KR970003248A - 플래쉬 메모리소자의 소거방법 - Google Patents

플래쉬 메모리소자의 소거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리소자(Flash Memory device)의 소거방법에 관한 것으로서, 다수의 플레인(plain)으로 구분된 칩 소거(chip erase)시 플레인별로 소거(erase) 및 소거확인(erase verify)이 동시에 실시되도록 하므로써 소거시간이 단축 되도록 한 플래시 메모리소자의 소거방법에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리소자의 소거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리소자의 소거방법을 설명하기 위해 도시한 플로우 챠트도.

Claims (7)

  1. 플래쉬 메모리소자의 다수의 플레인으로 구분된 칩 소거방법에 있어서, 칩의 내부카운터에 의해 최초로 셀의 소거동작 명령에 따라 제1플레인을 소거하는 단계와, 제2플레인을 소거 및 상기 제1플레인을 소거확인하는 단계와, 제3플레인을 소거 및 상기 제2플레인을 소거확인하는 단계와, 제4플레인을 소거 및 상기 제3플레인을 소거확인하는 단계와, 상기 제4플레인을 소거확인 하는 단계와, 상기 다수의 플레인의 소거확인 결과를 종합적으로 확인하는 단계와, 상기 단계에서 다수의 플레인이 정상적으로 소거되지 않았으면 칩의 내부카운터에 사전에 설정된 소거 횟수와 동일함 여부를 검증하는 단계와, 칩의 내부카운터에 사전에 설정된 소거 횟수와 일치할 경우에는 셀이 불량임을 판정하고 소거동작을 종료하는 단계와, 칩의 내부카운터에 사전에 설정된 소거 횟수와 일치하지 않을 경우에는 소거동작 횟수를 증가시켜 상기 소거동작을 반복시행하는 단계와, 다수의 플레인이 정상적으로 소거상태로 되었으면 모든 플레인이 정상임을 판정하고 소거동작을 종료하게 되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칩 소거시 각각의 플레인에서 소거 및 소거확인동작이 동시에 수행되도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소거확인 동작은 소거가 이미 시행된 플레인에서만 수행되도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소거 및 소거확인 동작인 플레인의 소거 시행시간과 소거확인 시행시간 중 긴시간의 시행시간에 의해 수행되도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 최초의 소거 동작시에는 다수의 플레인에서 소거확인 동작이 실시되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 최종 소거확인 동작시에는 다수의 플레인에서 소거 동작이 실시되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1플레인 내지 제4플레인의 소거확인 동작시에는 이미 확보된 최초의 플레인부터 최종의 바로전 플레인까지의 소거확인 결과를 그대로 이용하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100365725B1 (ko) * 2000-12-27 2002-12-26 한국전자통신연구원 플래시 메모리를 이용한 파일 시스템에서 등급별 지움정책 및 오류 복구 방법
KR100914646B1 (ko) * 2002-08-31 2009-08-28 지인정보기술 주식회사 멀티-플레인 구조의 플래시 메모리 관리 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835565A (en) * 1997-02-28 1998-11-10 Hammer Technologies, Inc. Telecommunication system tester with integrated voice and data
US5903496A (en) * 1997-06-25 1999-05-11 Intel Corporation Synchronous page-mode non-volatile memory with burst order circuitry
DE69737501D1 (de) * 1997-10-28 2007-05-03 St Microelectronics Srl Verfahren zum Parellel-Programmieren von nichtflüchtigen Speicheranordnungen, insbesondere Flash-Speichern und EEPROMs
KR100257854B1 (ko) * 1997-12-10 2000-06-01 김영환 플래쉬 메모리의 소거 방법
US7114501B2 (en) * 2000-08-14 2006-10-03 Spine Wave, Inc. Transverse cavity device and method
US20050183722A1 (en) * 2002-09-27 2005-08-25 Jagadish Bilgi External chest therapy blanket for infants
US7353323B2 (en) * 2003-03-18 2008-04-01 American Megatrends, Inc. Method, system, and computer-readable medium for updating memory devices in a computer system
US6891758B2 (en) * 2003-05-08 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Position based erase verification levels in a flash memory device
US20070047395A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Plasmon Lms, Inc. Optical disk shred operation with detection
KR100908526B1 (ko) * 2006-09-29 2009-07-20 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 장치 및 그의 소거 방법
US7733706B2 (en) 2006-09-29 2010-06-08 Hynix Semiconductor Inc. Flash memory device and erase method thereof
KR100938085B1 (ko) * 2007-06-28 2010-01-21 주식회사 하이닉스반도체 메모리 소자 및 소거 검증 방법
US9658788B2 (en) * 2014-05-28 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command
CN113421607B (zh) * 2021-06-30 2023-08-04 芯天下技术股份有限公司 一种闪存的校验修复方法、装置和电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408552B2 (ja) * 1991-02-11 2003-05-19 インテル・コーポレーション 不揮発性半導体メモリをプログラム及び消去する回路とその方法
US5396468A (en) * 1991-03-15 1995-03-07 Sundisk Corporation Streamlined write operation for EEPROM system
EP0596198B1 (en) * 1992-07-10 2000-03-29 Sony Corporation Flash eprom with erase verification and address scrambling architecture
US5339279A (en) * 1993-05-07 1994-08-16 Motorola, Inc. Block erasable flash EEPROM apparatus and method thereof
JP2707970B2 (ja) * 1994-04-11 1998-02-04 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置の消去方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100365725B1 (ko) * 2000-12-27 2002-12-26 한국전자통신연구원 플래시 메모리를 이용한 파일 시스템에서 등급별 지움정책 및 오류 복구 방법
KR100914646B1 (ko) * 2002-08-31 2009-08-28 지인정보기술 주식회사 멀티-플레인 구조의 플래시 메모리 관리 방법

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