KR970051364A - 칼럼불량 구제 및 고속 소거검증 기능을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents

칼럼불량 구제 및 고속 소거검증 기능을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 및 그 검증 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
불휘발성 메모리에 있어서 페이지 단위의 소거 및 일시 검증을 수행하면서도 불량 칼럼에 대한 구제를 행할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
페이지 버퍼를 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 및 그 검증 방법은 상기 페이지 버퍼를 페일난 메모리 셀에 대해서만 응하게 하기 위해 최초 페이지 센싱 전에 상기 페이지 버퍼 내의 래치를 패스 상태로 세팅하고, 소거시간을 줄이기 위하여 페이지별로 데이터의 센싱만을 수행한 후 마지막 페이지까지 센싱이 끝난 상태에서 일시에 검증 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
불휘발성 메모리에 적합하게 사용된다.

Description

칼럼불량 구제 및 고속 소거검증 기능을 가지는 불휘방성 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 메모리 장치의 소거검증을 위한 센싱관련회로도.

Claims (4)

  1. 복수 개의 워드선과 복수 개의 비트선으로 구성되며 각각의 비트선과 워드선의 교차점에 메모리 셀이 위치하며, 각각의 워드선을 디코딩하는 워드 디코더를 가지며 상기 워드 디코더를 동작시키는 워드 카운터를 가지며, 각각의 상기 비트선에 연결된 셀의 데이터를 읽어낼 수 있는 센싱 수단을 가지며 상기 센싱 수단의 센싱 결과를 보관하는 각각의 래치를 가지며 상기 센싱 수단은 메모리 셀의 로직 상태 중 임의의 첫 번째 레벨에만 반응하며, 복수 개의 워드선에 연결된 셀을 상기 첫 번째 레벨에 대하여 판독할 때 상기 래치의 초기값을 메모리 셀의 두 번째 레벨에 따르는 제1로직 레벨로 설정한 후 상기 워드선을 순차적으로 활성화시키면서 상기 센싱 수단 및 상기 래치를 동작시키며 상기 첫 번째 레벨을 갖는 셀에 대해서만 상기 센싱 수단이 반응하여 상기 래치 상태가 상기 초기값과는 다른 제2로직 레벨을 갖는 제어 수단을 갖는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 래치는 패스 게이트를 통하여 레지스터와 연결되고 상기 패스 게이트는 비트 카운터에 의하여 디코딩되며, 마지막 워드선에 연결된 셀까지 센싱이 완료된 후 상기 레지스터는 래치의 제1로직 레벨에 따르는 임의의 로직 레벨로 설정한 후 상기 비트 카운터를 동작시켜 상기 래치 데이터를 순차적으로 독출하며 상기 래치 상태가 제2로직 레벨일 때, 상기 레지스터는 초기설정값과는 다른 로직 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 장치의 여분의 비트선 및 이에 연결된 센싱 및 래치 수단을 가지며, 불량 셀의 비트번지 정보를 가지고 있는 디코더를 가지고, 불량 셀의 비트번지가 선택되었을 때 불량 셀의 비트선으로의 패스 게이트는 비활성화되고, 여분의 비트선으로의 패스 게이트는 활성화되는 수단을 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 페이지 버퍼를 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 및 그 검증 방법에 있어서, 상기 페이지 버퍼를 페일난 메모리 셀에 대해서만 응하게 하기 위해 최초 페이지 센싱 전에 상기 페이지 버퍼 내의 래치를 패스 상태로 세팅하고, 소거시간을 줄이기 위하여 페이지별로 데이터의 센싱만을 수행한 후 마지막 페이지까지 센싱이 끝난 상태에서 일시에 검증 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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