KR970017986A - 선택적 soi구조를 갖는 웨이퍼의 제작 방법 - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 제조 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 벌크 구조의 실리콘 웨이퍼 상에 선택적으로 SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)를 실시하여 부분적으로 SOI(Silicon On Insulator)구조를 갖는 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 제작 방법은 벌크의 반도체 기판 SOI구조를 형성할 영역을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 이온 주입 마스크로 하여 상기 반도체 기판 내부에 소정 깊이로 고농도의 산소를 이온 주입하는 단계; 상기 이온 주입 단계의 결과물을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 제작 방법에서는 벌크 구조 및 SOI구조를 동시에 갖는 웨이퍼를 제작할 수 있게 함으로써 집적도 향상 및 소자의 동작 개선 요구를 동시에 만족시킬 수 있는 웨이퍼를 제공할 수 있는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 웨이퍼 제조 방법을 단계적으로 보이는 공정 단면도들이다.
Claims (3)
- 부분적으로 SOI구조를 갖는 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 벌크의 반도체 기판 상에 SOI구조를 형성할 영역을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 이온 주입 마스크로 하여 상기 반도체기판 내부에 소정 깊이로 고농도의 산소를 이온 주입하는 단계; 상기 이온 주입 단계의 결과물을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크 패턴 형성 단계는 형성된 마스크 패턴의 두께가 1∼10/㎛가 되도록 함을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이온 주입하는 단계는 이온 주입된 산소의 농도가 1∼100e17/㎠되도록 함을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032932A KR970017986A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 선택적 soi구조를 갖는 웨이퍼의 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032932A KR970017986A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 선택적 soi구조를 갖는 웨이퍼의 제작 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017986A true KR970017986A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032932A KR970017986A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 선택적 soi구조를 갖는 웨이퍼의 제작 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970017986A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7790567B2 (en) | 2007-12-17 | 2010-09-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor device and method for forming the same |
| KR20150088604A (ko) * | 2014-01-24 | 2015-08-03 | 엘지전자 주식회사 | 미세 진동자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032932A patent/KR970017986A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7790567B2 (en) | 2007-12-17 | 2010-09-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor device and method for forming the same |
| KR20150088604A (ko) * | 2014-01-24 | 2015-08-03 | 엘지전자 주식회사 | 미세 진동자의 제조 방법 |
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