueden utilizarse por separado o en cualquier
sistema de tratamiento que tenga una vasija de vacío exterior para
proporcionar bombeo de vacío de la cámara de impurificación a partir
de plasma, como se ha descrito en lo que antecede. La vasija de
vacío exterior puede incluir, o no, otro módulo de tratamiento.
Dentro del alcance del invento pueden utilizarse
otras arquitecturas de impurificación a partir de plasma. Por
ejemplo, el plasma puede ser pulsatorio o continuo. El plasma puede
generarse mediante un voltaje de corriente continua, un voltaje de
RF o un voltaje de microondas, cada uno de los cuales puede ser
pulsatorio o continuo. Pueden utilizarse diferentes presiones del
gas de tratamiento.
Debe comprenderse que dentro del alcance del
presente invento, pueden llevarse a cabo varios cambios y
modificaciones de las realizaciones mostradas en los dibujos
descritos en la memoria. En consecuencia, se pretende que toda la
materia contenida en la anterior descripción y representada en los
dibujos adjuntos, se interprete en sentido ilustrativo y no en
sentido limitativo. El invento solamente está limitado como se
define en las siguientes reivindicaciones y en sus equivalentes.
Claims (6)
1. Un aparato para tratar una oblea de
semiconductor, que comprende:
una cámara (74) de tratamiento;
un módulo (110) de impurificación a partir de
plasma que incluye una cámara (120) de impurificación a partir de
plasma que es accesible desde la cámara (74) de tratamiento; un
posicionador de oblea para situar en posición una oblea de
semiconductor en dicha cámara de impurificación a partir de plasma
en un modo de impurificación a partir de plasma, cuyo aparato
comprende, además, un módulo (140) de implantación iónica en línea
de haz para generar un haz de iones y dirigir el haz de iones a la
cámara de tratamiento, y el posicionador de oblea está dispuesto,
además, para situar en posición la oblea de semiconductor en la
trayectoria del haz de iones en un modo de implantación en línea de
haz, cuyo posicionador de oblea comprende una platina (76) para
retener la oblea y un posicionador (78) de platina para situar en
posición la platina (76), y en el que el módulo (110) de
impurificación a partir de plasma comprende, además, un ánodo (170)
posicionado dentro de la cámara de impurificación a partir de plasma
y una fuente (132) de impulsos acoplada entre el ánodo (170) y la
platina (76).
2. Aparato como se define en la reivindicación
1, caracterizado porque dicha platina (76) es desplazable
entre una posición de implantación en línea de haz, una posición de
impurificación a partir de plasma y una posición de transferencia de
oblea.
3. Aparato como se define en la reivindicación 1
o en la reivindicación 2, caracterizado porque comprender,
además, un controlador (150) para seleccionar el modo de
implantación en línea de haz o el modo de impurificación a partir de
plasma y para controlar dicho posicionador de oblea de acuerdo con
el modo seleccionado.
4. Aparato como se define en cualquiera de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque dicho
módulo de impurificación a partir de plasma comprende, además, un
electrodo hueco (172) que rodea un espacio entre dicho ánodo y la
mencionada platina.
5. Aparato como se define en cualquiera de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque comprende,
además, una bomba de vacío (126) acoplada a dicha cámara de
tratamiento, incluyendo además dicho módulo de impurificación a
partir de plasma una abertura (194) de conductancia controlada entre
el volumen interno de dicha cámara de impurificación a partir de
plasma y dicha cámara de tratamiento, y una fuente (124) de gas de
tratamiento acoplada a dicha cámara de impurificación a partir de
plasma, en el que el volumen interno de dicha cámara de
impurificación a partir de plasma es bombeado por dicha bomba de
vacío a través de dicha abertura de conductancia controlada en el
modo de impurificación a partir de plasma.
6. Un método de tratar una oblea de
semiconductor, que comprende los pasos de:
situar en posición una oblea de semiconductor en
una cámara de tratamiento (74);
proporcionar un módulo (140) de implantación
iónica en línea de haz para generar un haz de iones y dirigir el haz
de iones a dicha cámara de tratamiento, y un posicionador de oblea
que comprende una platina (76) para retener dicha oblea y un
posicionador (78) de platina para situar dicha platina en
posición;
tratar la oblea en dicha cámara de tratamiento
por implantación iónica en un modo de implantación en línea de haz,
en el que el posicionador de oblea sitúa en posición la oblea en la
trayectoria del haz de iones; y
proporcionar un módulo (110) de impurificación a
partir de plasma que incluye una cámara de impurificación a partir
de plasma que es accesible desde dicha cámara de tratamiento, un
ánodo posicionado dentro de la cámara de impurificación a partir de
plasma y una fuente de impulsos acoplada entre dicho ánodo y dicha
platina;
tratar la oblea en dicha cámara de
impurificación a partir de plasma mediante impurificación a partir
de plasma en un modo de impurificación a partir de plasma, en el que
el posicionador de oblea sitúa la oblea en posición en la cámara de
impurificación a partir de plasma.
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|---|---|---|---|---|
| US20030116089A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Walther Steven R. | Plasma implantation system and method with target movement |
| US6762423B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-07-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for ion beam neutralization in magnets |
| KR100475122B1 (ko) * | 2002-12-20 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 접촉저항을 개선할 수 있는 반도체 소자 형성방법 |
| US7126808B2 (en) * | 2003-04-01 | 2006-10-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer platen equipped with electrostatic clamp, wafer backside gas cooling, and high voltage operation capability for plasma doping |
| US7421973B2 (en) * | 2003-11-06 | 2008-09-09 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for performing SIMOX implants using an ion shower |
| US7748344B2 (en) * | 2003-11-06 | 2010-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Segmented resonant antenna for radio frequency inductively coupled plasmas |
| US7741621B2 (en) * | 2004-07-14 | 2010-06-22 | City University Of Hong Kong | Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation |
| US20060205192A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Shallow-junction fabrication in semiconductor devices via plasma implantation and deposition |
| US20060236931A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Tilted Plasma Doping |
| JP4843252B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-12-21 | 株式会社アルバック | 表面処理装置及び表面処理方法 |
| KR101121419B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2012-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 기판제조장치 및 이에 이용되는 진공펌핑방법과 벤팅방법 |
| US20070170867A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Immersion Ion Source With Low Effective Antenna Voltage |
| KR101346081B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2013-12-31 | 참엔지니어링(주) | 플라스마 에칭 챔버 |
| US20080121821A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. | Techniques for low-temperature ion implantation |
| US20080132046A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Doping With Electronically Controllable Implant Angle |
| US20080169183A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Source with Liner for Reducing Metal Contamination |
| US7820533B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Multi-step plasma doping with improved dose control |
| KR100855002B1 (ko) * | 2007-05-23 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 이온 주입시스템 |
| US8071964B2 (en) * | 2008-05-01 | 2011-12-06 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of performing uniform dose implantation under adverse conditions |
| US20100155600A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for plasma dose measurement |
| US20120060353A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mechanism and method for ensuring alignment of a workpiece to a mask |
| US8361856B2 (en) | 2010-11-01 | 2013-01-29 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, arrays of memory cells, and methods of forming memory cells |
| US8329567B2 (en) | 2010-11-03 | 2012-12-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming doped regions in semiconductor substrates |
| US8450175B2 (en) | 2011-02-22 | 2013-05-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a vertical transistor and at least a conductive line electrically coupled therewith |
| US8569831B2 (en) | 2011-05-27 | 2013-10-29 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit arrays and semiconductor constructions |
| US20120315734A1 (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | Chan-Lon Yang | Method for fabricating semiconductor device |
| FR2981193B1 (fr) * | 2011-10-06 | 2014-05-23 | Ion Beam Services | Procede de commande d'un implanteur ionique en mode immersion plasma. |
| CN103137413B (zh) * | 2011-11-30 | 2016-06-01 | 中国科学院微电子研究所 | 离子注入机控制系统 |
| US9036391B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-05-19 | Micron Technology, Inc. | Arrays of vertically-oriented transistors, memory arrays including vertically-oriented transistors, and memory cells |
| US9129896B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-09-08 | Micron Technology, Inc. | Arrays comprising vertically-oriented transistors, integrated circuitry comprising a conductive line buried in silicon-comprising semiconductor material, methods of forming a plurality of conductive lines buried in silicon-comprising semiconductor material, and methods of forming an array comprising vertically-oriented transistors |
| US9006060B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-04-14 | Micron Technology, Inc. | N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors |
| US9478550B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-10-25 | Micron Technology, Inc. | Arrays of vertically-oriented transistors, and memory arrays including vertically-oriented transistors |
| JP6143440B2 (ja) * | 2012-11-22 | 2017-06-07 | 住重試験検査株式会社 | 半導体装置の製造方法及び基板処理システム |
| US9111853B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming doped elements of semiconductor device structures |
| US9190248B2 (en) * | 2013-09-07 | 2015-11-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dynamic electrode plasma system |
| US9287085B2 (en) * | 2014-05-12 | 2016-03-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Processing apparatus and method of treating a substrate |
| US9899193B1 (en) * | 2016-11-02 | 2018-02-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | RF ion source with dynamic volume control |
| US11069511B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-07-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and methods using an inline surface engineering source |
| US10699871B2 (en) * | 2018-11-09 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for spatially resolved optical metrology of an ion beam |
| US11728187B2 (en) * | 2018-12-21 | 2023-08-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Method for decreasing cool down time with heated system for semiconductor manufacturing equipment |
| CN113678228A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-19 | Atonarp株式会社 | 气体分析装置 |
| US20200411342A1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-12-31 | Applied Materials, Inc. | Beamline architecture with integrated plasma processing |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3908183A (en) | 1973-03-14 | 1975-09-23 | California Linear Circuits Inc | Combined ion implantation and kinetic transport deposition process |
| US4276477A (en) | 1979-09-17 | 1981-06-30 | Varian Associates, Inc. | Focusing apparatus for uniform application of charged particle beam |
| US4283631A (en) | 1980-02-22 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Bean scanning and method of use for ion implantation |
| US4922106A (en) | 1986-04-09 | 1990-05-01 | Varian Associates, Inc. | Ion beam scanning method and apparatus |
| US4899059A (en) | 1988-05-18 | 1990-02-06 | Varian Associates, Inc. | Disk scanning apparatus for batch ion implanters |
| JP2783410B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1998-08-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| US5452177A (en) | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
| US5424244A (en) * | 1992-03-26 | 1995-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for laser processing and apparatus for use in the same |
| US5350926A (en) | 1993-03-11 | 1994-09-27 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | Compact high current broad beam ion implanter |
| US5354381A (en) | 1993-05-07 | 1994-10-11 | Varian Associates, Inc. | Plasma immersion ion implantation (PI3) apparatus |
| US5558718A (en) * | 1994-04-08 | 1996-09-24 | The Regents, University Of California | Pulsed source ion implantation apparatus and method |
| US5711812A (en) | 1995-06-06 | 1998-01-27 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for obtaining dose uniformity in plasma doping (PLAD) ion implantation processes |
| JP3080867B2 (ja) * | 1995-09-25 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US6440221B2 (en) * | 1996-05-13 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved temperature control |
| JP3413704B2 (ja) * | 1996-05-17 | 2003-06-09 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| US6209480B1 (en) * | 1996-07-10 | 2001-04-03 | Mehrdad M. Moslehi | Hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of use |
| US5911832A (en) | 1996-10-10 | 1999-06-15 | Eaton Corporation | Plasma immersion implantation with pulsed anode |
| JP3239779B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2001-12-17 | 日新電機株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US5907158A (en) | 1997-05-14 | 1999-05-25 | Ebara Corporation | Broad range ion implanter |
| US6111260A (en) | 1997-06-10 | 2000-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for in situ anneal during ion implant |
| WO1999006110A1 (en) | 1997-07-29 | 1999-02-11 | Silicon Genesis Corporation | Cluster tool method and apparatus using plasma immersion ion implantation |
| EP0942453A3 (en) * | 1998-03-11 | 2001-02-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Monitoring of plasma constituents using optical emission spectroscopy |
| US6020592A (en) | 1998-08-03 | 2000-02-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dose monitor for plasma doping system |
| US6221169B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning contaminated surfaces in an ion implanter |
| US6489241B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for surface finishing a silicon film |
| US6182604B1 (en) | 1999-10-27 | 2001-02-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Hollow cathode for plasma doping system |
| US6545419B2 (en) * | 2001-03-07 | 2003-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Double chamber ion implantation system |
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