KR970018371A - 반도체 메모리 장치의 소자 분리방법 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 소자 분리방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 메모리장치의 소자분리방법에 관하여 기재하고 있다. 그루브(groove)형의 소자분리 방법에 있어서, 상기 그루브가 형성된 반도체기판 내의 확산(diffuion)을 통하여 필드산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 소자분리방법이 제공된다. 따라서, 고집적하에 유리하며, 소자분리영역과 활성영역과의 단차가 발생하지 않는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 소자분리방법을 순서대로 도시한 단면도.
Claims (5)
- 그루브(groove)형의 소자분리 방법에 있어서, 상기 그루브가 형성된 반도체 기판 내의 확산(diffuion)을 통하여 필드산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 소자분리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산을 통한 필드산화막 형성은 그전, 후에 필드 이온주입공정을 진행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드산화막 형성 후 그 결과물에 대한 전면 에치백을 실시하여 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 소자분리방법.
- 반도체 기판 상에 소자분리영역을 한정하기 위해 활성영역에 제1물질층을 형성하는 단계; 상기 제1물질층의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서 및 제1물질층을 마스크로 적용하여 상기 기판에 브이(V)자 형의 그루브를 형성하는 단계; 그루브가 형성된 상기 기판에 불순물을 이온주입하는 단계; 상기 결과물에 대한 열선화공정을 진행하여 상기 그루브의 표면에 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 제1물질층 및 스페이서를 제거하는 단계; 및 상기 결과물 상에 상기에 그루브를 채우도록 물질을 증착한 다음 에치백하여 상기 결과물의 표면을 평탄화하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 소자분리방법.
- 제4항에 있어서, 상기 스페이서는 유전율이 서로 다른 물질을 이용하여 버즈 빅의 길이를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 소자분리방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031019A KR970018371A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 메모리 장치의 소자 분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031019A KR970018371A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 메모리 장치의 소자 분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018371A true KR970018371A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031019A KR970018371A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 메모리 장치의 소자 분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018371A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456530B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-11-10 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 샬로우 트렌치 아이솔레이션 형성 방법 |
| KR100458767B1 (ko) * | 2002-07-04 | 2004-12-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031019A patent/KR970018371A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456530B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-11-10 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 샬로우 트렌치 아이솔레이션 형성 방법 |
| KR100458767B1 (ko) * | 2002-07-04 | 2004-12-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
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