KR970003247A - 플래쉬 메모리소자의 소거방법 - Google Patents

플래쉬 메모리소자의 소거방법 Download PDF

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KR970003247A
KR970003247A KR1019950018559A KR19950018559A KR970003247A KR 970003247 A KR970003247 A KR 970003247A KR 1019950018559 A KR1019950018559 A KR 1019950018559A KR 19950018559 A KR19950018559 A KR 19950018559A KR 970003247 A KR970003247 A KR 970003247A
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flash memory
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KR1019950018559A
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홍문표
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리소자(Flash Memory device)의 소거방법에 관한 것으로서, 셀을 소거한 후 소거확인시 불량(fail)셀이 확인될때 불량셀의 한 워드라인만 소거시행을 반복하도록 하므로써, 셀의 스트레스를 줄일 수 있고, 오버이레이즈(over erase)되는 셀들을 최소화 시킬 수 있으며, 소거할 때 흐르는 셀전류를 줄일 수 있는 플래쉬 메모리소자의 소거방법에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리소자의 소거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리소자의 소거방법을 설명하기 위한 플로우 챠트도.

Claims (3)

  1. 플래쉬 메모리소자의 소거방법에 있어서, 칩의 내부카운터에 의해 최초로 셀의 소거동작 명령에 따라 셀을 소거한 후 셀의 소거상태를 확인하도록 하는 소거확인 단계와, 상기 셀이 정상적으로 소거되지 않을 때 상기 셀의 내부카운터에 사전에 설정된 최종데이타와 비교하는 단계와, 상기 칩의 내부카운터에 사전에 설정된 최종데이타와 일치할 경우 셀이 불량임을 알리고 종료하게 되는 단계와, 상기 칩의 내부카운터에 사전에 설정된 최종데이타와 일치하지 않을 경우 불량셀이 확인된 워드라인만 소거를 실시하는 단계와, 소거확인동작 회수를 증가시켜 상기 소거확인 단계로 복귀하여 상기 소거확인동작을 반복시행하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 셀의 소거확인 동작시 불량셀이 확인될때 불량셀이 접속된 워드라인만 소거시행을 반복할 수 있도록 한 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 셀의 소거확인 동작시 칩의 내부카운터에 의해 최초로 셀의 소거동작 명령에 따라 셀을 소거한 후 셀의 소거상태를 확인하도록하여 셀이 정상적으로 소거되었을 때 셀이 정상임을 알리고 종료될 수 있도록 한 플래쉬 메모리소자의 소거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950018559A 1995-06-30 1995-06-30 플래쉬 메모리소자의 소거방법 KR970003247A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100634155B1 (ko) * 1999-06-14 2006-10-16 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치의 워드 라인 선택 회로
US9418753B2 (en) 2013-04-12 2016-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating memory controller and data storage device including memory controller

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US9588714B2 (en) 2013-04-12 2017-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating memory controller and data storage device including memory controller

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