KR900002538A - 잡음제거회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 잡음제거회로의 일실시예를 나타낸 회로 구성도.
제2도는 본 발명에 따른 변형예를 나타낸 회로설명도,
제5a도는 잡음특성측정에 사용되는 종래의 회로와 본 발명에 따른 회로간의 회로구성도.
제5b도는 잡음특성을 나타낸 파형도이다.
Claims (2)
1개이상의 공통 입력단(a)을 갖는 제1논리회로(11)와 제2논리회로(12), 소오스에 제1전위가 공급되는 P채널 MOS형 전계효과트랜지스터(13), 소오스에 제2전위가 공급되는 n채널 MOS형 전계효과트랜지스터(14)로 이루어진 잡음제거회로에 있어서, 상기 제1논리회로(11)의 출력단을 상기 P채널 MOS형 전계효과트랜지스터(13)의 게이트에 접속하고, 상기 제2논리회로(12)의 출력단을 상기 n채널 MOS형 전계효과트랜지스터(14)의 게이트에 접속하며, 상기 P채널 MOS형 전계효과트랜지스터(13)의 드레인과 n채널 MOS형 전계효과트랜지스터(14)의 드레인의 접속점을 출력단자(b)에 접속하고, 상기 제1논리회로(11)의 회로임계치를 제2논리회로(12)의 회로임계치와 틀리게 해서, 입력신호에 포함된 중간레벨의 잡음성분을 제거하도록 된 것을 특징으로 하는 잡음제거회로.
제1항에 있어서, 상기 제1논리회로(11)의 회로임계치를 제2논리회로(12)의 회로임계치보다 높게 하여, 회로임계치가 높은 제1논리회로(11)의 출력이 P채널 MOS형 전계효과트랜지스터(13)의 게이트에 입력되고, 회로임계치가 낮은 제2논리회로(12)의 출력이 n채널 MOS형 전계효과트랜지스터(14)의 게이트에 입력되도록 된 것을 특징으로 하는 잡음제거회로.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP88-168185 | 1988-07-06 | ||
JP63168185A JPH0217719A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 雑音除去回路 |
Publications (2)
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KR920010349B1 KR920010349B1 (ko) | 1992-11-27 |
Family
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Family Applications (1)
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KR1019890009586A KR920010349B1 (ko) | 1988-07-06 | 1989-07-06 | 잡음제거회로 |
Country Status (3)
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6290021A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-24 | Nec Corp | シユミツトトリガ回路 |
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-
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- 1989-07-06 EP EP89306896A patent/EP0406491A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
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EP0406491A1 (en) | 1991-01-09 |
KR920010349B1 (ko) | 1992-11-27 |
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