KR970008408A - 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법 - Google Patents

광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970008408A
KR970008408A KR1019950023397A KR19950023397A KR970008408A KR 970008408 A KR970008408 A KR 970008408A KR 1019950023397 A KR1019950023397 A KR 1019950023397A KR 19950023397 A KR19950023397 A KR 19950023397A KR 970008408 A KR970008408 A KR 970008408A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
control device
optical path
forming
path control
Prior art date
Application number
KR1019950023397A
Other languages
English (en)
Inventor
민용기
Original Assignee
배순훈
대우전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 배순훈, 대우전자 주식회사 filed Critical 배순훈
Priority to KR1019950023397A priority Critical patent/KR970008408A/ko
Priority to US08/695,320 priority patent/US5808782A/en
Priority to JP8216600A priority patent/JPH0950249A/ja
Priority to CN96106433A priority patent/CN1164663A/zh
Publication of KR970008408A publication Critical patent/KR970008408A/ko

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 콘택홀 주위를 평탄화시키기 위한 다층 배선 평탄화 방법을 개시한다. 본 발명은 구동 기판상에 형성된 제1절연층을 패터닝시켜서 형성된 콘택홀을 통하여 패드와 전기적으로 연결된 제1도전층을 형성시키는 제1단계와, 상기 제1도전층상에 세라믹을 소정 두께로 적층시키고 열처리시켜서 제2절연층을 형성시키는 제2단계와, 상기 제2절연층상에 절연 물질을 적층시킨 후 에칭 백 공정에 의하여 제3절연층을 형성시키는 제3단계로 이루어진 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법에 의해 달성되며 이에 의해서 도전층간의 전기적 쇼트 현상을 방지시키고 평탄한 표면을 제공하므로 광로 조절 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.

Description

광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따라서 광로 조절 장치를 제작하기 위한 공정도.

Claims (5)

  1. 구동 기판(110) 상에 형성된 제1절연층(132)을 패터닝시켜서 형상된 콘택홀(140)을 통하여 패드(120)와 전기적으로 연결된 제1도전층(133)을 형성시키는 제1단계와, 상기 제1도전층(133) 상에 세라믹을 소정 두께로 적층시키고 열처리시켜서 제2절연층(134)을 형성시키는 제2단계와, 상기 제2절연층(134) 상에 절연 물질을 적층시킨 후 에치 백 공정에 의하여 제3절연층(210)을 형성시키는 제3단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에치 백 공정은 반응성 이온 식각에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에치 백 공정은 건식 식각 프로세서에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2절연층(134)을 구성하고 있는 세라믹은 압전 세라믹 또는 전왜 세라믹으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 세라믹은 급가열 공정에 의한 열처리에 의하여 페로브스 카이트 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950023397A 1995-07-31 1995-07-31 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법 KR970008408A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950023397A KR970008408A (ko) 1995-07-31 1995-07-31 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법
US08/695,320 US5808782A (en) 1995-07-31 1996-07-29 Thin film actuated mirror array having spacing member
JP8216600A JPH0950249A (ja) 1995-07-31 1996-07-30 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイにおける薄膜電極と能動マトリックス上の接続端子とを電気的に接続する方法及びこの方法を組み込んだ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法及びこの製造方法によって製造された薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
CN96106433A CN1164663A (zh) 1995-07-31 1996-07-31 在薄膜致动反射镜中形成连接孔的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950023397A KR970008408A (ko) 1995-07-31 1995-07-31 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970008408A true KR970008408A (ko) 1997-02-24

Family

ID=66540775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950023397A KR970008408A (ko) 1995-07-31 1995-07-31 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970008408A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100647022B1 (ko) * 1998-07-15 2006-11-17 소니 가부시끼 가이샤 부호화 장치 및 부호화 방법, 복호 장치 및 복호 방법, 정보 처리 장치 및 정보 처리 방법 및 제공 매체
KR100711012B1 (ko) * 1998-10-07 2007-04-25 소니 가부시끼 가이샤 코딩 장치 및 방법, 디코딩 장치 및 방법, 데이터 처리 시스템, 기억 매체 및 신호
KR100777144B1 (ko) * 1998-10-07 2007-11-19 소니 가부시끼 가이샤 코딩 장치와 방법, 디코딩 장치와 방법, 데이터 처리 시스템, 저장 매체, 및 기록 매체

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100647022B1 (ko) * 1998-07-15 2006-11-17 소니 가부시끼 가이샤 부호화 장치 및 부호화 방법, 복호 장치 및 복호 방법, 정보 처리 장치 및 정보 처리 방법 및 제공 매체
KR100711012B1 (ko) * 1998-10-07 2007-04-25 소니 가부시끼 가이샤 코딩 장치 및 방법, 디코딩 장치 및 방법, 데이터 처리 시스템, 기억 매체 및 신호
KR100777144B1 (ko) * 1998-10-07 2007-11-19 소니 가부시끼 가이샤 코딩 장치와 방법, 디코딩 장치와 방법, 데이터 처리 시스템, 저장 매체, 및 기록 매체

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950034492A (ko) 직접 웨이퍼 본딩 구조물 및 그 제조방법
KR960008417A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR980006387A (ko) 아날로그용 반도체 소자의 폴리레지스터 및 그의 제조방법
KR960039404A (ko) 불휘발성 메모리장치 및 그 제조방법
KR910010656A (ko) 대전력용 반도체장치
KR970008408A (ko) 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법
KR970008493A (ko) 광로 조절 장치의 콘택홀 배선 방법
KR100207381B1 (ko) 광로 조절 장치의 콘택홀 배선 방법
KR970008492A (ko) 광로 조절 장치의 다층 배선 평탄화 방법
KR0171142B1 (ko) 광로 조절 장치의 콘택홀 배선 방법
KR970077762A (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
KR970018553A (ko) 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법
KR870001655A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR100196833B1 (ko) 광로 조절 장치의 콘택홀 배선 방법
KR100247911B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JPS57176745A (en) Manufacture of multilayer wiring
JPH04188863A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS5690535A (en) Production of integrated multilayer wiring strcuture
JPS61194837A (ja) 構造化された表面を電気絶縁し平らにする方法
JPS57160154A (en) Manufacture of semiconductor device
KR970054163A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법
KR970054060A (ko) 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법
KR960008418A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR970018048A (ko) 반도체 장치의 비아 콘택(via contact) 형성방법
JPS57111046A (en) Multilayer wiring layer

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination