KR970018258A - 반도체장치의 모스 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체장치의 모스 트랜지스터 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체장치의 모스 트랜지스터 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판의 표면에 게이트 절연층을 형성하는 단계；상기 게이트 절연층 상에 폴리실리콘층을 형성하는 단계；상기 폴리실리콘층을 도우핑시키는 단계；상기 도우핑된 폴리실리콘층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계；상기 게이트 전극을 이온주입 마스크로하여 제2도전형의 불순물을 이온주입함으로써, 상기 게이트 전극 양 옆의 반도체기판 표면에 제2도전형의 불순물 영역을 형성하는 단계； 및 상기 결과물을 연산화시키어 상기 게이트 전극 표면 및 상기 제2도전형의 불순물 영역 상에 열산화층을 형성함과 동시에 확산된 제2도전형의 부순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 모스트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제5도는 본 발명에 의한 모스 트랜지스터 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체 장치의 모스 트랜지스터 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판의 표면에 게이트 절연층을 형성하는 단계；상기 게이트 절연층 상에 폴리실리콘 층을 형성하는 단계；상기 폴리실리콘층을 도우핑시키는 단계；상기 도우핑된 폴리실리콘층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계；상기 게이트 전극을 이온주입 마스크로하여 제2도전형의 불순물을 이온주입함으로써, 상기 게이트 전극 양 옆의 반도체기판 표면에 제2도전형 불순물 영역을 형성하는 단계； 및 상기 결과물을 열산화시키어 상기 게이트 전극 표면 및 상기 제2도전형의 불순물 영역 상에 열산화층을 형성함과 동시에 확산된 제2도전형의 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 모스 트랜지스터 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032964A KR970018258A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 모스 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032964A KR970018258A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 모스 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018258A true KR970018258A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032964A KR970018258A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 모스 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018258A (ko) |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032964A patent/KR970018258A/ko not_active Application Discontinuation
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