KR970018045A - 반도체 장치의 접촉창 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 접촉창 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 접촉창 형성방법에 관하여 기재하고 있다. 반도체 기판 상에 형성된 절연층 위에 포토레지스트를 도포한 다음 패터닝하여 접촉창 형성을 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제1포토레지스트패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연층의 일부를 습식식각한 다음, 상기 제1포토레지스트 패턴을 플로우시켜 그 일부가 식각된 상기 절연층의 상부 일부를 덮는 제2포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 노출시키도록 상기 절연층을 식각한다. 따라서, 같은 크기의 접촉창에서 종횡비를 감소시킬 수 있으며, 접촉창 매몰시 종횡비가 낮아지고 접촉창 상단의 직경이 커지므로 매몰이 용이하게 이루어질 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제7도는 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉창 형성공정을 순서대로 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판 상에 형성된 절연층 위에 포토레지스트를 도포한 다음 패터닝하여 접촉창 형성을 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 제1단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연층의 일부를 습식식각하는 제2단계;상 기 제1포토레지스트 패턴을 플로우시켜 그 일부가 식각된 상기 절연층의 상부 일부를 덮는 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 제3단계; 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 노출시키도록 상기 절연층을 식각하는 게4단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1포토레지스트 패턴을 플로우시키기 위한 열처리 공정은 120∼300℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식식각은 산화물 에천트(OXIDE ETCHANT)로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉창 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화물 에천트는 BOE와 HF를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 접촉창 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031017A KR970018045A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 장치의 접촉창 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031017A KR970018045A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 장치의 접촉창 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018045A true KR970018045A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031017A KR970018045A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 장치의 접촉창 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018045A (ko) |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031017A patent/KR970018045A/ko not_active Application Discontinuation
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