KR970006740B1 - 박막트랜지스터의 제조 방법 - Google Patents
박막트랜지스터의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용없음.
Description
제1도는 종래의 셀프얼라인 LDD구조를 갖는 박막트랜지스터의 제조방법을 도시한 공정순서도.
제2도는 본 발명의 셀프얼라인 LDD구조를 갖는 박막트랜지스터의 제조방법을 도시한 공정순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 바디층
3 : 게이트절연막 5 : 게이트전극
6 : 층간절연막 7 : 소오스 및 드레인전극
10 : N-영역 11 : N+영역
본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 특히 셀프얼라인 LDD(self-aligned Lifhtly Doped Drain) 구조의 박막트랜지스터 형성방법에 관한 것이다.
종래의 셀프얼라인 LDD구조를 갖는 박막트랜지스터의 형성방법을 제1도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 제1a도에 도시된 바와 같이 기판(1)상에 바디(Body) 폴리실리콘층(2)을 형성한 후, 제1b도에 도시된 바와 같이 상기 바디폴리실리콘층(2)상에 게이트산화막(3)을 형성한 다음 LDD구조의 N-영역을 형성하기 위해 게이트 크기보다 작게 패터닝된 포토레지스트패턴(4)을 상기 게이트산화막(3)상에 형성한 후, N형 불순물을 저농도로 이온 주입하여 상기 바디폴리실리콘층(2)에 N-영역(10)을 형성한다.
이어서 제1c도에 도시된 바와 같이 상기 포토레지스트패턴을 제거한 후, 게이트전극 형성을 위한 도전물질로서 폴리실리콘을 증착한 다음 이를 패터닝하여 게이트전극(5)을 형성한다. 그리고난후 상기 형성된 게이트전극(5)을 마스크로 하여 N형 불순물을 고농도로 이온주입하여 상기 바디폴리실리콘층(2)에 N+영역(11)을 형성함으로써 N-영역(10)과 N+영역(11)로 이루어진 소오스 및 드레인영역을 형성한다.
다음에 제1d도에 도시된 바와 같이 소오스 및 드레인 콘택형성을 위해 층간절연막(6)을 상기 결과를 전면에 형성한 후, 제1e도에 도시된 바와 같이 상기 층간절연막(6) 소정부분을 선택적으로 식각하여 상기 소오스 및 드레인영역을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음 결과를 전면에 금속을 증착하고 이를 소정패턴으로 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 소오스 및 드레인영역과 연결되는 금속전극(7)을 형성한다.
상술한 종래 기술에 있어서는 LDD구조의 소오스및 드레인영역 형성을 위해 1회의 부가적인 사진식각공정이 추가되므로 공정이 복잡해지게 되어 제조비용이 증가하게 된다.
또한, N-영역 형성후 게이트전극패터닝작업시 생기는 미스얼라인으로 인해 비대칭적인 LDD구조가 형성될 수 있는 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 셀프얼라인 LDD구조의 박막트랜지스터를 제조함에 있어서 공정을 단순화시키고 공정이 재현성을 높이도록 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법은 기판(1)상에 바디층(2)을 형성하는 공정과, 상기 바디층(2)상에 게이트 절연막(3)과 게이트전극 형성용 도전층을 형성하는 공정, 상기 도전층을 패터닝하여 게이트전극(5)을 형성하는 공정, N형 불순물을 저농도로 이온 주입하여 상기 바디층(2) 소정부분에 N-영역(10)을 형성하는 공정, 상기 결과물 전면에 층간절연막(6)을 형성하는 공정, 상기 게이트전극(5)과 게이트전극 측면에 형성된 상기 층간절연막(6)을 마스크로 하여 N형 불순물을 고농도로 이온주입하여 상기 바디층(2) 소정부분에 N+영역(11)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2도에 본 발명의 셀프얼라인 LDD구조를 갖는 박막트래니지스터 제조방법을 공정순서에 따라 도시하였다.
먼저, 제2a도에 도시된 바와 같이 기판(1)상에 바디(Body) 폴리실리콘층(2)을 형성한 후, 제2b도에 도시된 바와 같이 바디폴리실리콘층(2)상에 게이트절연막(3)으로서 산화막을 형성하고 이 위에 게이트전극 형성용 도전물질로서, 예컨대 폴리실리콘(5)을 증착한다.
이어서 제2c도에 도시된 바와 같이 상기 폴리실리콘층(5)을 게이트전극패턴으로 패터닝하여 게이트전극(5)을 형성한 후, N형 불순물을 저농도로 이온 주입하여 상기 바디폴리실리콘층(2)에 N-영역(10)을 형성한다.
이어서 제2d도에 도시된 바와 같이 소오스 및 드레인 콘택형성을 위해 층간절연막(6)을 원하는 N-영역의 폭만큼의 두께(X)로 상기 결과물 전면에 형성한 후, 게이트전극(5)과 게이트전극 측면에 형성된 상기 층간절연막(6)을 마스크로 하여 N형 불순물을 고농도로 이온주입하여 상기 바디폴리실리콘층(2)에 N+영역(11)을 형성함으로써 N-영역(10)과 N+영역(11)로 이루어진 소오스 및 드레인영역을 형성한다.
다음에 제2e도에 도시된 바와 같이 상기 층간절연막(6) 소정부분을 선택적으로 식각하여 상기 소오스 및 드레인영역을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음 결과물 전면에 금속을 증착하고 이를 소정패턴으로 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 소오스 및 드레인영역과 연결되는 금속전극(7)을 형성한다.
이상과 같이 본 발명은 소오스 및 드레인 콘택 형성을 위한 층간절연막을 이용하여 별도로 추가되는 마스크 공정없이 셀프얼라인 LDD구조를 형성함으로써 종래 셀프얼라인 LDD구조 박막트랜지스터 제조시의 단점인 마스크공정의 추가와 2회의 마스크공정에 의해 LDD영역을 형성함으로써 생기는 미스얼라인으로 인한 LDD구조의 비대칭성을 해결한다.
따라서 제조공정이 단순화되고 공정의 재현성을 높일 수 있게 된다.
Claims (2)
- 기판(1)상에 바디층(2)을 형성하는 공정과, 상기 바디층(2)상에 게이트 절연막(2)과 게이트전극 형성용 도전층을 형성하는 공정, 상기 도전층을 패터닝하여 게이트전극(5)을 형성하는 공정, N형 불순물을 저농도로 이온 주입하여 상기 바디층(2) 소정부분에 N-영역(10)을 형성하는 공정, 상기 결과물 전면에 층간절연막(6)을 형성하는 공정, 상기 게이트전극(5)과 게이트전극 측면에 형성된 상기 층간절연막(6)을 마스크로 하여 N형 불순물을 고농도로 이온주입하여 상기 바디층(2) 소정부분에 N+영역(11)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연막(6)은 형성하고자 하는 N-영역의 폭만큼의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
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