KR20150088604A

KR20150088604A - 미세 진동자의 제조 방법

Info

Publication number: KR20150088604A
Application number: KR1020140009113A
Authority: KR
Inventors: 정치환; 박주도
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2014-01-24
Filing date: 2014-01-24
Publication date: 2015-08-03
Also published as: KR102135368B1

Abstract

본 발명은 균일하고 정확한 치수의 스프링을 포함하는 미세 진동자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에서 제안하는 미세 진동자의 제조 방법은, (a) 실리콘 웨이퍼의 전면에 전면 마스크 레이어를 증착하고 상기 실리콘 웨이퍼에서 스프링을 형성하고자 하는 영역과 대응되는 영역에 패터닝을 하는 단계, (b) 상기 실리콘 웨이퍼에 형성될 스프링의 치수를 정의하도록 상기 전면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 상기 실리콘 웨이퍼의 내부로 이온을 주입하여 매립층을 형성하는 단계, 및 (c) 상기 실리콘 웨이퍼에서 상기 전면의 반대쪽에 형성되는 후면에 증착된 후면 마스크 레이어에서 상기 매립층과 대응되는 영역을 패터닝 하고 상기 후면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 상기 매립층까지 식각하여 스프링을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

미세 진동자의 제조 방법{METHOD FOR FABRICATION OF MICRO OSCILLATING DEVICES}

본 발명은 미세전자기계시스템{MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS; MEMS} 기술을 이용하여 미세 진동자를 정밀 제작하는 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 미세 진동자 기계 구조의 핵심인 스프링의 형상을 정밀하고 정확하게 제작할 수 있는 기술에 관한 것이다.

최근 MEMS 기술의 발전과 스마트폰(Smart Phone} 등 개인용 휴대기기의 수요가 급증함에 따라 개인용 휴대기기가 널리 보급되고 있다. 이로 인하여, 상기 개인용 휴대기기 등에 적용되는 초소형 센서 및 액추에이터(Actuator)의 연구개발도 활발해지는 추세이다.

MEMS 기술을 이용한 미세소자에는 대표적으로 센서와 액추에이터가 있다. 센서의 예로는 가속도계, 각속도계, 압력센서, 지자기센서 등이 있으며, 액추에이터의 예로는 오실레이터(Oscillator), 마이크로 셔터(Micro Shutter), 마이크로 스캐닝 미러(Micro Scanning Mirror) 등이 있다.

이와 같은 대다수의 미세소자는 움직일 수 있는 미세 진동자를 포함하며, 미세 진동자는 주로 진동하거나 공진하는 원리로 동작한다. 미세 진동자는 질량체와 탄성을 갖는 스프링으로 구성되며, 미세 진동자의 고유 진동수는 미세소자의 성능을 결정하는 매우 중요한 특성이다. 고유 진동수는 미세 진동자의 질량과 스프링의 탄성계수에 의해 결정되고, 특히 스프링은 질량체에 비해 일반적으로 매우 작은 크기로 형성되므로 치수에 매우 민감한 특성이 있다.

스프링의 탄성계수는 스프링의 형상에서 가장 작은 치수에 대해 가장 민감하므로 통상적으로 스프링의 두께에 대해 매우 큰 변화를 갖는다. 따라서, 미세 진동자의 스프링 두께를 정확하게 제작하는 것이 진동자의 고유 진동수를 결정짓는 매우 중요한 요소이다.

종래의 미세 진동자 제작 방법에서는 스프링의 두께를 습식 또는 건식 식각 방법을 통해 제작하였다. 그러나, 종래의 방법에서는 식각되는 깊이를 시간에 의해 조절하므로 장비의 식각률(Etch Rate)의 변동 등에 의하여 정확도를 얻기 어려울 뿐만 아니라 웨이퍼 내에서 소자들 간의 균일도를 얻기도 어려운 문제가 있었다. 또한, 종래의 방법은 스프링의 두께를 결정하기 위해 전체 웨이퍼 두께에서 식각된 깊이를 제외한 나머지 잔류 부분을 이용하는 방식을 이용하였기 때문에 웨이퍼 자체의 두께 편차와 식각 깊이 간의 편차를 모두 포함하므로 오차가 더욱 커진다는 문제도 있었다.

이에 따라, 종래의 미세 진동자 제작 방법에 존재하던 문제점들을 극복하고 미세 진동자의 스프링 두께를 정확하게 제작할 수 있는 새로운 미세 진동자 제작 방법에 대하여 고려될 수 있다.

본 발명의 일 목적은 미세 진동자의 정확한 고유 진동수를 확보하여, 미세 진동자를 포함하는 우수한 성능의 미세소자 제조를 가능하게 하는 미세 진동자의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 일 목적은 종래의 바업에 비하여 장비의 상태나 편차에 상대적으로 덜 민감하고 소자간 공정의 균일도를 확보할 수 있는 미세 진동자의 제조 방법을 제안하기 위한 것이다.

본 발명의 또 다른 일 목적은 실리콘 웨이퍼가 식각되는 깊이가 시간에 독립적인 미세 진동자의 제조 방법을 개시하기 위한것이다.

이와 같은 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따르는 미세 진동자의 제조 방법은, (a) 실리콘 웨이퍼의 전면에 전면 마스크 레이어를 증착하고 상기 실리콘 웨이퍼에서 스프링을 형성하고자 하는 영역과 대응되는 영역에 패터닝을 하는 단계, (b) 상기 실리콘 웨이퍼에 형성될 스프링의 치수를 정의하도록 상기 전면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 상기 실리콘 웨이퍼의 내부로 이온을 주입하여 매립층을 형성하는 단계, 및 (c) 상기 실리콘 웨이퍼에서 상기 전면의 반대쪽에 형성되는 후면에 증착된 후면 마스크 레이어에서 상기 매립층과 대응되는 영역을 패터닝 하고 상기 후면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 상기 매립층까지 식각하여 스프링을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명과 관련한 일 예에 따르면, 상기 (b) 단계는 상기 실리콘 웨이퍼의 내부에 산화물 매립층 또는 질화물 매립층을 형성하도록 상기 전면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 산소 이온 또는 질소 이온을 가속하여 주입할 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 (b) 단계는 상기 이온 주입에 의해 손상된 상기 실리콘 웨이퍼를 회복하고 상기 실리콘 웨이퍼의 내부에 균일한 매립층을 형성하도록 상기 이온 주입 후에 열처리할 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 (b) 단계에서는 상기 매립층이 형성되는 깊이를 제어하도록 상기 이온 주입시의 주입 에너지를 조절할 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 (b) 단계에서는 상기 매립층의 두께를 제어하도록 상기 실리콘 웨이퍼로 주입되는 상기 이온의 농도를 조절할 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 (a) 및 (c) 단계에서 상기 실리콘 웨이퍼에 증착되는 상기 전면 마스크 레이어 및 상기 후면 마스크 레이어는, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물일 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 (a) 및 (c) 단계에서 상기 전면 마스크 레이어와 상기 후면 마스크 레이어의 패터닝은 사진공정 및 식각공정을 통해 형성될 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 후면 마스크 레이어는 상기 전면 마스크 레이어와 함께 증착되거나 상기 매립층을 형성하고 난 후에 증착될 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 매립층을 형성하고 난 후 상기 (c) 단계에서 상기 후면 마스크 레이어에 패터닝 하기 전에, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 증착된 상기 전면 마스크 레이어를 제거하고 상기 실리콘 웨이퍼의 전면을 덮는 새로운 전면 마스크 레이어를 다시 증착될 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 미세 진동자의 제조 방법은, 상기 (c) 단계 이후에, (d) 상기 전면 마스크 레이어가 제거되고 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 새로증착된 전면 마스크 레이어를 패터닝하여 미세 진동자의 형상을 정의하고, 식각하여 미세 진동자를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 실리콘 웨이퍼에서 스프링의 두께를 미리 정의할 수 있으므로, 미세 진동자의 제조시 실리콘 웨이퍼의 두께 편차에 무관하고 장비의 식각률 변동에서 민감하지 않은 방법을 통해 보다 신뢰성 있는 미세 진동자를 제조할 수 있다.

또한 본 발명은, 정확한 고유 진동수를 갖는 미세 진동자를 제조할 수 있으므로 대량 생산에 적용될 수 있고, 단가 절감의 효과를 가져올 수 있다.

도 1은 본 발명에서 제조하고자 하는 미세 진동자의 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 관련된 미세 진동자의 제조 방법을 나타낸 흐름도.
도 3a 및 도 3b는 실리콘 웨이퍼 내부로 이온을 주입하기 위해 전면 마스크 레이어에 패터닝을 하는 단계의 개념도.
도 4a 및 도 4b는 실리콘 웨이퍼 내부에 매립층을 형성하는 단계의 개념도.
도 5a 및 도 5b는 실리콘 웨이퍼의 식각을 통해 스프링을 형성하는 단계의 개념도.
도 6a 및 도 6b는 스프링을 제외한 나머지 영역의 식각을 통해 미세 진동자를 형성하는 단계의 개념도.

이하, 본 발명에 관련된 미세 진동자의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다. 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

도 1은 본 발명에서 제조하고자 하는 미세 진동자(10)의 사시도이다.

미세 진동자(10)는 스프링(11), 질량체(12), 프레임(13)을 포함한다.

스프링(11)은 주로 사각형 형태의 단면을 갖는 바(bar) 형태로 형성된다. 질량체(12)는 양쪽 스프링(11)의 사이에 배치된다. 프레임(13)은 적어도 일부가 스프링(11)과 연결되고, 질량체(12)로부터 이격된 위치에서 상기 질량체(12)를 감싸는 구조로 형성된다. 스프링(11)은 질량체(12)와 프레임(13)을 연결하며, 질량체(12)에 탄성력을 제공한다.

미세 진동자(10)는 질량체(12)와 스프링(11)에 의해 진동 또는 공진하거나 선형 또는 회전운동을 한다. 미세 진동자(10)는 개인 휴대기기 등의 소자 부품으로 적용될 수 있다.

통상적으로 미세 진동자(10)는 기계적 신뢰성을 위해 벌크 실리콘(bulk silicon)을 건식 또는 습식 식각을 이용하여 제조한다. 이하에서는 본 발명에서 제안하는 미세 진동자의 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 관련된 미세 진동자의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.

도 2에 도시된 흐름도는 미세 진동자를 제조하기 위한 일련의 제조 방법 중 특히, 정밀하게 스프링을 형성하기 위한 과정에 대하여 나타낸 것이다. 미세 진동자의 제조 방법은, 실리콘 웨이퍼의 전면 마스크 레이어(120)에 이온 주입을 위한 패터닝을 하는 단계(S100), 실리콘 웨이퍼의 내부로 이온을 주입하여 매립층을 형성하는 단계(S200), 및 매립층까지 식각을 통해 스프링을 형성하는 단계(S300)를 포함한다.

먼저, 실리콘 웨이퍼(110)의 전면 마스크 레이어(120)에 이온 주입을 위한 패터닝을 하는 단계(S100)는 도 3a 및 도 3b의 도면을 참조하여 설명한다.

도 3a 및 도 3b는 실리콘 웨이퍼(110) 내부로 이온을 주입하기 위해 전면 마스크 레이어(120)에 패터닝을 하는 단계(S100)의 개념도이다.

실리콘 웨이퍼(110)의 전면에 전면 마스크 레이어(120)를 증착하거나, 전면 마스크 레이어(120)를 성장시킨다. 도 3a에 도시한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(110)의 후면에는 상기 전면 마스크 레이어(120)와 함께 후면 마스크 레이어(130)가 증착되거나 성장될 수 있다.

전면 마스크 레이어(120)와 후면 마스크 레이어(130)는 식각 마스크(Etch Mask) 기능을 하는 층으로, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 성장 또는 증착에 의해 형성될 수 있다.

실리콘 웨이퍼(110)의 전면에 전면 마스크 레이어(120)가 증착되고 나면, 실리콘 웨이퍼(110)에서 스프링을 형성하고자 하는 영역과 대응되는 영역(121)에 패터닝을 한다. 패터닝은 사진공정(photolithography) 및 식각공정(Etch)을 통해 형성될 수 있다. 도 3b에 도시한 바와 같이, 전면 마스크 레이어(120)에 패터닝을 하면 전면 마스크 레이어(120)의 일부가 제거되고 실리콘 웨이퍼(110)의 전면이 일부 노출된다.

다시, 도 2를 참조하면 전면 마스크 레이어(120)에 패터닝 하고 난 후(S100), 실리콘 웨이퍼(110)에 형성될 스프링의 치수를 정의하도록 전면 마스크 레이어(120)의 패터닝된 영역(121)을 통해 실리콘 웨이퍼(110)의 내부로 이온을 주입하여 매립층을 형성한다(S200).

매립층을 형성하는 단계(S200)에 대하여는 도 4a 및 도 4b의 도면을 참조하여 설명한다.

도 4a 및 도 4b는 실리콘 웨이퍼(110) 내부에 매립층(140)을 형성하는 단계(S200)의 개념도이다.

도 4a에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(110)의 전면 마스크 레이어(120)를 향해 산소 이온 또는 질소 이온을 가속하여 공급하면, 도 4b에 도시된 바와 같이 패터닝된 영역(120)을 통해 산소 이온과 질소 이온이 실리콘 웨이퍼(110)의 내부로 주입되어 상기 실리콘 웨이퍼(110)의 내부에 매립층이 형성된다.

매립층(140)은 산화물 매립층(Buried Oxide Layer) 또는 질화물 매립층(Buride Nitride Layer) 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 산화물 매립층과 질화물 매립층은 산소 이온 또는 질소 이온의 주입에 의해 형성될 수 있다.

가속된 산소 이온 또는 질소 이온은, 패터닝되지 않은 영역(120에서 121을 제외한 나머지 영역)에서 식각 마스크 기능을 하는 전면 마스크 레이어(120)에 의해 차단되어 실리콘 웨이퍼(110)의 내부로 주입되지 못한다. 반면, 가속된 산소 이온 또는 질소 이온은, 패터닝 된 영역(120)에서 차단되지 않으므로 상기 산소 이온또는 질소 이온은 상기 패터닝 된 영역(120)을 통해 실리콘 웨이퍼(110)의 내부로 침투할 수 있다.

실리콘 웨이퍼(110)의 내부에 매립층(140)이 형성되는 깊이는 이온 주입시 주입 에너지를 조절하여 제어할 수 있다. 예를 들어, 이온 주입 에너지가 클수록 매립층(140)은 실리콘 웨이퍼(110)의 표면으로부터 깊은 곳에 형성된다. 또한, 매립층(140)의 두께는 실리콘 웨이퍼(110)로 주입되는 이온의 농도를 조절하여 제어할 수 있다. 예를 들어, 이온의 농도가 증가할수록 매립층(140)의 두께가 증가한다.

앞으로 이어질 식각 공정에서 형성되는 스프링의 치수는 매립층(140)이 형성되는 깊이와 매립층(140)의 두께에 의해 결정되므로, 이온 주입 에너지와 이온 농도를 조절하면 결과적으로 스프링의 치수를 정확하고 균일하게 제어할 수 있다.

실리콘 웨이퍼(110)의 내부에 매립층(140)을 형성하고 난 다음, 이온 주입에 의해 손상된 실리콘 웨이퍼(110)를 회복하고 실리콘 웨이퍼(110)의 내부에 균일한 매립층(140)을 형성하도록 고온에서 열처리(Anealing)할 수 있다.

본 발명에서 실리콘 웨이퍼(110)의 내부에 산화물 매립층(140) 또는 질화물 매립층(140)을 형성하는 것은, 통상적으로 SOI(Silicon On Insulator) 기판 제작에 활용되는 SIMOX(Separation by Implanted Oxygen) 공정을 활용한 것으로, 실리콘 웨이퍼(110)의 원하는 위치에 산화물 매립층(140) 또는 질화물 매립층(140)을 형성함으로써 실리콘과 산화물 사이의 식각 선택비에 의하여 원하는 깊이 이상으로 시각이 진행되는 것을 방지하기 위한 것이다.

다시, 도 2를 참조하면 실리콘 웨이퍼(110)의 내부에 매립층(140)을 형성하고 난 후(S200), 후면 실리콘 웨이퍼(110)의 후면을 통해 매립층(140)까지 식각하여 스프링을 형성한다(S300).

스프링을 형성하는 단계(S300)에 대하여는 도 5a 및 도 5b의 도면을 참조하여 설명한다.

도 5a 및 도 5b는 실리콘 웨이퍼(110)의 식각을 통해 스프링을 형성하는 단계(S300)의 개념도이다.

실리콘 웨이퍼(110)의 후면을 식각하기 위해서는 실리콘 웨이퍼(110)의 후면에 증착된 후면 마스크 레이어(130)에서 상기 매립층(140)과 대응되는 영역(131)을 패터닝한다.

상기 매립층(140)을 형성하고 난 후 상기 후면 마스크 레이어(130)에 패터닝 하기 전에, 상기 실리콘 웨이퍼(110)의 전면에 증착된 상기 전면 마스크 레이어(120)를 제거하고 상기 실리콘 웨이퍼(110)의 전면을 덮는 새로운 전면 마스크 레이어(120')를 다시 증착할 수 있다.

패터닝은 앞서 설명한 바와 같이 사진공정(photolithography) 및 식각공정(Etch)을 통해 형성될 수 있다. 도 5a에 도시한 바와 같이, 후면 마스크 레이어(130)에 패터닝을 하면 후면 마스크 레이어(130)의 일부(131)가 제거되고 실리콘 웨이퍼(110)의 후면이 노출된다.

도 5b에 도시된 바와 같이, 습식 또는 건식 공정으로 실리콘 웨이퍼(110)를 식각하면, 매립층(140)은 식각 방지층(Etch Stop Layer)로 기능하므로 식각 깊이가 매립층(140)에 도달하였을 때 식각률이 급격히 감소한다. 이에 따라, 식각은 매립층(140)까지만 이루어지고 식각되고 남은 영역이 스프링(111)으로 형성된다. 실리콘 웨이퍼(110)의 전면으로부터 미리 정의되었던 매립층(140)까지의 두께가 스프링(111)의 두께가 되므로 정확한 치수의 스프링(111)을 제작할 수 있다.

스프링(111)의 제조가 완료되면, 나머지 영역을 식각하여 미세 진동자를 완성한다.

도 6a 및 도 6b는 스프링(111)을 제외한 나머지 영역의 식각을 통해 미세 진동자를 형성하는 단계의 개념도이다.

본 발명에서 제시하는 미세 진동자의 제조 방법은, 매립층(140)까지 식각하여 스프링을 형성하는 단계(S300) 이후에, 식각을 통해 미세 진동자를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

패터닝된 전면 마스크 레이어(120)를 실리콘 웨이퍼(110)의 전면으로부터 제거하고 상기 실리콘 웨이퍼(110)의 전면에 새로운 전면 마스크 레이어(120')를 증착하고 미세 진도자의 형상으로 제작하기 위해 일부 영역(121')을 다시 패터닝 한다. 기존 전면 마스크 레이러(120)를 제거하고 새로운 전면 마스크 레이어(120')를 증착하는 것은 매립층(140)의 형성이 완료되거나 열처리가 완료된 이후에 이루어지는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

도 6a에 도시된 바와 같이 새로 증착된 전면 마스크 레이어(120')를 패터닝하여 스프링(111)을 제외한 나머지 영역(121')에 미세 진동자의 형상을 정의하고, 도 6b에 도시된 바와 같이 식각을 하면 미세 진동자(100)를 제조할 수 있다. 제조된 미세 진동자(100)는 도 1에서 설명한 바와 마찬가지로 스프링(111), 질량체(112) 및 프레임(113)을 포함한다.

본 발명에서는, 이온 주입과 열처리를 통해 실리콘 웨이퍼(110)와의 높은 식각 선택비(Selectivity)를 갖는 매립층(140)을 실리콘 웨이퍼 내부에 미리 정의하여 원하는 스프링(111)의 두께를 설정할 수 있다. 또한, 원하는 깊이까지만 식각되는 방법을 적용하여 종래의 방법에 비하여 균일하고 정확한 고유 진동수를 갖는 미세 진동자(100) 및 상기 미세 진동자(100)를 포함하는 미세소자를 제조할 수 있다.

또한, 본 발명에서 스프링(111)의 두께를 결정하는 식각 깊이는 식각에 소요되는 시간에 독립적이므로, 장비의 식각률의 변동 등에 영향을 받지 않아 정확하고 균일한 미세 진동자(100)의 제조가 가능하다.

이상에서 설명된 미세 진동자의 제조 방법은 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims

(a) 실리콘 웨이퍼의 전면에 전면 마스크 레이어를 증착하고 상기 실리콘 웨이퍼에서 스프링을 형성하고자 하는 영역과 대응되는 영역에 패터닝을 하는 단계;
(b) 상기 실리콘 웨이퍼에 형성될 스프링의 치수를 정의하도록 상기 전면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 상기 실리콘 웨이퍼의 내부로 이온을 주입하여 매립층을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 실리콘 웨이퍼에서 상기 전면의 반대쪽에 형성되는 후면에 증착된 후면 마스크 레이어에서 상기 매립층과 대응되는 영역을 패터닝 하고, 상기 후면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 상기 매립층까지 식각하여 스프링을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (b) 단계는 상기 실리콘 웨이퍼의 내부에 산화물 매립층 또는 질화물 매립층을 형성하도록 상기 전면 마스크 레이어의 패터닝된 영역을 통해 산소 이온 또는 질소 이온을 가속하여 주입하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (b) 단계는 상기 이온 주입에 의해 손상된 상기 실리콘 웨이퍼를 회복하고 상기 실리콘 웨이퍼의 내부에 균일한 매립층을 형성하도록 상기 이온 주입 후에 열처리하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (b) 단계에서는 상기 매립층이 형성되는 깊이를 제어하도록 상기 이온 주입시의 주입 에너지를 조절하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (b) 단계에서는 상기 매립층의 두께를 제어하도록 상기 실리콘 웨이퍼로 주입되는 상기 이온의 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (a) 및 (c) 단계에서 상기 실리콘 웨이퍼에 증착되는 상기 전면 마스크 레이어 및 상기 후면 마스크 레이어는, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (a) 및 (c) 단계에서 상기 전면 마스크 레이어와 상기 후면 마스크 레이어의 패터닝은 사진공정 및 식각공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 후면 마스크 레이어는 상기 전면 마스크 레이어와 함께 증착되거나 상기 매립층을 형성하고 난 후에 증착되는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 매립층을 형성하고 난 후 상기 (c) 단계에서 상기 후면 마스크 레이어에 패터닝 하기 전에, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 증착된 상기 전면 마스크 레이어를 제거하고 상기 실리콘 웨이퍼의 전면을 덮는 새로운 전면 마스크 레이어를 다시 증착하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 (c) 단계 이후에,
(d) 상기 전면 마스크 레이어가 제거되고 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 새로증착된 전면 마스크 레이어를 패터닝하여 미세 진동자의 형상을 정의하고, 식각하여 미세 진동자를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 진동자의 제조 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 미세 진동자.