CN111785313B - 降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端，同时选中需要擦除区域内所有字线上的单元并对执行擦除操作；按照字线编号顺序逐一检查每根字线，判断当前的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若均擦除成功则继续下一条字线的检查；若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后继续下一条字线的检查；本方法既可以对已经擦除成功的cell避免再次擦除，从而降低过擦除现象的产生，同时对擦除不过的字线与后面的字线绑在一起擦除，与全部单根字线擦除比，擦除时间上会比较有优势。

Description

降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端

技术领域

本发明涉及IC设计领域，尤其涉及的是一种降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端。

背景技术

Nor flash存储器有三种主要的操作，第一个为读操作（Read），第二个为写操作即编程操作（Program），第三个为擦除操作（Erase）。

传统的nor flash的擦除单元分为sector erase（扇形擦除），block erase（块擦除）和chip erase（全芯片擦除）。一个sector一般由4根或者8根字线构成，如图1所示。一个block通常由8个或者16个sector构成，如图2所示。传统的block erase擦除方法是在这个block中的所有sector所包含的所有字线同时被选中。以一个block由16个sector构成为例，在block erase过程中，会有4x16=64根字线会被同时选中，所有被选中的字线给-7v到-10v电压，source（源极）与bulk（漏极）相连给+7v到+10v电压，位线bl 1~bl n+1 float（浮空）。传统的block erase擦除方法，当擦了第一遍后，会紧接着检查擦除是否成功，只要这64根字线中的任意一根与之相连的cell被检测出擦除不通过，则这整个block会再次被擦除一遍，直到所有cell都擦除成功。例如当检查字线WL1、WL2、WL3……WL63这63根字线与之相连的cell都擦除成功了，但是检查字线WL64时没有通过，那么这整个block就需要再重新擦一遍，不管前面总共63根字线是否已经擦除成功，都要重新再擦。这样的擦除方法就会带来一个问题，由于个别cell一次或者多次擦除不成功，就会导致其他位于同一个block的擦除成功了的cell又被额外多擦除了几遍，这就很容易导致这些cell被过擦除，出现overerase现象。其中，sector erase的擦除与block erase擦除类似。

所以，针对norflash存储器的擦除操作，存在着擦除时间过长以及擦除过程中出现过擦除（overerase）的现象，被过擦除的cell（单元）相对于正常擦除的cell的Vth（阈值电压）降低到了0v甚至0v以下，出现负值。这就导致在正常情况下，当cell的gate端（栅极）给0v时，这个被过擦除的cell会有电流产生，这就会导致该cell所在的位线（Bitline）上的其他被编程为0的cell错读成1，导致读出的结果出错。同时，对于nor flash存储器件，擦除时间也是用户所要关注的重要指标。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端，旨在解决现有的Nor flash存储器存在的过擦除现象和擦除时间过长的问题。

本发明的技术方案如下：

一种降低过擦除现象和擦除时间方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：同时选中需要擦除的区域内的所有字线上的单元并对所有单元执行擦除操作；

S2：按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功则跳转至S2，若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则跳转至S3；

S3：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后跳转至S2。

所述的降低过擦除现象和擦除时间方法，其中，所述S3包括以下步骤：

s31：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作；

s32：判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若是则跳转至S2，否则跳转至s31。

所述的降低过擦除现象和擦除时间方法，其中，所述S3之后还包括以下步骤：

S3：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后跳转至S4；

S4：判断需要擦除的区域内的所有字线是否均已检查完毕，是则跳转至S5，否则跳转至S2；

S5：使芯片进入待机状态。

所述的降低过擦除现象和擦除时间方法，其中，执行擦除操作是对需要擦除的单元施加擦除脉冲实现。

所述的降低过擦除现象和擦除时间方法，其中，所述需要擦除的区域为扇区擦除和块擦除。

一种采用如上述任一项所述的降低过擦除现象和擦除时间方法的系统，其中，包括：

选中需要擦除的字线上的单元并对选中字线上的单元执行擦除操作的擦除模块；

按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功的检查模块。

所述的系统，其中，还包括：判断需要擦除的区域内的所有字线是否均已检查完毕的判断模块。

所述的系统，其中，还包括：使芯片实现上电的上电模块和使芯片进入待机状态的待机模块。

一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。

一种终端，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。

本发明的有益效果：本发明通过提供一种降低过擦除现象和擦除时间方法、系统、存储介质及终端，既可以对已经擦除成功的cell避免再次擦除，从而降低过擦除现象的产生，同时对擦除不过的字线与后面的字线绑在一起擦除，与全部单根字线擦除比，擦除时间上会比较有优势。

附图说明

图1是现有技术中一个sector的构成示意图。

图2是现有技术中一个block的构成示意图。

图3是本发明中降低过擦除现象和擦除时间方法的步骤流程图。

图4是本发明中系统的示意图。

图5是本发明中终端的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图3所示，一种降低过擦除现象和擦除时间方法，具体包括以下步骤：

S1：同时选中需要擦除的区域内的所有字线上的单元并对所有单元执行擦除操作；

S2：按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功则跳转至S2，若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则跳转至S3；

S3：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后跳转至S2。

在某些具体实施例中，所述S3包括以下步骤：

s31：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作；

s32：判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若是则跳转至S2，否则跳转至s31。

在某些具体实施例中，所述S3之后还包括以下步骤：

S3：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后跳转至S4；

S4：判断需要擦除的区域内的所有字线是否均已检查完毕，是则跳转至S5，否则跳转至S2；

S5：使芯片进入待机状态。

其中，执行擦除操作是对需要擦除的单元施加擦除脉冲实现。

在某些具体实施例中，所述需要擦除的区域为扇区擦除和块擦除。

当本方法使用在扇区擦除时，设定扇区包括4根字线，分别为WL1、WL2、WL3、WL4：

（1）第一遍擦除仍然是4根字线同时选中擦除。

（2）检查第一根字线WL1，若fail，则针对字线WL1、WL2、WL3、WL4上所有的cell一起进行再擦除（4根字线一起擦除），直到WL1上所有cell都擦除成功。

（3）WL1 擦除成功之后再检查WL2，若fail，则只针对WL2、WL3、WL4（三根字线一起）上的所有cell一起再擦除，直至WL2上的cell全部擦除成功。

（4）WL2 擦除成功之后再检查WL3，若fail，则只针对WL3、WL4（两根字线一起）上的所有cell一起再擦除，直至WL3上的cell全部擦除成功。

（5）WL3 擦除成功之后再检查WL4，若fail，则只针对WL4（单根字线）上的所有cell再擦除，直至WL4上的cell全部擦除成功。

当本方法使用在块擦除时，设定块包括16个扇区，每个扇区包括4根字线，一共64根字线，分别为WL1、WL2、WL3…WL64：

（1）第一遍擦除仍然是整个block 64根字线同时被选中擦除。

（2）检查第一根字线WL1，若fail，则针对字线WL1、WL2、WL3…WL64总共64根字线上的所有cell一起进行再擦除，直到WL1上所有cell都擦除成功。

（3）WL1 擦除成功之后再检查WL2，若fail，则只针对WL2、WL3、……WL64总共63根字线上的所有cell一起进行再擦除，直到WL2上所有cell都擦除成功。

（5）依次类推，当WL63 擦除成功之后再检查WL64，若fail，则只针对WL64（单根字线）上的cell再擦除，直至WL64上的cell全部擦除成功。

上面方法中没有进行单独检查哪根字线不过就擦除哪根字线的操作，而是把当前擦除不过的字线与后面剩余的字线绑在一起重新擦除，这里是为了擦除时间的考量。因为在memory cell的工艺制造过程中，若是一个cell变的格外难于擦除，那么与这个cell相邻近的cell出现也难于擦除的概率会比较大，所以这里我们预知了后面的字线中与之相连的cell中很有可能也存在难于擦除的cell，所以将后面的字线与当前擦除的字线绑在一起进行擦除，可以大大增加后面各字线中与之相连的cell擦除成功的几率，减少总体blockerase/sector erase的擦除时间。本方法既可以对已经擦除成功的cell避免再次擦除，从而降低过擦除现象的产生，同时对擦除不过的字线与后面的字线绑在一起擦除，与全部单根字线擦除比，擦除时间上会比较有优势。

如图4所示，一种采用如上述所述的降低过擦除现象和擦除时间方法的系统，包括：

选中需要擦除的字线上的单元并对选中字线上的单元执行擦除操作的擦除模块A1；

按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功的检查模块A2。

在某些具体实施例中，所述系统还包括：判断需要擦除的区域内的所有字线是否均已检查完毕的判断模块A3。

在某些具体实施例中，所述系统还包括：使芯片实现上电的上电模块A4和使芯片进入待机状态的待机模块A5。

本发明还提供了一种存储介质，该存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法，以实现以下功能：同时选中需要擦除的区域内的所有字线上的单元并对所有单元执行擦除操作；按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功则继续下一条字线的检查；若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起再执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后继续下一条字线的检查。

请参照图5，本发明实施例还提供一种终端。如示，终端B300包括处理器B301和存储器B302。其中，处理器B301与存储器B302电性连接。处理器B301是终端B300的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端的各个部分，通过运行或调用存储在存储器B302内的计算机程序，以及调用存储在存储器B302内的数据，执行终端的各种功能和处理数据，从而对终端进行整体监控。

在本实施例中，终端中的处理器B301会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器B302中，并由处理器B301来运行存储在存储器B302中的计算机程序，从而实现各种功能：同时选中需要擦除的区域内的所有字线上的单元并对所有单元执行擦除操作；按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功则继续下一条字线的检查；若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起再执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后继续下一条字线的检查。

存储器B302可用于存储计算机程序和数据。存储器B302存储的计算机程序中包含有可在处理器中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器B301通过调用存储在存储器B302的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种降低过擦除现象和擦除时间方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1：同时选中需要擦除的区域内的所有字线上的单元并对所有单元执行擦除操作；

S2：按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功则跳转至S2，若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则跳转至S3；

S3：对当前检查的一根字线以及后续顺序编号的所有字线上的单元均一起执行擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后跳转至S4；

S4：判断需要擦除的区域内的所有字线是否均已检查完毕，是则跳转至S5，否则跳转至S2；

S5：使芯片进入待机状态。

2.根据权利要求1所述的降低过擦除现象和擦除时间方法，其特征在于，执行擦除操作是对需要擦除的单元施加擦除脉冲实现。

3.根据权利要求1所述的降低过擦除现象和擦除时间方法，其特征在于，所述需要擦除的区域为扇区擦除和块擦除。

4.一种采用如权利要求1至3任一项所述的降低过擦除现象和擦除时间方法的系统，其特征在于，包括：

选中需要擦除的字线上的单元并对选中字线上的单元执行擦除操作的擦除模块（A1）；

按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功的检查模块（A2）。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括：判断需要擦除的区域内的所有字线是否均已检查完毕的判断模块（A3）。

6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括：使芯片实现上电的上电模块（A4）和使芯片进入待机状态的待机模块（A5）。

7.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至3任一项所述的方法。

8.一种终端，其特征在于，包括处理器（B301）和存储器（B302），所述存储器（B302）中存储有计算机程序，所述处理器（B301）通过调用所述存储器（B302）中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至3任一项所述的方法。

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