KR970008163A - 오프-누설 전류를 감소시키기 위하여 역 바이어스 패스 트랜지스터를 유도하는 전원 공급 장치를 갖는 메모리 셀 - Google Patents
오프-누설 전류를 감소시키기 위하여 역 바이어스 패스 트랜지스터를 유도하는 전원 공급 장치를 갖는 메모리 셀 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
오프-누설 전류를 감소시키기 위하여 역 바이어스 패스 트랜지스터를 유도하는 전원공급 장치를 갖는 메모리 셀
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
메모리 셀이 억세스되지 않을 때 메모리 셀의 패스 트랜지스터가 역 바이어스되도록 하는 전원 공급 범위내에서 메모리 셀이 동작하도록 하여 오프-누설 전류를 감소시킨다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
제1데이타 값 또는 제2데이타 값 중 어느 하나를 저장할 수 있는 저장요소와 상기 저장요소에 연결된 패스트랜지스터를 포함하는 메모리 셀에 전원 공급 발생기를 구비한다. 저장요소가 제1데이타 값 또는 제2데이타값을 저장하는 것과는 무관하게 저장요소가 억세스되지 않을 때, 전원 공급 발생기는 상기 패스 트랜지스터가 실질적으로 역 바이어스된 상태에 있도록 하기 위하여 상기 저장요소에 연결되어 상기 저장요소에 공급 레벨전압을 발생한다.
4. 발명의 중요한 용도
일반적인 메모리 소자 및 그 메모리 소자를 사용하는 컴퓨터 분야
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 SRAM 메모리 셀 구조, 제2도는 본 발명에 따른 VSS+Δ발생기 회로도.
Claims (30)
- 대기 상태 또는 억세스 상태중 어느 하나에서 동작할 수 있는 메모리 셀에 있어서, 제1데이타 값 또는 제2데이타 값중 어느 하나를 저장할 수 있는 저장요소; 상기 저장요소에 연결된 패스 트랜지스터; 및 상기 저장요소가 상기 제1데이타 값 또는 제2데이타 값을 저장하는 것과는 무관하게 상기 저장요소가 억세스되고 있지 않을 때, 상기 패스 트랜지스터가 실질적으로 역 바이어스된 상태에 있도록 하기 위하여 상기 저장요소에 연결되어 상기 저장요소에 공급 레벨 전압을 발생하도록 구성된 전원 공급 발생기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제1항에 있어서, 상기 저장요소는 DRAM인 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제2항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 저장요소가 억세스되고 있지 않을 때, 대략 VDD의 제1전원 공급 및 제2전원 공급 VSS에 소정의 전압(Δ)을 더한 대략 VSS+Δ의 제3전원 공급을 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제3항에 있어서, 상기 메모리 셀은, 상기 저장요소가 억세스되고 있지 않을 때, 상기 패스 트랜지스터에 연결된 워드라인을 대략 VSS의 전압 전위로 구동시켜 상기 패스 트랜지스터가 실질적으로 역 바이어스된 상태를 유지하도록 구성된 워드라인 구동회로를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제4항에 있어서, 상기 워드라인 구동회로는, 상기 패스 트랜지스터를 턴온시키는 대략 VDD의 전압 전위로 상기 패스 트랜지스터에 연결된 워드라인이 구동되어 저장요소가 억세스될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제5항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 저장요소가 억세스되고 있을 때, 대략 VDD의 제1전원공급 및 대략 VSS의 제2전원 공급을 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제5항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 메모리 셀이 대기상태에 있거나 또는 억세스 상태에 있는 것에 따라 VSS또는 VSS+Δ중의 어느 한 공급 전압을 제공할 수 있는 VSS+Δ회로를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제1항에 있어서, 상기 저장요소는 SRAM인 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제8항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 저장요소가 읽혀지고 있을 때, 대략 VDD의 제1전원 공급 및 대략 VSS의 제2전원 공급을 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제8항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 저장요소가 억세스되고 있지 않을 때, 대략 VDD의 제1전원 공급 및 대략 VSS+Δ의 제3전원 공급을 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제8항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 저장요소가 기록되고 있을 때, 대략 VDD의 제1전원 공급 및 제2전원 공급 VSS에 소정의 전압(Δ)을 더한 대략 VSS+Δ제3전원 공급을 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제8항에 있어서, 상기 메모리 셀은, 상기 저장요소가 억세스되고 있지 않을 때, 상기 패스 트랜지스터에 연결된 워드라인을 대략 VSS의 전압 전위로 구동시켜 상기 패스 트랜지스터가 실질적으로 역 바이어스된 상태를 유지하도록 구성된 워드라인 구동회로를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제8항에 있어서, 상기 워드라인 구동회로는, 상기 패스 트랜지스터를 턴온시키는 대략 VDD의 전압 전위로 상이 패스 트랜지스터에 연결된 워드라인이 구동되어 저장요소가 억세스될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제8항에 있어서, 상기 SRAM의 저장요소는 크로스 커플된 한쌍의 인버터 및 컴플리먼터리 패스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제1항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 메모리 셀이 대기상태에 있거나 또는 기록되거나 또는 독출되는 것에 따라 VSS또는 VSS+Δ 중의 어느 한 공급 전압을 제공할 수 있는 VSS+Δ회로를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제1항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 메모리 셀의 상태에 따라 상기 저장요소에 제1공급전압을 발생하고, 제2공급 전압 또는 제3공급 전압을 상기 저장요소에 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제16항에 있어서, 상기 제1공급 전압은 VDD인 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제16항에 있어서, 상기 제2공급 전압은 VSS인 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제16항에 있어서, 상기 제3공급 전압은 VSS+Δ인 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제16항에 있어서, 상기 제3공급 전압은 상기 제1공급 전압과 상기 제2공급 전압 사이에 있는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제1항에 잇어서, 상기 메모리 셀은 반도체 칩 상에 배열된 다수의 메모리 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 제21항에 있어서, 상기 반도체 칩은 컴퓨터에 포함되어지는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
- 대기 상태 또는 억세스 상태중 어느 하나에서 동작할 수 있는 메모리 셀을 제공하는 방법에 있어서, 제1데이타 값 또는 제2데이타 값중 어느 하나를 저장할 수 있는 저장요소를 제공하는 단계; 상기 저장요소에 연결된 패스 트랜지스터를 제공하는 단계; 및 상기 저장요소가 상기 제1데이타 값 또는 제2데이타 값을 저장하는 것과는 무관하게 상기 저장요소가 억세스되지 않을 때, 상기 패스 트랜지스터가 실질적으로 역 바이어스된 상태에 있도록 하기 위하여 상기 저장요소에 연결되어 상기 저장요소에 공급 레벨 전압을 발생하도록 구성된 전원 공급 발생기를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제공된 저장요소는 DRAM인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제공된 저장요소는 SRAM인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 메모리 셀의 상태에 따라 상기 저장요소에 제1공급 전압을 발생하고, 제2공급 전압 또는 제3공급 전압을 상기 저장요소에 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
- 대기 상태 또는 억세스 상태중 어느 하나에서 동작할 수 있는 메모리 셀을 제공하는 방법에 있어서, 패스 트랜지스터를 가지는 저장요소에 제1데이타 값 또는 제2데이타 값중 어느 하나를 저장하는 단계; 및 상기 저장요소가 상기 제1데이타 값 또는 제2데이타 값을 저장하는 것과는 무관하게 상기 저장요소가 억세스되지 않을 때, 상기 패스 트랜지스터가 실질적으로 역 바이어스된 상태에 있도록 하기 위하여 상기 저장요소에 공급 레벨 전압을 발생하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 제공된 저장요소는 DRAM인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 제공된 저장요소는 SRAM인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 전원 공급 발생기는, 상기 메모리 셀의 상태에 따라 상기 저장요소에 제1공급전압을 발생하고, 제2공급 전압 또는 제3공급 전압을 상기 저장요소에 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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