KR970013078A - 웨이퍼 연마 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 웨이퍼의 포면을 화학 기계적으로 평탄화하기 위한 개선된 CMP(Chemical Mechanical Polishing)장치를 개시한다.
본 발명은 연마하고자 하는 소재의 표면인 웨이퍼의 경면이 위를 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하기 위한 평탄한 웨이퍼 스테이지(stage), 및 상기 노출된 웨이퍼의 경면 상부에 형성되고 상기 웨이퍼와의 접촉점이 선형운동을 할 수 있도록 고속 회전이 가능한 실린더(cylinder)형상의 연마 패드(pad)를 포함한다. 상기 스테이지는 다수개의 진공 홀을 통하여 진공 흡착(vacuum sucking) 방식으로 웨이퍼를 지지할 수 있도록 구성되며, 상기 실린더 형상의 연마 패드는 그 중심에 회전운동을 전달하는 회전축을 구비하고 이 회전축의 외주면에는 서로 다른 경도(Hardness)를 갖는 2중층의 연마부재를 구비한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 화학 기계적 연마장치의 구조를 도시한 단면도.
제4A도는 본 발명에 의한 연마장치의 웨이퍼 스테이지를 확대 도시한 도면.
제4B도는 제4A도의 평면도이다.
Claims (11)
- 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하기 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)장치에 있어서, 연마하고자 하는 소재의 표면인 웨이퍼의 경면이 위를 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하기 위한 평탄한 웨이퍼 스테이지(stage); 및 상기 노출된 웨이퍼의 경면 상부에 형성되고 상기 웨이퍼와의 접촉점이 선형운동을 할 수 있도록 고속 회전이 가능한 실린더(cylinder)형상의 연마 패드(pad)를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 실린더 형상의 연마 패드는 회전운동을 전달하는 회전축(Rotating axis)과, 이 회전축의 외주면에 다층구조의 연마부를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 회전축의 외주면에 형성된 다층구조의 연마부는 서로 다른 경도(Hardness)를 갖는 이층구조로 구성된 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼 경면의 일부분과 접촉하여 연마작용을 수행하는 2층형 연마부의 외층은 평탄성 향상을 위하여 내부재질 보다 단단한 경도를 갖는 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 2층형 연마부의 내층은 상기 연마부의 외층을 지지하며 이 외층과 상기 웨이퍼와의 접촉면적을 조절하여 연마균일성을 향상시킬수 있을 정도의 부드러운 경도를 갖는 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지 하부에 선형운동 및/ 또는 회전운동이 가능한 평활한 작업대(Table)를 더 구비하여 상기 패드의 회전운동, 이 작업대의 선형 및 회전운동 및 이들 운동방향의 조합에 의해 웨이퍼 전면을 고르게 연마하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제1항 및 제6항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 온도를 직접 제어할 수 있도록 상기 웨이퍼 스테이지와 작업대와의 사이에 형성된 냉각수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하기 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)장치에 있어서, 연마하고자 하는 소재의 표면인 웨이퍼의 경면이 위를 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 수평 로딩(loading) 방식으로 적재하고, 이 적재된 웨이퍼를 진공 흡착(vacuum sucking) 방식으로 지지할 수 있도록 다수개의 진공 홀(vacrrm hole)을 구비한 평탄한 웨이퍼 스테이지(stage); 및 상기 노출된 웨이퍼의 경면 상부에 형성되고 상기 웨이퍼와의 접촉점이 선형운동을 할 수 있도록 고속 회전이 가능한 실린더(cylinder) 현상의 연마 패드(pad)를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지는 연마제로 인한 장치 내부의 오염을 방지할 수 있도록 탈 이온수세정(D.I. water rinse) 기능을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지는 연마제로 인한 장치 내부의 오염을 방지할 수 있도록 탈 이온수 세정기능에 더하여 공기분출(air blowing) 기능을 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지는 금속 오염을 방지하기 위해 다공성 세라믹(porous ceramic)재질로 구성된 것을 특징으로 하는 CMP 장치.
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