KR970008204A - 마스크롬 - Google Patents

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KR970008204A
KR970008204A KR1019950020382A KR19950020382A KR970008204A KR 970008204 A KR970008204 A KR 970008204A KR 1019950020382 A KR1019950020382 A KR 1019950020382A KR 19950020382 A KR19950020382 A KR 19950020382A KR 970008204 A KR970008204 A KR 970008204A
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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크롬에 있어서, 하나의 비트라인 연결되도록 구성된 다수의 메모리 셀 스트링(31,32); 및 상기 다수의 메모리 셀 스트링 중 예정된 하나의 메모리 셀 스트링을 선택할 수 있도록 구성되어 있는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링 선택라인(선택)을 구비하되, 상기 메모리셀 스트링 선택라인은 외부로 부터 인가되는 선택신호의 상태에 따라 서로 다른 메모리 셀 스트링을 선택하도록 구성된 것을 특징으로 하며, 전체 칩의 크기를 감소시킬 수 있으며, 또한 비트라인의 디자인 크기의 루스(Loose)로 패턴 디파인(Define)의 상대적인 해상력을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 소장의 불량율을 감소시킬 수 있는 특유의 효과가 있는 마스크롬에 관한 것이다.

Description

마스크롬
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크롬의 일부 회로도, 제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크롬의 일부 회로도.

Claims (4)

  1. 마스크롬에 있어서, 하나의 비트라인에 연결되도록 구성된 다수의 메모리 셀 스트링; 및 상기 다수의 메모리 셀 스트링 중 예정된 하나의 메모리 셀 스트링을 선택할 수 있도록 구성되어 있는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링 선택라인을 구비하되, 상기 메모리 셀 스트링 선택라인은 외부로 부터 인가되는 선택신호의 상태에 따라 서로 다른 메모리 셀 스트링을 선택하도록 구성된 것을 특징으로 하는 마스크롬.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 스트링 선택라인은 상기 선택신호에 따라 예정된 하나의 메모리 셀 스트링을 선택하도록 구성된 적어도 하나의 NMOS 트랜지스터와 적어도 하나의 PMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크롬.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 스트링 선택라인을 상기 선택신호에 따라 예정된 하나의 메모리 셀 스트링을 선택하도록 구성된 적어도 하나의 인헨스먼트 모드 NMOS트랜지스터와 적어도 하나의 디플리션 모드 PMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한는 마스크롬.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 스트링 선택라인은 상기 선택신호에 따라 예정된 하나의 메모리 셀 스트링을 선택하도록 구성된 적어도 하나의 디플리션 모드 NMOS 트랜지스터와 적어도 하나의 인헨스먼트 모드 PMOS트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크롬.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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