KR970013748A - 클럭 관통 효과를 억제하기 위한 트랜스미션 게이트 회로 - Google Patents

클럭 관통 효과를 억제하기 위한 트랜스미션 게이트 회로 Download PDF

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KR970013748A
KR970013748A KR1019950027252A KR19950027252A KR970013748A KR 970013748 A KR970013748 A KR 970013748A KR 1019950027252 A KR1019950027252 A KR 1019950027252A KR 19950027252 A KR19950027252 A KR 19950027252A KR 970013748 A KR970013748 A KR 970013748A
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KR1019950027252A
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김영묵
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 신호 전송로의 개폐용으로 사용되는 트랜스미션 게이트(Transmission Gate)회로에 관한 것으로 특히, 소정 크기의 PMOS와 NMOS로 이루어지며 메인 스위치로 사용되는 제1트랜스미션 게이트와, 자신의 공통 소오스가 상기 제1트랜스미션 게이트의 공통 드레인에 연결되고 신호입력단과 공통 드레인단이 연결되는 제2트랜스미션 게이트 및 공통 드레인이 상기 제1트랜스미션 게이트(TM)의 공통 소오스에 연결되고 공통 소오스가 신호 출력단으로 사용되는 제2트랜미션 게이트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에서는 트랜스미션 게이트의 클럭관통을 억제할 수 있다.

Description

클럭 관통 효과를 억제하기 위한 트랜스미션 게이트 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 트랜스미션 게이트 회로의 구성 예시도.
제4도는 제1도와 제3도에 도시되어 있는 회로의 클럭 관통량에 대한 그래프선도.

Claims (2)

  1. 트랜스미션 게이트 회로에 있어서, 소정 크기의 PMOS와 NMOS로 이루어지며 메인 스위치로 사용되는 제1트랜스미션 게이트(TM)와; 공통 소오스가 상기 제1트랜스미션 게이트(TM)의 공통 드레인에 연결되고 신호입력단과 공통 드레인이 연결되는 제2트랜스미션 게이트(TDM1); 및 공통 드레인이 상기 제1트랜스미션 게이트(TM)의 공통 소오스에 연결되고 공통 소오스단이 신호 출력단으로 사용되는 제2트랜스미션 게이트(TDM1)을 포함하며, 상기 제2, 제3트랜스미션 게이트(TDM1,TDM2)의 크기가 상기 제1트랜스미션 게이트(TM)의 절반이 되는 것을 특징으로 하는 클럭 관통효과를 억제하기 위한 트랜스미션 게이트 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜스미션 게이트(TM)이 PMOS의 게이트단에 걸리는 전압상태는 상기 제2, 제3트랜스미션 게이트의 NMOS의 게이트에 걸리는 전압상태와 동일도록 구성되고, 상기 제1트랜스미션 게이트의 NMOS의 게이트에 걸리는 전압상태는 상기 제2, 제3트랜스미션 게이트의 PMOS의 게이트에 걸리는 전압상태와 동일하도록 구성되어 상기 제1트랜스미션 게이트의 온/오프 동작시 상기 제2, 제3트랜스미션 게이트는 오프/온 동작하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 클럭 관통 효과를 억제하기 위한 트랜스미션 게이트 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950027252A 1995-08-29 1995-08-29 클럭 관통 효과를 억제하기 위한 트랜스미션 게이트 회로 KR970013748A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100268948B1 (ko) * 1997-07-25 2000-12-01 김영환 트랜스미션 게이트 회로

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100268948B1 (ko) * 1997-07-25 2000-12-01 김영환 트랜스미션 게이트 회로

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