KR970012729A - 워드라인 구동회로 - Google Patents

워드라인 구동회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970012729A
KR970012729A KR1019950025435A KR19950025435A KR970012729A KR 970012729 A KR970012729 A KR 970012729A KR 1019950025435 A KR1019950025435 A KR 1019950025435A KR 19950025435 A KR19950025435 A KR 19950025435A KR 970012729 A KR970012729 A KR 970012729A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
word line
potential
driver
pull
driving
Prior art date
Application number
KR1019950025435A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100190759B1 (ko
Inventor
김미양
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950025435A priority Critical patent/KR100190759B1/ko
Publication of KR970012729A publication Critical patent/KR970012729A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100190759B1 publication Critical patent/KR100190759B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408—Address circuits
    • G11C11/4085—Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408—Address circuits
    • G11C11/4087—Address decoders, e.g. bit - or word line decoders; Multiple line decoders
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409—Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4091—Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 워드라인 구동회로에 관한 것으로, 특히 워드라인을 활성화시키는 과정에서 사용되는 부트스트래핑 액세스 시간을 감소시킨 다이나믹 램의 워드라인 구동회로에 관한 것이다.
본 발명의 워드라인 구동회로는 로오 어드레스신호를 입력받아 워드라인 구동신호를 발생하는 주 디코더와 워드라인 구동에 필요한 고전위를 발생하는 고전위 발생기를 구비한 반도체 소자에 있어서, 선택된 워드라인을 구동하기 위하여 출력단에 제1전위의 워드라인 구동신호를 인가하기 위한 풀-업 구동기와, 워드라인이 동작하지 않는 프라차지 모드에서 출력단에 제2전위를 인가하기 위한 풀-다운 구동기와, 상기 주디코더로부터 상기 풀-업 구동기에 인가된 전위가 Vcc-Vt 전위로 되는 것에 따라 상기 고전위 발생기의 구동을 제어하는 제어수단을 포함한다.

Description

워드라인 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 워드라인 구동회로도.

Claims (7)

  1. 로오 어드레스신호를 입력받아 워드라인 구동신호를 발생하는 주 디코더와 워드라인 구동에 필요한 고전위를 발생하는 고전위 발생기를 구비한 반도체 소자에 있어서, 선택된 워드라인을 구동하기 위하여 출력단에 제1전위의 워드라인 구동신호를 인가하기 위한 풀-업 구동기와, 워드라인이 동작하지 않는 프리차지 모드에서 출력단에 제2전위를 인가하기 위한 풀-다운 구동기와, 상기 주 디코더로부터 상기 풀-업 구동기에 인가된 전위가 Vcc-Vt 전위로 되는 것에 따라 상기 고전위 발생기의 구동을 제어하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주 디코더와 풀-업 구동기 사이에 접속되어 상기 주 디코더로부터의 워드라인 구동신호를 부트스트래핑하기 위한 부트스트래핑 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주 디코더와 제어수단 사이에 접속되어 상기 주 디코더로부터의 워드라인 구동신호를 부트스트래핑하고 상기 제어수단에 인가하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어수단과 고전위 발생기 사이에 직렬로 연결되는 2개의 인버터로 이루어지며 상기 제어수단의 고전위 발생기 구동용 제어신호를 버퍼링하기 위한 버퍼링회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 풀-다운 구동기는 상기 디코더로부터 입력된 워드라인 구동신호를 반전하는 인버터와, 상기 인버터의 반전신호에 의하여 구동이 제어되며 워드라인에 제2전위를 인가하기 위한 엔모스형 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 주 디코더로부터의 워드라인 구동신호의 전위와 기준전압을 비교하고 상기 워드라인 구동신호의 전위가 기준전위 보다 작은 경우 동작되지 않으며 기준전위 이상인 경우 동작하는 감지증폭기인 것을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 감지증폭기는 소스단자가 접지전원부에 접속되고 게이트단자가 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 드레인단자에 접속되는 상기 풀-업 구동기와 동일 특성을 갖는 제1엔모스형 트랜지스터와, 게이트 단자가 기준전위를 발생하는 기준전위 발생부에 접속되고 소스단자가 상기 고전위 발생기에 연결되는 제2엔모스형 트랜지스터와, 소스단자가 외부 전원공급원에, 게이트단자가 상기 제2엔모스형 트랜지스터의 소스단자에, 드레인단자가 상기 제1엔모스형 트랜지스터에 접속되며, 상기 제1엔모스형 트랜지스터의 전위레벨에 따라 구동이 제어되는 제1피모스형 트랜지스터와, 드레인단자가 상기 제2엔모스형 트랜지스터 및 완충부에, 게이트 단자가 제1엔모스형 트랜지스터에, 소스단자가 상기 외부 전원공급원에 접속되는 제2피모스형 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950025435A 1995-08-18 1995-08-18 워드라인 구동회로 KR100190759B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950025435A KR100190759B1 (ko) 1995-08-18 1995-08-18 워드라인 구동회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950025435A KR100190759B1 (ko) 1995-08-18 1995-08-18 워드라인 구동회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970012729A true KR970012729A (ko) 1997-03-29
KR100190759B1 KR100190759B1 (ko) 1999-06-01

Family

ID=19423742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950025435A KR100190759B1 (ko) 1995-08-18 1995-08-18 워드라인 구동회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100190759B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668814B1 (ko) * 2000-11-01 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 센스 앰프 제어 회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668814B1 (ko) * 2000-11-01 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 센스 앰프 제어 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR100190759B1 (ko) 1999-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100396897B1 (ko) 페리(ｐｅｒｉ)용 전압 발생 회로와 이를 구비하는 반도체메모리 장치 및 전압 발생 방법
KR950015380A (ko) 반도체 메모리장치의 워드라인구동회로
KR970051206A (ko) 저전력용 센스앰프회로
KR0121131B1 (ko) 반도체 메모리장치의 구동회로
KR970013732A (ko) 멀티파워를 사용하는 데이타 출력버퍼
KR960042726A (ko) 외부제어신호에 적응 동작하는 승압회로를 갖는 반도체 메모리 장치
KR970012788A (ko) 반도체 기억장치
KR100303782B1 (ko) 두개의 공급전위를 사용하여 메모리소자의 셀 플레이트 라인을구동하기 위한 장치
KR940004516B1 (ko) 반도체 메모리의 고속 센싱장치
KR920018754A (ko) 반도체 메모리 회로
KR970012729A (ko) 워드라인 구동회로
KR920022300A (ko) 개선된 라이트 동작을 가지는 반도체 메모리 장치
KR950009739A (ko) 반도체 메모리 소자의 로오 리던던시 회로
KR0179776B1 (ko) 워드라인 구동장치
KR970017637A (ko) 반도체 메모리장치의 센스앰프 제어회로
KR100486200B1 (ko) 반도체장치의비트라인전압발생기
KR20030001868A (ko) 센스 앰프 전원제어회로
KR950020750A (ko) 반도체 소자의 리던던시 회로
KR970055512A (ko) 데이타 출력 버퍼
KR980004998A (ko) 싱크로너스 디램의 초기 프리차지 발생장치
KR200303036Y1 (ko) 출력 전압 제어 회로
KR970051215A (ko) 반도체 메모리 장치의 펄스발생 회로
KR970055518A (ko) 메모리의 출력버퍼회로
KR970067357A (ko) 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치
KR950022113A (ko) 데이타 출력버퍼

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101224

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee