KR970023414A - 메모리의 센스 증폭회로 - Google Patents

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KR970023414A
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김용수
윤오상
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문정환
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Abstract

본 발명의 목적은 각 셀 어레이 블럭을 구성하는 각각의 컬럼 센스 증폭기의 접지단자에 하나의 스위칭 소자를 연결시켜 컬럼 선택신호가 인에이블되고, 워드라인이 디데이블된 컬럼 센스 증폭기에서 발생되는 그라운드 전압의 불안정화 즉, 그라운드 바운싱(ground bouncing) 및 전력 소비를 개선한 메모리의 센스 증폭회로에 관한 것으로, 이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 수단은 제1 내지 제n셀 어레이 블럭과, 워드라인이 인에이블될 때 동시에 인에이블되는 스위칭 신호에 의해 스위칭되어 상기 제1 내지 제n셀 어레이 블럭의 그라운드 전압을 안정화시키고, 제1 내지 제n셀 어레이 블럭의 그라운드 전류를 각각 조절하는 제1 내지 제n스위칭회로로 구성된다.

Description

메모리의 센스 증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 메모리의 센스 증폭회로의 블럭 구성도,
제5도는 제4도의 컬럼 센스 증폭기의 상세 회로도.

Claims (5)

  1. 제1 내지 제n셀 어레이 블럭과, 워드라인이 인에이블될 때 동시에 인에이블되는 스위칭 신호에 의해 스위칭되어 상기 제1 내지 제n셀 어레이 블럭의 그라운드 전압을 안정화시키고, 제1 내지 제n셀 어레이 블럭의 그라운드 전류를 각각 조절하는 제1 내지 제n스위칭회로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 증폭회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제n스위칭회로는 각각 엔모스 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 증폭회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제n스위칭회로는 각각 피모스 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 증폭회로.
  4. 제1항에 있어서, 제1 내지 제n셀 어레이 블럭과 제1 내지 제n스위칭회로의 사이에 각 그라운드 전압 안정화회로를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 증폭회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 그라운드 전압 안정화회로는 병렬 연결된 저항 및 콘덴서가 복수 개로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035980A 1995-10-18 1995-10-18 메모리의 센스 증폭회로 KR0157904B1 (ko)

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